实验室管式炉是一种用于合成和提纯无机和有机化合物的电气设备。它有一个圆柱形空腔，空腔周围是隔热基质中的加热线圈。
温度通过热电偶和数字控制器进行监控和调节。某些型号有多个加热区和一个 RS-232 接口，用于对特定功能进行编程。
使用 MoSi2 等材料制成的加热元件，这些炉子的工作温度可高达 1800 °C，从而实现了先进的应用。管子材料因反应物的腐蚀性而异，包括氧化铝、Pyrex、熔融石英、钼或钨。
管式炉
货号 : KT-TF12
货号 : KT-TF14
货号 : KT-TF17
货号 : KT-MTF
货号 : KT-RTP
货号 : KT-VTF
货号 : KT-PTF
我们拥有满足您所有实验室需求的最佳管式炉解决方案。我们广泛的产品组合提供一系列标准解决方案，以满足您的要求。无论您需要单区或多区、水平/立式、分体式和旋转式管式炉，还是连续/批量旋转式管式炉，我们都能满足您的需求。我们的定制设计服务几乎可以满足客户的任何要求。
使用管式炉而不是箱式炉具有多种优势，例如，管式炉的容积较小，加热速度较快，因此更适合处理较小的样品。密封的工作管可保护炉子结构不受污染物的影响，同时也简化了样品周围改良气氛的维护工作。
管式炉的应用
- 在惰性气氛中加热金属或技术陶瓷样品。
- 在高达 1800°C 的高温下处理材料。
- 通过温度曲线升温。
- 均匀的温度控制。
- 材料热处理
- 陶瓷和金属的烧结。
- 玻璃和金属退火
- 碳纳米管和石墨烯的生产。
- 材料科学的研究与开发
- 有机和无机化合物的合成。
- 高温下的化学反应
- 涂层和粘合剂的干燥和固化。
- 材料的热解
- 高温结晶
- 材料生产的质量控制。
KINTEK 管式炉的优点
- 易于控制温度，具有遥控和微调功能。
- 加热速度快，运行性能好。
- 对环境无污染。
- 技术成熟，炉体结构简单，能耗低，热效率高。
- 操作简便，可连续生产。
- 可回收大部分裂解气和烟气。
- 随着裂解技术的进步，原料的应用范围逐渐扩大。可将多个炉子组合起来进行大规模生产。
- 采用节能陶瓷纤维材料和双层炉壳结构，升温和降温速度快，内腔温度分布均匀。
- 优质加热元件，使用寿命长。
我们的管式炉以其实惠的价格和完善的定制服务成为实验室研究人员的绝佳选择。我们的产品系列可提供符合您需求的标准解决方案，而对于更为独特的应用，我们的定制设计服务可满足您的具体要求。
FAQ
什么是管式炉？
实验管式炉是一种经典的外加热高温管式炉，又名热壁加热炉。
根据工作温度的不同，炉管材料通常可采用透明石英管、高纯氧化铝陶瓷管和高强度金属合金管。
为满足不同的热研究目的，管式炉可设计成多加热区，以便灵活控制管工作室内的温度梯度；炉管可在可控气氛工作环境或高真空工作环境中工作。
什么是 CVD 炉？
化学气相沉积（CVD）是一种利用加热、等离子体激发或光辐射等各种能源，使气态或气态化学物质在气相或气固界面上发生化学反应，从而在反应器中形成固态沉积物的技术。简单地说，就是将两种或两种以上的气态原料引入反应室，然后相互反应形成新的材料，并沉积在基片表面。
CVD炉是由高温管式炉单元、气体控制单元和真空单元组成的组合炉系统，广泛应用于复合材料制备、微电子工艺、半导体光电、太阳能利用、光纤通信、超导技术、防护涂层等领域的实验和生产。
管式炉如何工作？
管式炉的加热元件放置在圆柱形腔体周围，炉子只能通过间接热辐射加热圆柱形腔体中的样品，由于炉管可以防止样品材料与炉子加热元件和绝缘材料接触，因此管式炉创造了一个清洁的隔离热室，降低了样品材料被炉子污染的风险。
什么是转管炉？
转管炉是一种在热处理过程中旋转的圆形炉子。其设计目的是加热松散材料进行理化处理，并用于连续材料加工。这种炉子的特点是有一个内衬耐火材料的金属圆筒，圆筒以一定角度安装，可以在其工作区燃烧粉末、固体、气体或液体燃料。转管炉应用广泛，包括氧化铝、蛭石、铁矿石球团和水泥熟料等材料的生产，以及氧化和煅烧过程。
CVD 炉是如何工作的？
CVD炉系统由高温管式炉单元、反应气源精确控制单元、真空泵站和相应的组装部件组成。
真空泵用于排除反应管内的空气，确保反应管内没有多余的气体，然后管式炉将反应管加热到目标温度，反应气源精确控制单元可将不同的气体以设定的比例引入炉管内进行化学反应，在CVD炉内形成化学气相沉积。
管式炉有哪些用途？
管式炉主要应用于冶金、玻璃、热处理、锂电正负极材料、新能源、磨料磨具等行业，是在一定温度条件下测量材料的专业设备。
管式炉具有结构简单、操作方便、易于控制、可连续生产等特点。
管式炉还广泛应用于 CVD（化学气相沉积）和等离子体增强 CVD 系统。
转管炉如何工作？
转管炉是一种在热处理过程中旋转的圆形炉子。它燃烧燃料，产生的加热气体流向样品。该炉的特点是内衬耐火材料的金属圆筒呈一定角度安装。松散材料被加热后进行生化处理，热量从热源传递到盛放样品的旋转管。旋转管式炉专为连续材料加工而设计，具有多个热控制区。它们应用广泛，包括氧化铝、蛭石、铁矿石球团和水泥熟料的生产。
