CVD 和 PECVD 炉

倾斜旋转等离子体增强化学气相沉积 PECVD 设备管式炉

货号 : KT-PED

价格根据规格和定制情况变动

样品台加热温度: ≤800℃
气体吹扫通道: 4通道
真空室尺寸: Φ500mm × 550 mm

运输:

联系我们获取运输详情享受准时发货保证.

描述
下载

查看参数请求您的定制报价 👋

获取报价

在线沟通查看参数

为什么选择我们

简易的订购流程、优质的产品和专业的支持，助力您的业务成功。

流程简单品质保证专业支持

简介

等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 是一种真空薄膜沉积工艺，利用蒸气或气体作为前驱体来创建镀层。PECVD 是化学气相沉积 (CVD) 的一种变体，它利用等离子体而不是热能来激活源气体或蒸气。由于可以避免高温，可能的基材范围扩大到了低熔点材料——在某些情况下甚至包括塑料。此外，可沉积的镀膜材料范围也增加了。PECVD 用于沉积多种材料，包括电介质、半导体、金属和绝缘体。PECVD 镀层广泛应用于各种领域，包括太阳能电池、平板显示器和微电子。

应用

等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 镀膜机为各行各业和应用提供了多功能的解决方案：

LED 照明：** 为发光二极管 (LED) 沉积高质量的电介质和半导体薄膜。
功率半导体：** 在功率半导体器件中形成绝缘层、栅极氧化物和其他关键组件。
MEMS：** 制造用于微机电系统 (MEMS) 的薄膜，例如传感器和致动器。
光学镀膜：** 沉积抗反射镀膜、滤光片和其他光学组件。
薄膜太阳能电池：** 生产用于太阳能电池器件的非晶和微晶硅薄膜。
表面改性：** 增强表面性能，如耐腐蚀性、耐磨性和生物相容性。
纳米技术：** 合成纳米材料，包括纳米颗粒、纳米线和薄膜。

产品图片 1

产品图片 2

特点

等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 镀膜机具有诸多优势，可提高生产力并带来卓越的成果：

低温沉积：能够在显著低于传统 CVD 方法的温度下形成高质量薄膜，使其适用于精密基材。
高沉积速率：通过快速沉积薄膜最大化效率，减少生产时间并提高产量。
均匀且抗裂的薄膜：确保薄膜性能一致，最大限度地降低开裂风险，从而实现可靠且耐用的镀层。
优异的基材附着力：在薄膜与基材之间提供强结合力，确保长期性能并防止剥落。
多功能的镀膜能力：允许沉积广泛的材料，包括 SiO2、SiNx 和 SiOxNy，以满足不同的应用需求。
复杂几何形状的定制：适应形状复杂的基材，确保均匀镀膜和最佳性能。
低维护且易于安装：最大限度地减少停机时间并简化设置，提高生产力和成本效益。

技术规格

样品架	尺寸	1-6 英寸
	旋转速度	0-20rpm 可调
	加热温度	≤800℃
	控制精度	±0.5℃ SHIMADEN PID 控制器
气体清洗	流量计	质量流量计控制器 (MFC)
	通道数	4 通道
	冷却方式	循环水冷却
真空室	腔体尺寸	Φ500mm X 550mm
	观察窗	带挡板的全方位视窗
	腔体材质	316 不锈钢
	门类型	前开门式
	盖材质	304 不锈钢
	真空泵接口	CF200 法兰
	进气口	φ6 VCR 接头
等离子体电源	源功率	直流电源或射频电源
	耦合模式	电感耦合或极板电容耦合
	输出功率	500W—1000W
	偏压功率	500v
真空泵	前级泵	15L/S 旋片真空泵
	分子泵接口	CF150/CF200 620L/S-1600L/S
	泄压口	KF25
	抽速	旋片泵:15L/s，分子泵:1200l/s或1600l/s
	真空度	≤5×10-5Pa
	真空传感器	电离/电阻真空计/薄膜计
系统	电源	AC 220V /380 50Hz
	额定功率	5kW
	尺寸	900mm X 820mm X870mm
	重量	200kg

原理

等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 利用等离子体在沉积过程中激发化学反应，从而能够在低温下形成高质量的固体薄膜。通过采用高能等离子体，PECVD 设备提高了反应速率并降低了反应温度。该技术广泛应用于 LED 照明、功率半导体和 MEMS。它允许沉积 SiO2、SiNx、SiOxNy 和其他介质薄膜，以及在复合基材上高速沉积 SiO 厚膜。PECVD 提供优异的成膜质量，最大限度地减少针孔并降低开裂，非常适合用于生产非晶和微晶硅薄膜太阳能电池器件。

优势

沉积多种材料的能力：PECVD 可以沉积广泛的材料，包括类金刚石碳、硅化合物和金属氧化物，从而能够创建具有定制性能的薄膜。
低温操作：PECVD 在低温下运行（通常为 300-450°C），使其适用于热敏基材。
高质量薄膜：PECVD 生产的薄膜具有优异的均匀性、厚度控制和抗裂性。
优异的附着力：PECVD 沉积的薄膜对基材表现出强附着力，确保耐用性和可靠性。
保形镀膜：PECVD 能够对复杂的几何形状进行镀膜，提供均匀的覆盖和保护。
高沉积速率：PECVD 提供快速的沉积速率，提高生产力并减少生产时间。
低维护：PECVD 系统专为低维护而设计，最大限度地减少停机时间并最大化运行时间。
易于安装：PECVD 设备相对易于安装并集成到现有的生产线中。
坚固设计：PECVD 系统采用坚固的设计制造，确保稳定性和持久的性能。
延长的工作寿命：PECVD 系统专为长寿命设计，为长期薄膜沉积需求提供具有成本效益的解决方案。

