溅射过程中的溅射离子电流取决于所施加的电压和所使用的溅射技术类型。在直流二极管溅射中，施加 500 - 1000 V 的直流电压，点燃靶和基底之间的氩气低压等离子体。正氩离子在该电压的作用下加速冲向靶材，使原子从靶材中喷出并沉积到基底上。
在射频溅射中，使用的是频率约为 14 MHz 的交流电。这样就可以溅射绝缘材料，因为电子可以随射频加速振荡，而较重的离子只对射频系统中产生的平均电压产生反应。离子受自偏置电压 (VDC) 的影响，该电压可将离子加速至目标，接近直流溅射时施加的等效电压。
溅射离子的电流与施加的电压和使用的溅射技术类型直接相关。在直流二极管溅射中，电流由 500 - 1000 V 直流电压决定，而在射频溅射中，电流则由将离子加速到目标的自偏置电压 (VDC) 决定。
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