产品 热能设备 CVD 和 PECVD 炉 RF PECVD 系统 射频等离子体增强化学气相沉积 RF PECVD
RF PECVD 系统 射频等离子体增强化学气相沉积 RF PECVD

CVD 和 PECVD 炉

RF PECVD 系统 射频等离子体增强化学气相沉积 RF PECVD

货号 : KT-RFPE

价格根据 规格和定制情况变动


频率
射频频率13.56兆赫兹
加热温度
最高200摄氏度
真空室尺寸
直径420毫米×400毫米
ISO & CE icon

运输:

联系我们 获取运输详情 享受 准时发货保证.

查看参数

为什么选择我们

简易的订购流程、优质的产品和专业的支持,助力您的业务成功。

流程简单 品质保证 专业支持

简介

射频等离子体增强化学气相沉积(RF PECVD)是一种利用等离子体增强化学气相沉积过程的薄膜沉积技术。该工艺用于沉积各种材料,包括金属、电介质和半导体。RF PECVD 是一种多功能技术,可用于沉积具有广泛性能的薄膜,包括厚度、成分和形貌。

应用

RF-PECVD 作为薄膜沉积领域的一项革命性技术,在以下各个行业中得到广泛应用:

  • 光学元件和器件的制造
  • 半导体器件的制造
  • 防护涂层的生产
  • 微电子和 MEMS 的开发
  • 新型材料的合成

组件和功能

射频等离子体增强化学气相沉积(RF PECVD)是一种利用射频发生器产生等离子体,使前驱体气体电离,从而在衬底上沉积薄膜的技术。电离的气体相互反应,沉积在衬底上形成薄膜。RF PECVD 通常用于在锗和硅衬底上沉积类金刚石碳(DLC)薄膜,用于 3-12 微米的红外波长范围的应用。

该设备由真空室、真空泵系统、阴极和阳极靶材、射频源、充气混合系统、计算机控制柜系统等组成,可实现无缝一键镀膜、工艺存储与调用、报警功能、信号与阀门切换以及全面的工艺操作记录。

详情和示例

rf pecvd system
RF PECVD 系统
RF PECVD thin film growing
RF PECVD 薄膜生长
RF PECVD coating test 1
RF PECVD 涂层测试 1
RF PECVD coating
RF PECVD 涂层

特点

RF-PECVD 系统射频等离子体增强化学气相沉积的特点:

  • 一键镀膜:简化镀膜过程,方便用户操作。
  • 工艺存储与调用:允许用户保存和调用工艺参数,确保结果一致。
  • 报警功能:在镀膜过程中出现任何问题或错误时提醒用户,最大限度地减少停机时间。
  • 信号与阀门切换:精确控制镀膜过程,使用户能够获得所需的结果。
  • 全面的工艺操作记录:记录所有工艺参数,方便跟踪和分析镀膜过程。
  • 真空室、真空泵系统、阴极和阳极靶材、射频源、充气混合系统、计算机控制柜系统:确保镀膜过程稳定可控的环境。

优点

  • 低温高质量薄膜沉积,适用于对温度敏感的衬底。
  • 精确控制薄膜厚度和成分。
  • 在复杂几何形状上实现均匀和共形薄膜沉积。
  • 低颗粒污染和高纯度薄膜。
  • 可扩展且经济高效的工艺,适用于大批量生产。
  • 环保工艺,产生的有害废物最少。