警告

操作员安全是最重要的问题！请小心操作设备。使用易燃易爆或有毒气体是非常危险的，操作人员在启动设备之前必须采取所有必要的预防措施。反应器或室内正压工作是危险的，操作人员必须严格遵守安全规程。使用空气反应材料时，尤其是在真空下，也必须格外小心。泄漏会将空气吸入设备并导致发生剧烈反应。

为您而设计

KinTek为全球客户提供深度定制服务和设备，我们专业的团队和经验丰富的工程师有能力承担定制硬件和软件设备的需求，并帮助我们的客户打造专属个性化设备和解决方案！

请将您的想法告诉我们，我们的工程师已经为您准备好了！

行业领军企业信赖之选

FAQ

什么是 PECVD 方法？

PECVD（等离子体增强化学气相沉积）是半导体制造中的一种工艺，用于在微电子设备、光伏电池和显示面板上沉积薄膜。在 PECVD 过程中，前驱体以气态进入反应室，在等离子反应介质的帮助下，前驱体在比 CVD 低得多的温度下解离。PECVD 系统具有出色的薄膜均匀性、低温处理和高产能。随着对先进电子设备需求的不断增长，PECVD 系统将在半导体行业发挥越来越重要的作用。

什么是 Mpcvd？

MPCVD 是微波等离子体化学气相沉积的缩写，是一种在表面沉积薄膜的工艺。它使用真空室、微波发生器和气体输送系统来产生由反应化学品和必要催化剂组成的等离子体。在 ANFF 网络中，MPCVD 被大量用于利用甲烷和氢气沉积金刚石层，从而在金刚石种子基底上生长出新的金刚石。它是一种生产低成本、高质量大型金刚石的有前途的技术，被广泛应用于半导体和金刚石切割行业。

PECVD 有哪些用途？

PECVD（等离子体增强化学气相沉积法）广泛应用于半导体行业的集成电路制造，以及光伏、摩擦学、光学和生物医学领域。它用于沉积微电子器件、光伏电池和显示面板的薄膜。PECVD 可生产出普通 CVD 技术无法生产的独特化合物和薄膜，以及具有高耐溶剂性和耐腐蚀性、化学稳定性和热稳定性的薄膜。它还可用于生产大表面的均质有机和无机聚合物，以及用于摩擦学应用的类金刚石碳（DLC）。

什么是 MPCVD 设备？

MPCVD（微波等离子体化学气相沉积）机是一种用于生长高质量金刚石薄膜的实验室设备。它使用含碳气体和微波等离子体在金刚石基底上方形成一个等离子球，将其加热到特定温度。等离子球不接触腔壁，使金刚石的生长过程不含杂质，提高了金刚石的质量。MPCVD 系统由一个真空室、一个微波发生器和一个控制气体流入真空室的气体输送系统组成。

PECVD 有哪些优势？

PECVD 的主要优点是能够在较低的沉积温度下运行，在不平整的表面上提供更好的一致性和阶跃覆盖率，更严格地控制薄膜工艺，以及较高的沉积速率。在传统的 CVD 温度可能会损坏涂覆设备或基底的情况下，PECVD 却能成功应用。通过在较低温度下工作，PECVD 在薄膜层之间产生的应力较小，可实现高效的电气性能和高标准的接合。

Mpcvd 有哪些优势？

与其他钻石生产方法相比，MPCVD 有几个优点，如纯度更高、能耗更低、能生产更大的钻石。

ALD 和 PECVD 的区别是什么？

ALD 是一种薄膜沉积工艺，可实现原子层厚度分辨率、高纵横比表面的出色均匀性和无针孔层。这是通过在自限制反应中连续形成原子层来实现的。另一方面，PECVD 将源材料与一种或多种挥发性前驱体混合，使用等离子体对源材料进行化学作用和分解。这种工艺使用热量和较高的压力，可产生重现性更高的薄膜，薄膜厚度可通过时间/功率来控制。这些薄膜的化学计量性更高，密度更大，能够生长出更高质量的绝缘体薄膜。

CVD 钻石是真的还是假的？

CVD 钻石是真正的钻石，不是假的。它们是在实验室中通过一种名为化学气相沉积（CVD）的工艺培育而成的。与从地表下开采的天然钻石不同，CVD 钻石是在实验室中利用先进技术制造出来的。这些钻石含有 100% 的碳，是最纯净的钻石，被称为 IIa 类钻石。它们具有与天然钻石相同的光学、热学、物理和化学特性。唯一不同的是，CVD 钻石是在实验室里制造出来的，而不是从地球上开采出来的。

PECVD 和溅射有什么区别？

PECVD 和溅射都是用于薄膜沉积的物理气相沉积技术。PECVD 是一种扩散气体驱动工艺，可生成非常高质量的薄膜，而溅射则是一种视线沉积。PECVD 能更好地覆盖凹凸不平的表面，如沟槽、墙壁和高保形度表面，并能生产出独特的化合物和薄膜。另一方面，溅射有利于沉积多种材料的精细层，是制造多层和多级涂层系统的理想选择。PECVD 主要用于半导体工业、摩擦学、光学和生物医学领域，而溅射主要用于电介质材料和摩擦学应用。

查看更多该产品的问题与解答