溅射中的等离子体是通过一种称为气体电离的过程产生的，该过程包括将低压惰性气体（通常为氩气）引入真空室。然后对气体施加高压，使原子电离并产生等离子体。所需的电压取决于所使用的气体和气体压力，氩气通常需要约 15.8 电子伏特 (eV) 才能电离。
等离子体的产生对溅射过程至关重要，因为它能使气体离子轰击目标材料。当等离子体在目标材料附近产生时，气体离子与目标表面发生碰撞，使原子从表面脱落并被喷射到气相中。这些喷出的原子随后通过低压溅射气体到达基底，在那里凝结成薄膜。
溅射过程的效率以每个入射离子射出的靶原子数量为特征，受多个因素影响，包括离子质量、入射角度、靶原子和入射离子能量。不同的溅射条件和靶材料会产生不同的溅射产率，这是决定溅射过程有效性的关键参数。
磁控溅射是等离子气相沉积（PVD）的一种特殊类型，在磁控溅射中会产生等离子体，等离子体中的正离子在电场的作用下加速向带负电的电极或 "靶材 "移动。正离子在几百到几千电子伏特的电势加速下，以足够的力量撞击目标，使原子脱落并喷射出来。这些原子以视线余弦分布的方式从靶面喷出，并在靠近磁控溅射阴极的表面凝结。
溅射率是指每秒从靶材表面溅射出的单层原子数，由溅射产量、靶材摩尔重量、材料密度和离子电流密度决定。可以通过调节各种溅射条件（如外加功率/电压、溅射气体压力以及基片与靶之间的距离）来控制这一速率，从而影响沉积薄膜的特性，包括其成分和厚度。
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