CVD 和 PECVD 炉
射频等离子体增强化学气相沉积系统 射频等离子体增强化学气相沉积系统
货号 : KT-RFPE
价格根据 规格和定制情况变动
- 频率
- 射频频率 13.56MHZ
- 加热温度
- 最高 200°C
- 真空室尺寸
- Ф420 毫米 × 400 毫米
运输:
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RF-PECVD 是 "射频等离子体增强化学气相沉积 "的缩写。它能在锗和硅基底上沉积 DLC（类金刚石碳膜）。其波长范围为 3-12um 红外线。
该工艺使用射频发生器，通过电离硅烷和氮气等前驱气体混合物产生等离子体。等离子能将前驱气体分解成活性物质，这些活性物质相互反应并沉积到基底上。在射频 PECVD 技术中使用等离子体能可在较低温度下沉积高质量薄膜，因此该工艺适用于硅晶片等对温度敏感的基底。
组件和功能
该设备由真空室、真空泵系统、阴极和阳极靶、射频源、充气式气体混合系统、计算机控制柜系统等组成，可实现无缝一键镀膜、过程存储和检索、报警功能、信号和阀门切换以及全面的过程操作记录。
详情和示例
技术规格
主要设备部件
| 设备形式 |
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| 真空室 |
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| 主机骨架 |
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| 水冷系统 |
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| 控制柜 |
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真空系统
| 极限真空 |
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| 恢复真空时间 |
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| 压力上升率 |
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| 真空系统配置 |
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| 真空系统测量 |
|
| 真空系统操作 | 有真空手动和真空自动选择两种模式；
|
| 当真空度异常或电源切断时，真空阀的分子泵应恢复到关闭状态。真空阀设有联锁保护功能，每个气缸的进气口设有截止阀调节装置，并有位置设置传感器显示气缸的关闭状态； |
|
按 GB11164 真空镀膜机通用技术条件执行。
- 加热系统
- 加热方式：碘钨灯加热方式；
- 功率调节器：数字功率调节器；
- 加热温度：最高温度 200°C，功率 2000W/220V，可控可调显示，±2°C 控制；
连接方式：快插快取，金属屏蔽罩防污，电源隔离，确保人员安全。
- RF 射频电源
- 频率：射频频率 13.56MHZ；
- 功率：0-2000W 连续可调；
- 功能：全自动阻抗匹配功能调节，全自动调节以保持极低的工作反射功能，内部反射在 0.5% 以内，具有手动和自动转换调节功能；
显示：带偏置电压、CT 电容位置、RT 电容位置、设定功率、反射功能显示，带通信功能，可与触摸屏通信，在组态软件上设置和显示参数，调谐线显示等。
- 阴极阳极靶
- 阳极靶：采用φ300mm 铜基板作为阴极靶，工作时温度低，无需冷却水；
阴极靶：φ200mm 铜制水冷阴极靶，工作时温度较高，内部为冷却水，确保工作时温度一致，阳极与阴极靶之间的最大距离为 100-250mm。
- 充气控制
- 流量计：采用英国四通流量计，流量为 0-200SCCM，带压力显示，通讯设置参数，可设置气体种类；
