碳化硅（SiC）的电阻率小于 0.1 欧姆-厘米，尤其是低电阻率 CVD（化学气相沉积）碳化硅。这种低电阻率是其适用于半导体制造和其他高温、高应力环境中各种应用的关键特性。
碳化硅电阻率解析：
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材料成分和结构： 碳化硅由碳原子和硅原子的四面体组成，晶格中的键很强。这种结构不仅使碳化硅非常坚硬和牢固，而且还影响其电气性能。强共价键使碳化硅的电阻率很低，因为这些键有利于电荷载体在材料中的移动。
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导电性： 碳化硅的低电阻率与其导电性直接相关。在所提供的参考文献中，低电阻率碳化硅被描述为体积电阻率小于 0.1 欧姆-厘米。这种电阻率水平表明碳化硅是一种相当好的导电体，这对其在晶片加工室、加热器和静电吸盘中的应用至关重要，因为导电性在这些应用中至关重要。
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应用和优点： 碳化硅的低电阻率使其非常适合用于需要导电性、耐磨性和抗热震性的环境中。例如，在半导体制造中，SiC 可用于感应器、加工室和气体分布板。它的高效导电能力有助于控制和分配晶片的能量，从而提高沉积和蚀刻工艺的精度和效率。
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热和化学特性： 除了电气性能外，SiC 还具有高热导率（120-270 W/mK）、低热膨胀性和高抗热震性。这些特性加上高温下的化学惰性和强度保持性，使碳化硅成为高温应用中的一种多功能材料。高温下形成的保护性氧化硅涂层进一步增强了其耐久性和抗化学侵蚀性。
总之，碳化硅的电阻率，尤其是低电阻率形式的碳化硅，是其在高科技产业中广泛应用的关键因素。碳化硅的低电阻率及其机械和热性能，使其成为既要求导电性又要求高温耐久性的先进技术应用的首选材料。
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