ITO（氧化铟锡）的缺点主要是成本高、供应有限以及平面靶材利用率低。此外，由于与铟的供应相关的挑战，还需要替代材料。
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成本和供应限制:ITO 价格昂贵的主要原因是稀有金属铟的成本较高。铟的稀有性以及触摸屏、显示器和太阳能电池等各种应用对 ITO 日益增长的需求，导致人们对其供应的可持续性产生担忧。这促使人们开始研究能以较低成本提供类似性能的替代材料。
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平面靶材利用率低:溅射中最常用的 ITO 靶材类型是平面靶材。然而，这些靶材的利用率相对较低，这意味着在溅射过程中会浪费很大一部分靶材材料。这种低效率不仅会增加 ITO 薄膜的成本，还会造成材料浪费。制造商正在探索新型溅射靶材，如旋转靶材，以提高利用率并减少浪费。
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需要替代材料:鉴于 ITO 在成本和供应方面面临的挑战，人们越来越需要替代性透明导电氧化物 (TCO)，这种氧化物无需依赖铟即可达到 ITO 的导电性和透明度。这项研究对于电子和可再生能源等严重依赖透明导电氧化物的行业的长期可持续发展至关重要。
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基底材料的技术挑战:虽然 ITO 可在低温下沉积，使其适用于各种基底，但在处理低熔点或聚合物基底时仍面临挑战。目前正在探索新的半导体制造技术，如室温气溶胶沉积技术，以解决这些问题，并将透明导电薄膜的适用范围扩大到传统基底之外。
总之，虽然 ITO 因其独特的导电性和透明度组合而仍然是许多高科技应用中的关键材料，但它的缺点，尤其是成本、供应问题和工艺效率低下，正推动着研究工作向寻找更具可持续性和成本效益的替代品方向发展。
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