在 CVD 过程中使用哪种气体？
CVD过程中可以使用的气源非常多，常见的CVD化学反应包括热解、光解、还原、氧化、氧化还原，因此这些化学反应中涉及的气体都可以用于CVD过程。
我们以CVD石墨烯生长为例，CVD过程中使用的气体有CH4、H2、O2和N2。
有多少种不同类型的管式炉？
管式炉可以在不同的机械功能下顺利工作，因此有许多不同类型的管式炉变化用于不同的实验目的，典型的管式炉如下：
- 卧式管式炉
- 立式管式炉
- 分体式管式炉
- 旋转式管式炉
- 倾斜式管式炉
- 滑动式管式炉
- 快速加热和冷却管式炉
- 连续进料和出料管式炉
转管炉有哪些优点？
转管炉的优点包括改善气体扩散、减少气体消耗、提高热处理效率和改善产品均匀性。这种炉子可在短时间内有效传热，并可连续运行成批材料。旋转管式炉可根据具体要求进行定制设计，包括温度控制、工作空间大小、停留时间、管子旋转速度和气氛流速。在为旋转管式炉选择管子时，需要考虑的要点包括旋转速度、材料量、管子直径、悬挂长度和管子厚度。
转管炉的功能是什么？
转管炉的功能是加热松散材料，以便进行理化处理。旋转管式炉的特点是通过一个旋转管来固定样品，并在多个热控制区内进行加热。燃料燃烧产生的加热气体通过炉子流向样品。旋转管式炉可用于制造氧化铝、蛭石、铁矿球团和水泥熟料等材料，也可用于氧化和煅烧过程。这些窑炉可以由陶瓷、石英或高温合金制成，并可根据不同的应用场合设定较宽的温度范围。
CVD 系统的优势是什么？
- 可根据需要制备金属膜、非金属膜和多组分合金膜等多种薄膜。同时，它还能制备出其他方法难以获得的高质量晶体，如 GaN、BP 等。可同时沉积大量成分均匀的涂层，这是液相外延（LPE）和分子束外延（MBE）等其他制膜方法所无法比拟的。
- 工作条件在常压或低真空条件下进行，因此涂层衍射效果好，形状复杂的工件也能得到均匀的涂层，这一点比 PVD 优越得多。
- 由于反应气体、反应产物和基材之间的相互扩散，可获得附着力良好的涂层，这对于制备耐磨膜和防腐蚀膜等表面强化膜至关重要。
- 有些薄膜的生长温度远低于薄膜材料的熔点。
- 有些薄膜的生长温度远低于薄膜材料的熔点，在低温生长条件下，反应气体和反应器壁及其所含杂质几乎不发生反应，因此可以获得纯度高、结晶度好的薄膜。
- 化学气相沉积可以获得光滑的沉积表面。这是因为与 LPE 相比，化学气相沉积（CVD）是在高饱和度下进行的，成核率高，成核密度大，且在整个平面上分布均匀，因此能获得宏观光滑的表面。
- 低辐射损伤，这是制造金属氧化物半导体（MOS）和其他器件的必要条件
使用管式炉有哪些优势？
管式炉在高温应用中具有多种优势。首先，管式炉可提供精确、均匀的温度控制，从而实现精确、可重复的加热过程。这对于温度一致性至关重要的材料研究和热处理应用来说至关重要。其次，管式炉设计紧凑，适合在有限的实验室或工业空间内使用。管式炉还具有多功能性，可容纳各种尺寸和形状的样品。此外，管式炉还具有良好的隔热性能，可以快速达到高温，因此非常节能。有些型号还提供可编程温度曲线，可实现自动加热和冷却循环。总之，管式炉可以在各种科学和工业领域实现高效、可控的高温工艺。
PECVD 代表什么？
等离子体化学气相沉积（PECVD）是利用等离子体激活反应气体，促进基片表面或近表面空间发生化学反应，生成固体薄膜的技术。等离子体化学气相沉积技术的基本原理是，在射频或直流电场的作用下，源气体电离形成等离子体，以低温等离子体为能源，引入适量的反应气体，利用等离子体放电激活反应气体，实现化学气相沉积。
根据等离子体的产生方式，可分为射频等离子体、直流等离子体和微波等离子体 CVD 等......
PECVD 是什么意思？
使用管式炉时应采取哪些安全预防措施？
使用管式炉时，必须遵守安全预防措施，以防止事故发生并确保操作人员和样品的安全。首先，应对操作人员进行适当的培训，确保他们了解管式炉的操作、安全功能和应急程序。其次，应佩戴适当的个人防护设备（PPE），如耐热手套、护目镜和白大褂，以防止烫伤和潜在危险。第三，在炉内正确装载样品或材料至关重要，应确保其位置稳固且不会阻碍气流。应提供充足的通风，以排除加热过程中可能产生的任何气体或烟雾。此外，定期检查和维护炉子也很重要，包括检查加热元件和电气连接，以确保运行安全可靠。
CVD 和 PECVD 的区别是什么？
PECVD与传统CVD技术的区别在于等离子体中含有大量高能电子，可以提供化学气相沉积过程中所需的活化能，从而改变了反应体系的供能方式。由于等离子体中的电子温度高达 10000K，电子与气体分子之间的碰撞可促进反应气体分子的化学键断裂和重组，从而生成更多的活性化学基团，而整个反应体系则保持较低的温度。
因此，与 CVD 工艺相比，PECVD 可以在较低的温度下进行相同的化学气相沉积过程。
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