技术规格

主要设备部分

设备形式
  • 箱体式:水平顶盖开启门,沉积室和排气室整体焊接;
  • 整机:主机和电控柜一体化设计(真空室在左,电控柜在右)。
真空室
  • 尺寸:Ф420mm(直径)× 400 mm(高度);采用 0Cr18Ni9 优质 SUS304 不锈钢制成,内表面抛光,做工精细,无粗焊缝,腔壁有冷却水管;
  • 抽气口:双层 304 不锈钢网,前后间隔 20mm,高阀杆防污挡板,排气口处有均气板,防止污染;
  • 密封和屏蔽方式:上腔门和下腔通过密封圈密封真空,外部使用不锈钢网管隔离射频源,屏蔽射频信号对人体的危害;
  • 观察窗:前后侧各安装一个 120mm 观察窗,防污玻璃耐高温抗辐射,便于观察衬底;
  • 气流模式:腔体左侧由分子泵抽气,右侧充气形成对流工作模式,确保气体均匀流向靶材表面并进入等离子体区域,充分电离沉积碳膜;
  • 腔体材料:真空腔体和排气口采用 0Cr18Ni9 优质 SUS304 不锈钢材料,顶盖采用高纯铝材以减轻顶部重量。
主机骨架
  • 采用型钢(材质:Q235-A)制成,腔体和电控柜一体化设计。
水冷系统
  • 管道:主进出水分配管采用不锈钢管;
  • 球阀:所有冷却部件通过 304 球阀单独供水,进出水管有颜色区分和相应标识,出水管的 304 球阀可单独开启和关闭;靶材、射频电源、腔壁等均配备水流保护,并有断水报警,防止水管堵塞。所有水流报警均在工控机上显示;
  • 水流显示:下靶材有水流和温度监测,温度和水流在工控机上显示;
  • 冷热水温度:腔壁镀膜时,通入 10-25 度的冷水冷却,开门时通入 30-55 度的热水预热。
控制柜
  • 结构:采用立式柜,仪表安装柜为 19 英寸国际标准控制柜,其他电器元件安装柜为大面板结构带后门;
  • 面板:控制柜内主要电器元件均选用通过 CE 认证或 ISO9001 认证的厂家产品。在面板上安装一套电源插座;
  • 连接方式:控制柜与主机为连体结构,左侧为腔体,右侧为控制柜,底部配有专用线槽,高低压、射频信号分开布线,减少干扰;
  • 低压电器:法国施耐德空气开关和接触器,确保设备供电可靠;
  • 插座:控制柜内安装备用插座和仪表插座。

真空系统

极限真空
  • 常压至 2×10-4 Pa≤24 小时(室温下,真空室清洁)。
恢复真空时间
  • 常压至 3×10 -3 Pa≤15 分钟(室温下,真空室清洁,带挡板、伞架,无衬底)。
压升率
  • ≤1.0×10 -1 Pa/h
真空系统配置
  • 泵组组成:机械泵 BSV30(宁波博仕)+ 罗茨泵 BSJ70(宁波博仕)+ 分子泵 FF-160(北京);
  • 抽气方式:采用软抽装置抽气(减少抽气过程中对衬底的污染);
  • 管道连接:真空系统管道采用 304 不锈钢,管道软连接采用;
  • 金属波纹管;各真空阀门均为气动阀;
  • 进气口:为防止蒸发过程中薄膜材料污染分子泵并提高抽速,在腔体进气口与工作腔之间设置了易于拆卸和清洁的活动隔离板。
真空系统测量
  • 真空显示:三低一高(3 组 ZJ52 规 + 1 组 ZJ27 规);
  • 高真空计:在真空箱抽气腔靠近工作腔顶部安装 ZJ27 离子规,测量范围为 1.0×10 -1 Pa 至 5.0×10 -5 Pa;
  • 低真空计:在真空箱抽气腔顶部安装一套 ZJ52 规,另一套安装在粗抽管路上。测量范围为 1.0×10 +5 Pa 至 5.0×10 -1 Pa;
  • 工作规:在腔体上安装 CDG025D-1 电容薄膜计,测量范围为 1.33×10 -1 Pa 至 1.33×10 +2 Pa,沉积和镀膜过程中的真空检测,与恒定真空蝶阀配合使用。
真空系统操作 真空手动和真空自动两种模式可选;
  • 日本欧姆龙 PLC 控制所有泵、真空阀门的动作以及充气停止阀工作之间的联锁关系,确保设备在误操作时能自动保护;
  • 高阀、低阀、预阀、高阀旁通阀、到位信号均送 PLC 控制信号,确保更全面的联锁功能;
  • PLC 程序可对整机各故障点进行报警功能,如气压、水流、门信号、过流保护信号等,并报警,以便快速方便地查找问题;
  • 15 英寸触摸屏作为上位机,PLC 作为下位机进行监控和阀门控制。各部件和各种信号的在线监测及时反馈给组态软件进行分析判断,并记录;
  • 真空异常或断电时,分子泵应返回关闭状态。真空阀门设有联锁保护功能,各气缸进气口设有截止阀调节装置,并设有位置传感器显示气缸的关闭状态;
真空测试
  • 根据 GB11164 真空镀膜机通用技术条件。

加热系统

  • 加热方式:碘钨灯加热方式;
  • 功率调节器:数字功率调节器;
  • 加热温度:最高温度 200°C,功率 2000W/220V,可控可调显示,±2°C 控制;
  • 连接方式:快速插拔,金属屏蔽罩防污,隔离电源,确保人员安全。

