纳米管的生长方法主要涉及三种主要技术：激光烧蚀、电弧放电和化学气相沉积（CVD），其中化学气相沉积是商业上最主要的技术。此外，这些方法还有一些变化和进步，如等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)，以及使用二氧化碳和甲烷等替代原料。
激光烧蚀和电弧放电：
这是生产碳纳米管的传统方法。激光烧蚀法是用激光使碳蒸发，而电弧放电法是在碳电极之间使用大电流电弧产生碳蒸发所需的热量。这两种方法都需要较高的温度，而且效果显著，但由于其能源强度和工艺复杂性，在商业环境中较少使用。化学气相沉积（CVD）：
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CVD 是商业化生产碳纳米管最普遍的方法。它是在高温下（通常高于 800°C）在涂有催化剂的基底上分解含碳气体。催化剂颗粒通过提供成核位点促进纳米管的生长。CVD 可以更好地控制纳米管的特性和取向，使其适用于各种应用。改进的 CVD 方法：
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等离子体增强化学气相沉积（PECVD）： 这种方法使用等离子体来增强化学气相沉积过程中的化学反应，从而降低沉积温度（可能低于 400°C）。这有利于需要在温度敏感基底上沉积的应用，如用于场发射设备的玻璃。PECVD 可提高反应物的活性，从而使纳米管的生长更高效、更可控。
使用替代原料： CVD 的创新包括使用一氧化碳、在熔盐中电解捕获的二氧化碳以及甲烷热解。这些方法旨在利用废弃物或绿色原料，减少对环境的影响，并有可能降低成本。例如，甲烷热解可将甲烷转化为氢气和固体碳（包括纳米管），从而有效封存碳排放。
挑战和考虑因素：
