溅射技术有多种类型,最常见的是直流(DC)磁控溅射和反应溅射。每种技术都有其独特的特点和优势。
直流(DC)磁控溅射:
在这种方法中,使用直流电源在低压气体环境中产生等离子体。等离子体在需要溅射的目标材料(通常由金属或陶瓷制成)附近产生。等离子体会导致气体离子与靶材碰撞,使原子从表面脱落并喷射到气相中。磁铁组件产生的磁场有助于提高溅射率,确保溅射材料更均匀地沉积在基底上。溅射率可通过特定公式计算,该公式考虑的因素包括离子通量密度、单位体积内的目标原子数、目标材料的原子量等。反应溅射:
这种工艺涉及非惰性气体(如氧气)与元素靶材料(如硅)的结合。气体与腔体内的溅射原子发生化学反应,生成一种新的化合物作为涂层材料,而不是原始的纯目标材料。这种技术尤其适用于在沉积过程中生成特定的化合物。
总之,虽然溅射技术有许多变体,但这里讨论的主要类型是直流磁控溅射和反应溅射。每种方法都针对特定的应用和材料,为各种工业和科学用途提供精确的沉积过程控制。