射频电源

  • 频率:射频频率 13.56MHZ;
  • 功率:0-2000W 连续可调;
  • 功能:全自动阻抗匹配功能调节,全自动调节保持反射功能极低,内部反射在 0.5% 以内,具有手动和自动转换调节功能;
  • 显示:具有偏压电压、CT 电容位置、RT 电容位置、设定功率、反射功能显示,具有通信功能,与触摸屏通信,在组态软件上设置和显示参数,调谐线显示等。

阴极阳极靶材

  • 阳极靶材:采用 φ300mm 铜基板作为阴极靶材,工作时温度较低,无需冷却水;
  • 阴极靶材:φ200mm 铜水冷阴极靶材,工作时温度较高,内部通水冷却,确保工作时温度一致,阳极与阴极靶材最大距离为 100-250mm。

充气控制

  • 流量计:采用四路英国流量计,流量为 0-200SCCM,带压力显示,通信设置参数,可设置气体种类;
  • 截止阀:七星华创 DJ2C-VUG6 截止阀,与流量计配合工作,混合气体,通过环形充气装置充入腔体,均匀流过靶材表面;
  • 预级储气瓶:主要为冲洗转换瓶,将 C4H10 液体气化,然后进入流量计前级管路。储气瓶有压力数字显示 DSP 仪表,进行超压和低压报警提示;
  • 混合气缓冲瓶:缓冲瓶在后级混合四种气体。混合后从缓冲瓶输出一路到腔体底部,一路到腔体顶部,其中一路可独立关闭;
  • 充气装置:腔体气路出口处的均匀气体管道,均匀充入靶材表面,使镀层均匀性更好。

控制系统

  • 触摸屏:以 TPC1570GI 触摸屏作为上位机 + 键盘鼠标;
  • 控制软件:表格化工艺参数设置,报警参数显示,真空参数显示及曲线显示,射频电源和直流电源参数设置及显示,所有阀门和开关工作状态记录,工艺记录,报警记录,真空记录参数,可保存约半年,整个设备工艺操作以 1 秒保存参数;
  • PLC:采用欧姆龙 PLC 作为下位机,采集各部件和到位开关数据,控制阀门和各部件,然后与组态软件进行数据交互、显示和控制。这样更安全可靠;
  • 控制状态:一键镀膜、自动真空、自动恒压、自动加热、自动多层工艺沉积、自动完成取放件等工作;
  • 触摸屏优点:触摸屏控制软件不可更改,运行稳定操作更方便灵活,但存储数据量有限,参数可直接导出,当工艺出现问题时; 6. 报警:采用声光报警方式,并在组态报警参数库中记录报警。可供日后随时查询,保存的数据可随时查询调用。

恒定真空

  • 蝶阀恒定真空:DN80 蝶阀配合 Inficon CDG025 电容薄膜计工作恒定真空,缺点是阀口易污染不易清洗;
  • 阀位模式:设置位置控制模式。

水、电、气

  • 主进出水管采用不锈钢材质,并配备应急进水口;
  • 真空室外所有水冷管均采用不锈钢快换固定接头和塑料高压(优质水管,可长期使用不漏不破),进出水塑料高压水管应显示不同颜色并有相应标识;品牌 Airtek;
  • 真空室内部所有水冷管均采用优质 SUS304 材料;
  • 水路和气路分别安装安全可靠、高精度显示的压力和气压仪表。
  • 配备 8P 冰水机用于碳膜机水循环。
  • 配备一套 6KW 热水机,开门时热水流过腔体。

安全防护要求

  • 机器配有报警装置;
  • 当水压或气压未达到规定流量时,所有真空泵和阀门均受保护,无法启动,并发出声光报警和红色信号灯提示;
  • 机器在正常工作过程中,当水压或气压突然不足时,所有阀门将自动关闭,并发出声光报警和红色信号灯提示;
  • 操作系统异常时(高压、离子源、控制系统),会有声光报警和红色信号灯提示;
  • 高压开启时,有保护报警装置。

工作环境要求

  • 环境温度:10~35℃;
  • 相对湿度:不大于 80%;
  • 设备周围环境清洁,空气洁净。不得有灰尘或可能引起电器及其他金属表面腐蚀或金属间导电的气体。