- 截止阀：启明星华创 DJ2C-VUG6 截止阀，与流量计配合，混合气体，通过环形充气装置充入腔体，均匀流经靶面；
- 前级储气瓶：主要是冲洗转换瓶，将 C4H10 液体气化后，进入流量计的前级管道。储气瓶内有压力数显 DSP 仪表，进行超压、低压报警提示；
- 混合气体缓冲瓶：缓冲瓶在后级与四种气体混合。混合后从缓冲瓶一路输出到腔体底部，一路输出到顶部，其中一路可独立关闭；
充气装置：腔体气路出口处的均匀气体管道，均匀地向目标表面充气，使涂层均匀性更好。
- 控制系统
- 触摸屏：以 TPC1570GI 触摸屏为主机 + 键盘和鼠标；
- 控制软件：表格式工艺参数设置、报警参数显示、真空参数显示和曲线显示、射频电源和直流直流电源参数设置和显示、所有阀门和开关工作状态记录、工艺记录、报警记录、真空记录参数，可保存半年左右，整套设备的工艺操作在 1 秒钟内保存参数；
- PLC：采用欧姆龙 PLC 作为下位机，采集各种元器件和在位开关、控制阀及各种元器件的数据，通过组态软件进行数据交互、显示和控制。这样更加安全可靠；
- 控制状态：一键镀膜、自动抽真空、自动恒真空、自动加热、自动多层工艺沉积、自动完成取件等工作；
触摸屏的优点：触摸屏控制软件不可更改，操作稳定更方便灵活，但存储数据量有限，参数可直接导出，工艺出现问题时可直接导出； 6.报警：采用声光报警方式，在配置报警参数库中记录报警。今后可随时查询，保存的数据可随时查询调用。
- 恒定真空
- 蝶阀恒真空：DN80 蝶阀与 Inficon CDG025 电容式薄膜规配合可实现恒真空工作，缺点是阀口易污染，清洗困难；
阀门位置模式：设置位置控制模式。
- 水、电、气
- 主进水管和出水管均由不锈钢制成，并配有应急进水口；
- 真空室外所有水冷管均采用不锈钢快换固定接头和塑料高压水管（优质水管，可长期使用不漏水、不断裂），进出水口塑料高压水管应显示两种不同颜色，并有相应标识；品牌为 Airtek；
- 真空室内部的所有水冷管均由优质 SUS304 材料制成；
- 水路和气路分别安装有安全可靠、高精度显示的水压和气压仪表。
- 配备 8P 冷水机，用于碳膜机的水流。
配备一套 6KW 热水机，开门时，热水会流过房间。
- 安全保护要求
- 机器配有报警装置；
- 当水压或气压达不到规定流量时，所有真空泵和阀门受到保护，不能启动，并有报警声和红色信号灯提示；
- 机器正常工作时，当水压或气压突然不足时，所有阀门自动关闭，并发出报警声和红色信号灯提示；
- 当操作系统（高压、离子源、控制系统）异常时，会发出报警声和红色信号灯提示；
高压接通，有保护报警装置。
- 工作环境要求
- 环境温度：10～35℃;
- 相对湿度：不大于 80%；
设备周围环境清洁，空气清新。不应有可能对电器和其他金属表面造成腐蚀或导致金属间导电的灰尘或气体。
- 设备电源要求
- 水源：工业软水，水压 0.2~0.3Mpa，水量~60L/min，进水温度≤25℃；水管接口 1.5 英寸；
- 气源：气压 0.6MPa；
- 电源： 三相五线制 380V，50Hz，电压波动范围：线电压 342 ~ 399V，相电压 198 ~ 231V；频率波动范围：49 ~ 51Hz；设备功耗~16KW；接地电阻≤1Ω；
警告
操作员安全是最重要的问题！ 请小心操作设备。 使用易燃易爆或有毒气体是非常危险的，操作人员在启动设备之前必须采取所有必要的预防措施。 反应器或室内正压工作是危险的，操作人员必须严格遵守安全规程。 使用空气反应材料时，尤其是在真空下，也必须格外小心。 泄漏会将空气吸入设备并导致发生剧烈反应。
为您而设计
KinTek为全球客户提供深度定制服务和设备，我们专业的团队和经验丰富的工程师有能力承担定制硬件和软件设备的需求，并帮助我们的客户 打造专属个性化设备和解决方案！
请将您的想法告诉我们，我们的工程师已经为您准备好了！
FAQ
什么是物理气相沉积（PVD）？
什么是 CVD 炉？
化学气相沉积（CVD）是一种利用加热、等离子体激发或光辐射等各种能源，使气态或气态化学物质在气相或气固界面上发生化学反应，从而在反应器中形成固态沉积物的技术。简单地说，就是将两种或两种以上的气态原料引入反应室，然后相互反应形成新的材料，并沉积在基片表面。
