CVD 和 PECVD 炉
等离子体增强蒸发沉积 PECVD 涂层机
货号 : KT-PED
价格根据 规格和定制情况变动
- 样品架加热温度
- ≤800℃
- 气体吹扫通道
- 4 个通道
- 真空室腔体尺寸
- Φ500 毫米 × 550 毫米
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应用
PECVD 涂层设备利用等离子体促进沉积的化学反应，使气相化学沉积在低温下形成高质量的固体薄膜。等离子体增强化学沉积 PECVD 镀膜机可利用高能等离子体促进反应过程，有效提高反应速度，降低反应温度。
其应用领域主要包括 LED 照明、功率半导体、MEMS 等。它适用于 SiO2（SiH4、TEOS）、SiNx、SiOxNy 等介质薄膜的沉积，以及在 PSS cPECVD 镀膜设备的复合基底上高速沉积 SiO 厚膜。成膜质量好，针孔少，不易开裂，适用于制备非晶硅和微晶硅薄膜太阳能电池器件。
技术规格
| 样品支架 | 尺寸 | 1-6 英寸 |
| 旋转速度 | 0-20rpm 可调 | |
| 加热温度 | ≤800℃ | |
| 控制精度 | ±0.5℃ 岛电 PID 控制器 | |
| 气体吹扫 | 流量计 | 质量流量计控制器 (MFC) |
| 通道数 | 4 个通道 | |
| 冷却方式 | 循环水冷却 | |
| 真空室 | 真空室尺寸 | Φ500mm X 550mm |
| 观察孔 | 带挡板的全视角观察孔 | |
| 腔体材料 | 316 不锈钢 | |
| 门类型 | 前开式门 | |
| 盖子材料 | 304 不锈钢 | |
| 真空泵接口 | CF200 法兰 | |
| 气体入口 | φ6 VCR 连接器 | |
| 等离子电源 | 电源 | 直流电源或射频电源 |
| 耦合模式 | 电感耦合或板电容 | |
| 输出功率 | 500W-1000W | |
| 偏置功率 | 500v | |
| 真空泵 | 前级泵 | 15L/S 片式真空泵 |
| 涡轮泵端口 | cf150/cf200 620升/秒-1600升/秒 | |
| 溢流口 | KF25 | |
| 泵速 | 叶片泵：15升/秒，涡轮泵：1200升/秒或1600升/秒 | |
| 真空度 | ≤5×10-5Pa | |
| 真空传感器 | 电离/电阻真空计/薄膜真空计 | |
| 系统 | 电源 | 交流 220V /380 50Hz |
| 额定功率 | 5kW | |
| 外形尺寸 | 900 毫米 X 820 毫米 X 870 毫米 | |
| 重量 | 200 千克 |
介绍
PECVD（等离子体增强化学气相沉积）的字面意思是：等离子体（P）增强（E）化学气相沉积（CVD）。在设备的射频（RF）作用下，活性气体转化为等离子体，发生化学反应，生成所需的薄膜材料。
一般来说，PECVD 技术制备薄膜材料主要包括以下三个薄膜生长的基本过程：首先，在非平衡等离子体中，电子与反应气体之间的一次反应使反应气体分解形成离子和活性基团的混合物；其次，各种活性基团向薄膜生长表面和管壁扩散和迁移，反应物之间的二次反应同时发生；最后，到达生长表面的各种一次反应和二次反应产物被吸附并与表面发生反应，同时伴随着气相分子的再发射。
工艺气体在射频电源的作用下电离成离子：多次碰撞后产生大量活性基团，这些活性基团吸附在基片上或取代基片表面的 H 原子；在作用下在基片表面迁移，并选择能量最低的点稳定下来；同时，基片上的原子不断脱离周围原子的桎梏，进入等离子体，实现动态平衡：当原子沉积速度超过逃逸速度时，它们可以继续留在等离子体中。基底表面就会沉积成我们需要的薄膜。
工作原理
3SiH+4NH3Si3N4+12H2↑
以低温等离子体为能源，通过一定的方法将硅片加热到预定温度，然后引入合适的反应气体。气体经过一系列化学反应和等离子体反应，在硅片表面形成一层固体薄膜。PECVD 方法与其他 CVD 方法的不同之处在于，等离子体中含有大量高能电子，可提供化学气相沉积过程所需的活化能。电子与气相分子的碰撞可促进气体分子的分解、组合、激发和电离过程，生成各种具有高活性的化学基团，从而大大降低了 CVD 薄膜沉积的温度范围，使原本需要在高温下进行的 CVD 过程
在低温下实现。
其他方法的沉积温度：
APCVD--常压 CVD，700-1000℃。
LPCVD--低压 CVD，750℃，0.1mbar
PECVD--300-450℃，0.1 毫巴
优势
节约能源，降低成本
提高生产能力
减少高温导致的硅晶片中少数载流子寿命衰减
沉积速度快
薄膜质量好
警告
操作员安全是最重要的问题！ 请小心操作设备。 使用易燃易爆或有毒气体是非常危险的，操作人员在启动设备之前必须采取所有必要的预防措施。 反应器或室内正压工作是危险的，操作人员必须严格遵守安全规程。 使用空气反应材料时，尤其是在真空下，也必须格外小心。 泄漏会将空气吸入设备并导致发生剧烈反应。
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FAQ
什么是 PECVD 方法？
什么是 Mpcvd？
PECVD 有哪些用途？
什么是 MPCVD 设备？
PECVD 有哪些优势？
Mpcvd 有哪些优势？
ALD 和 PECVD 的区别是什么？
CVD 钻石是真的还是假的？
PECVD 和溅射有什么区别？
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