设备电源要求

  • 水源:工业软水,水压 0.2~0.3Mpa,水量约 60L/min,进水温度≤25°C;水管连接 1.5 英寸;
  • 气源:气压 0.6MPa;
  • 电源:三相五线制 380V,50Hz,电压波动范围:线电压 342 ~ 399V,相电压 198 ~ 231V;频率波动范围:49 ~ 51Hz;设备功耗:约 16KW;接地电阻≤ 1Ω;
  • 吊装要求:自备 3 吨行车,吊装门不小于 2000X2200mm

警告

操作员安全是最重要的问题! 请小心操作设备。 使用易燃易爆或有毒气体是非常危险的,操作人员在启动设备之前必须采取所有必要的预防措施。 反应器或室内正压工作是危险的,操作人员必须严格遵守安全规程。 使用空气反应材料时,尤其是在真空下,也必须格外小心。 泄漏会将空气吸入设备并导致发生剧烈反应。

为您而设计

KinTek为全球客户提供深度定制服务和设备,我们专业的团队和经验丰富的工程师有能力承担定制硬件和软件设备的需求,并帮助我们的客户 打造专属个性化设备和解决方案!

请将您的想法告诉我们,我们的工程师已经为您准备好了!

行业领军企业信赖之选

我们的合作客户

FAQ

什么是 PECVD 方法?

PECVD(等离子体增强化学气相沉积)是半导体制造中的一种工艺,用于在微电子设备、光伏电池和显示面板上沉积薄膜。在 PECVD 过程中,前驱体以气态进入反应室,在等离子反应介质的帮助下,前驱体在比 CVD 低得多的温度下解离。PECVD 系统具有出色的薄膜均匀性、低温处理和高产能。随着对先进电子设备需求的不断增长,PECVD 系统将在半导体行业发挥越来越重要的作用。

PECVD 有哪些用途?

PECVD(等离子体增强化学气相沉积法)广泛应用于半导体行业的集成电路制造,以及光伏、摩擦学、光学和生物医学领域。它用于沉积微电子器件、光伏电池和显示面板的薄膜。PECVD 可生产出普通 CVD 技术无法生产的独特化合物和薄膜,以及具有高耐溶剂性和耐腐蚀性、化学稳定性和热稳定性的薄膜。它还可用于生产大表面的均质有机和无机聚合物,以及用于摩擦学应用的类金刚石碳(DLC)。

PECVD 有哪些优势?

PECVD 的主要优点是能够在较低的沉积温度下运行,在不平整的表面上提供更好的一致性和阶跃覆盖率,更严格地控制薄膜工艺,以及较高的沉积速率。在传统的 CVD 温度可能会损坏涂覆设备或基底的情况下,PECVD 却能成功应用。通过在较低温度下工作,PECVD 在薄膜层之间产生的应力较小,可实现高效的电气性能和高标准的接合。

ALD 和 PECVD 的区别是什么?

ALD 是一种薄膜沉积工艺,可实现原子层厚度分辨率、高纵横比表面的出色均匀性和无针孔层。这是通过在自限制反应中连续形成原子层来实现的。另一方面,PECVD 将源材料与一种或多种挥发性前驱体混合,使用等离子体对源材料进行化学作用和分解。这种工艺使用热量和较高的压力,可产生重现性更高的薄膜,薄膜厚度可通过时间/功率来控制。这些薄膜的化学计量性更高,密度更大,能够生长出更高质量的绝缘体薄膜。

PECVD 和溅射有什么区别?

PECVD 和溅射都是用于薄膜沉积的物理气相沉积技术。PECVD 是一种扩散气体驱动工艺,可生成非常高质量的薄膜,而溅射则是一种视线沉积。PECVD 能更好地覆盖凹凸不平的表面,如沟槽、墙壁和高保形度表面,并能生产出独特的化合物和薄膜。另一方面,溅射有利于沉积多种材料的精细层,是制造多层和多级涂层系统的理想选择。PECVD 主要用于半导体工业、摩擦学、光学和生物医学领域,而溅射主要用于电介质材料和摩擦学应用。
查看更多该产品的问题与解答

产品资料

RF PECVD 系统 射频等离子体增强化学气相沉积 RF PECVD

分类目录

Cvd 和 Pecvd 炉


获取报价

我们的专业团队将在一个工作日内回复您。请随时与我们联系!

