溅射是一种多用途技术，用于各行各业的材料沉积。溅射技术有多种类型，每种技术都有独特的特点和优势。
溅射技术的 4 种主要类型
1.直流（DC）磁控溅射
直流（DC）磁控溅射是最常见的方法之一。在这种方法中，使用直流电源在低压气体环境中产生等离子体。
等离子体在需要溅射的目标材料（通常由金属或陶瓷制成）附近产生。等离子体会导致气体离子与靶材碰撞，使原子从表面脱落并喷射到气相中。
磁铁组件产生的磁场有助于提高溅射率，确保溅射材料更均匀地沉积在基底上。
溅射率可通过特定公式计算，该公式考虑的因素包括离子通量密度、单位体积内的目标原子数、目标材料的原子量等。
2.反应溅射
反应溅射涉及非惰性气体（如氧气）和元素靶材料（如硅）的结合。气体与腔体内的溅射原子发生化学反应，生成一种新的化合物作为涂层材料，而不是原来的纯目标材料。
这种技术尤其适用于在沉积过程中生成特定的化合物。
3.射频（RF）溅射
射频（RF）溅射是另一种常用方法。它使用射频功率产生等离子体，因此适用于非导电目标材料。
4.高功率脉冲磁控溅射（HiPIMS）
高功率脉冲磁控溅射（High-Power Impulse Magnetron Sputtering，HiPIMS）是一种较新的技术，它使用短的高功率脉冲来获得更高的等离子体密度和更好的薄膜性能。
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