反应溅射是等离子溅射大类中的一种专门技术，用于在基底上沉积化合物材料薄膜。标准溅射使用惰性气体将目标材料中的原子直接喷射到基底上，而反应溅射则不同，它将反应气体引入溅射室。这种活性气体与目标材料中的溅射原子发生化学反应，形成一种新的化合物，然后沉积到基底上。
反应溅射的机理：
在反应溅射中，目标材料（通常是金属或半导体）被置于真空室中。真空室中充满了氧气或氮气等低压活性气体，而不是像标准溅射那样完全抽空。反应性气体被电离并带正电。当施加高压时，带正电的气体离子与目标材料碰撞，导致原子从目标材料中喷射出来。这些喷出的原子随后与腔室中的反应气体发生反应，形成化合物，然后沉积到基底上。化学反应和控制：
溅射原子与反应气体之间的化学反应对于形成所需的化合物薄膜至关重要。例如，如果目标材料是硅，反应气体是氧，则反应会形成氧化硅，然后沉积下来。沉积薄膜的成分和特性，如化学计量、应力和折射率，可以通过调整惰性气体和反应气体的相对压力来控制。这种控制对于优化薄膜的功能特性至关重要。
挑战与控制参数：
反应溅射的特点是具有类似滞后的行为，因此要找到理想的操作条件具有挑战性。该过程需要仔细控制几个参数，包括惰性气体和反应气体的分压、流速和靶材的侵蚀速率。伯格模型（Berg Model）等模型有助于估计添加反应气体的影响并优化沉积过程。
应用和系统配置：