相关产品

化学气相沉积 CVD 设备系统 腔体滑动式 PECVD 管式炉 带液体汽化器 PECVD 机

化学气相沉积 CVD 设备系统 腔体滑动式 PECVD 管式炉 带液体汽化器 PECVD 机

KT-PE12 滑动式 PECVD 系统:功率范围宽,可编程温度控制,带滑动系统实现快速升降温,配备 MFC 质量流量控制和真空泵。

查看详情
倾斜旋转等离子体增强化学气相沉积 PECVD 设备管式炉

倾斜旋转等离子体增强化学气相沉积 PECVD 设备管式炉

隆重推出我们的倾斜旋转 PECVD 炉,用于精确的薄膜沉积。享受自动匹配电源、PID 可编程温度控制和高精度 MFC 质量流量计控制。内置安全功能,让您高枕无忧。

查看详情
倾斜旋转等离子体增强化学气相沉积 PECVD 设备管式炉

倾斜旋转等离子体增强化学气相沉积 PECVD 设备管式炉

使用 PECVD 镀膜设备升级您的镀膜工艺。非常适合 LED、功率半导体、MEMS 等应用。可在低温下沉积高质量固体薄膜。

查看详情
915MHz MPCVD金刚石设备 微波等离子体化学气相沉积系统反应器

915MHz MPCVD金刚石设备 微波等离子体化学气相沉积系统反应器

915MHz MPCVD金刚石设备及其多晶有效生长,最大面积可达8英寸,单晶最大有效生长面积可达5英寸。该设备主要用于生产大尺寸多晶金刚石薄膜、长单晶金刚石的生长、高质量石墨烯的低温生长以及其他需要微波等离子体提供生长能量的材料。

查看详情
分体式真空站化学气相沉积系统设备管式炉

分体式真空站化学气相沉积系统设备管式炉

高效分体式真空站CVD炉,便于样品检查和快速冷却。最高温度1200℃,配备精确的MFC质量流量计控制。

查看详情
微波等离子体化学气相沉积MPCVD设备系统反应器,用于实验室和金刚石生长

微波等离子体化学气相沉积MPCVD设备系统反应器,用于实验室和金刚石生长

使用我们的钟罩谐振腔MPCVD设备,实现高质量金刚石薄膜的实验室和金刚石生长。了解微波等离子体化学气相沉积如何利用碳气和等离子体生长金刚石。

查看详情
用于微波等离子体化学气相沉积和实验室金刚石生长的圆柱形谐振腔MPCVD设备系统反应器

用于微波等离子体化学气相沉积和实验室金刚石生长的圆柱形谐振腔MPCVD设备系统反应器

了解圆柱形谐振腔MPCVD设备,这是一种用于珠宝和半导体行业中生长金刚石宝石和薄膜的微波等离子体化学气相沉积方法。了解其相对于传统HPHT方法的成本效益优势。

查看详情
HFCVD设备用于拉丝模具纳米金刚石涂层

HFCVD设备用于拉丝模具纳米金刚石涂层

纳米金刚石复合涂层拉丝模具以硬质合金(WC-Co)为基材,采用化学气相沉积法(简称CVD法)在模具内孔表面涂覆常规金刚石和纳米金刚石复合涂层。

查看详情
多区域CVD管式炉 化学气相沉积腔体系统设备

多区域CVD管式炉 化学气相沉积腔体系统设备

KT-CTF14多区域CVD炉 - 精确的温度控制和气体流量,适用于高级应用。最高温度可达1200℃,配备4通道MFC质量流量计和7英寸TFT触摸屏控制器。

查看详情
客户定制多功能CVD管式炉化学气相沉积腔体系统设备

客户定制多功能CVD管式炉化学气相沉积腔体系统设备

获取您专属的KT-CTF16客户定制多功能CVD炉。可定制滑动、旋转和倾斜功能,实现精确反应。立即订购!

查看详情
XRF & KBR 压片机自动实验室液压机

XRF & KBR 压片机自动实验室液压机

KinTek 自动实验室压片机可快速轻松地制备 XRF 样品片。适用于 X 射线荧光分析,结果通用且准确。

查看详情
实验室液压压片机,适用于XRF KBR FTIR实验室应用

实验室液压压片机,适用于XRF KBR FTIR实验室应用

使用电动液压压片机高效制备样品。结构紧凑,便携,非常适合实验室使用,并可在真空环境下工作。

查看详情
多功能电解电化学槽 水浴 单层 双层

多功能电解电化学槽 水浴 单层 双层

探索我们高品质的多功能电解槽水浴。有单层或双层可选,具有优异的耐腐蚀性。提供 30ml 至 1000ml 容量。

查看详情
电子束蒸发镀膜无氧铜坩埚和蒸发舟

电子束蒸发镀膜无氧铜坩埚和蒸发舟

电子束蒸发镀膜无氧铜坩埚可实现多种材料的精确共沉积。其受控的温度和水冷设计可确保纯净高效的薄膜沉积。

查看详情
真空感应熔炼旋转系统电弧熔炼炉

真空感应熔炼旋转系统电弧熔炼炉

使用我们的真空熔炼旋转系统,轻松开发亚稳态材料。非常适合非晶和微晶材料的研究和实验工作。立即订购,获得有效结果。

查看详情
实验室CVD掺硼金刚石材料

实验室CVD掺硼金刚石材料

CVD掺硼金刚石:一种多功能材料,可实现定制的导电性、光学透明度和卓越的热性能,适用于电子、光学、传感和量子技术领域。

查看详情
实验室快速热处理(RTP)石英管炉

实验室快速热处理(RTP)石英管炉

使用我们的RTP快速加热管式炉,实现闪电般的快速加热。专为精确、高速的加热和冷却设计,配备便捷的滑动导轨和TFT触摸屏控制器。立即订购,获得理想的热处理效果!

查看详情
带9MPa气压的真空热处理和烧结炉

带9MPa气压的真空热处理和烧结炉

气压烧结炉是用于烧结先进陶瓷材料的高科技设备。它结合了真空烧结和压力烧结技术,以实现高密度、高强度的陶瓷。

查看详情
电子枪束坩埚 蒸发用电子枪束坩埚

电子枪束坩埚 蒸发用电子枪束坩埚

在电子枪束蒸发过程中,坩埚是用于盛装和蒸发待沉积到基板上的材料的容器或源支架。

查看详情

相关文章

等离子体在 PECVD 涂层中的作用

等离子体在 PECVD 涂层中的作用

PECVD(等离子体增强化学气相沉积)是一种薄膜沉积工艺,广泛用于在各种基底上制作涂层。在这种工艺中,等离子体被用来在基底上沉积各种材料的薄膜。

查看更多
等离子体增强化学气相沉积 (PECVD):综合指南

等离子体增强化学气相沉积 (PECVD):综合指南

了解有关等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 的所有知识,这是一种用于半导体行业的薄膜沉积技术。探索其原理、应用和优势。

查看更多
了解 PECVD 方法

了解 PECVD 方法

PECVD 是一种等离子体增强化学气相沉积工艺,广泛用于生产各种用途的薄膜。

查看更多
为什么 PECVD 对微电子设备制造至关重要?

为什么 PECVD 对微电子设备制造至关重要?

等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是微电子设备制造中常用的薄膜沉积技术。

查看更多
用于 TiN 和 Si3N4 沉积的 PECVD 的详细工艺和参数

用于 TiN 和 Si3N4 沉积的 PECVD 的详细工艺和参数

深入探讨 TiN 和 Si3N4 的 PECVD 工艺,包括设备设置、操作步骤和关键工艺参数。

查看更多
PECVD 技术:原理、材料、优势和应用

PECVD 技术:原理、材料、优势和应用

深入分析 PECVD 技术及其原理、材料、工艺参数、优势和在各行业的应用。

查看更多
比较 PECVD 和 HPCVD 在涂层应用中的性能

比较 PECVD 和 HPCVD 在涂层应用中的性能

虽然 PECVD 和 HFCVD 都可用于涂层应用,但它们在沉积方法、性能和特定应用的适用性方面存在差异。

查看更多
PECVD 工艺分步指南

PECVD 工艺分步指南

PECVD 是一种化学气相沉积工艺,利用等离子体来增强气相前驱体与基底之间的化学反应。

查看更多
PECVD 纳米涂层技术在电子器件中的应用

PECVD 纳米涂层技术在电子器件中的应用

PECVD 纳米涂层技术可提高各种电子设备的耐用性和可靠性。

查看更多
优化微机电系统设备的 PECVD 涂层工艺

优化微机电系统设备的 PECVD 涂层工艺

为 MEMS 设备中的高质量氧化硅和氮化硅薄膜配置和优化 PECVD 工艺的指南。

查看更多
PECVD 一种低成本、可扩展的二维材料制备方法

PECVD 一种低成本、可扩展的二维材料制备方法

等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是一种低成本、可扩展的二维材料制备方法。

查看更多
了解 PECVD:等离子体增强化学气相沉积指南

了解 PECVD:等离子体增强化学气相沉积指南

PECVD 是一种制造薄膜涂层的有用技术,因为它可以沉积包括氧化物、氮化物和碳化物在内的多种材料。

查看更多

热门标签