CVD炉是由高温管式炉单元、气体控制单元和真空单元组成的组合炉系统，广泛应用于复合材料制备、微电子工艺、半导体光电、太阳能利用、光纤通信、超导技术、防护涂层等领域的实验和生产。
什么是射频 PECVD？
什么是 PECVD 方法？
用于沉积薄膜的方法有哪些？
什么是磁控溅射？
PACVD 如何工作？
什么是 Mpcvd？
CVD 炉是如何工作的？
CVD炉系统由高温管式炉单元、反应气源精确控制单元、真空泵站和相应的组装部件组成。
真空泵用于排除反应管内的空气，确保反应管内没有多余的气体，然后管式炉将反应管加热到目标温度，反应气源精确控制单元可将不同的气体以设定的比例引入炉管内进行化学反应，在CVD炉内形成化学气相沉积。
CVD 的基本原理是什么？
什么是溅射靶材？
射频 PECVD 如何工作？
PECVD 有哪些用途？
什么是薄膜沉积设备？
为什么选择磁控溅射？
PACVD 是 PECVD 吗？
什么是 MPCVD 设备？
在 CVD 过程中使用哪种气体？
CVD过程中可以使用的气源非常多，常见的CVD化学反应包括热解、光解、还原、氧化、氧化还原，因此这些化学反应中涉及的气体都可以用于CVD过程。
我们以CVD石墨烯生长为例，CVD过程中使用的气体有CH4、H2、O2和N2。
有哪些不同类型的 CVD 方法？
如何制造溅射靶材？
射频 PECVD 有哪些优势？
PECVD 有哪些优势？
什么是薄膜沉积技术？
用于薄膜沉积的材料有哪些？
薄膜沉积通常使用金属、氧化物和化合物作为材料，每种材料都有其独特的优缺点。金属因其耐用性和易于沉积而受到青睐，但价格相对昂贵。氧化物非常耐用，可耐高温，并可在低温下沉积，但可能比较脆，难以操作。化合物具有强度和耐久性，可在低温下沉积，并可定制以显示特定性能。
薄膜涂层材料的选择取决于应用要求。金属是热传导和电传导的理想材料，而氧化物则能有效提供保护。可根据具体需求定制化合物。最终，特定项目的最佳材料将取决于应用的具体需求。
使用 PACVD 有哪些优势？
Mpcvd 有哪些优势？
CVD 系统的优势是什么？
- 可根据需要制备金属膜、非金属膜和多组分合金膜等多种薄膜。同时，它还能制备出其他方法难以获得的高质量晶体，如 GaN、BP 等。可同时沉积大量成分均匀的涂层，这是液相外延（LPE）和分子束外延（MBE）等其他制膜方法所无法比拟的。
- 工作条件在常压或低真空条件下进行，因此涂层衍射效果好，形状复杂的工件也能得到均匀的涂层，这一点比 PVD 优越得多。
- 由于反应气体、反应产物和基材之间的相互扩散，可获得附着力良好的涂层，这对于制备耐磨膜和防腐蚀膜等表面强化膜至关重要。
- 有些薄膜的生长温度远低于薄膜材料的熔点。
- 有些薄膜的生长温度远低于薄膜材料的熔点，在低温生长条件下，反应气体和反应器壁及其所含杂质几乎不发生反应，因此可以获得纯度高、结晶度好的薄膜。
- 化学气相沉积可以获得光滑的沉积表面。这是因为与 LPE 相比，化学气相沉积（CVD）是在高饱和度下进行的，成核率高，成核密度大，且在整个平面上分布均匀，因此能获得宏观光滑的表面。
- 低辐射损伤，这是制造金属氧化物半导体（MOS）和其他器件的必要条件
使用化学气相沉积设备有哪些优势？
溅射靶材有哪些用途？
ALD 和 PECVD 的区别是什么？
使用薄膜沉积设备有哪些优势？
实现最佳薄膜沉积的方法有哪些？
要获得具有理想特性的薄膜，高质量的溅射靶材和蒸发材料至关重要。
溅射靶材或蒸发材料的纯度起着至关重要的作用，因为杂质会导致生成的薄膜出现缺陷。晶粒大小也会影响薄膜的质量，晶粒越大，薄膜的性能越差。
要获得最高质量的溅射靶材和蒸发材料，选择纯度高、晶粒度小、表面光滑的材料至关重要。
薄膜沉积的用途
氧化锌薄膜
氧化锌薄膜可应用于热学、光学、磁学和电气等多个行业，但其主要用途是涂层和半导体器件。
磁性薄膜
磁性薄膜是电子、数据存储、射频识别、微波设备、显示器、电路板和光电子技术的关键元件。
光学薄膜
光学镀膜和光电子技术是光学薄膜的标准应用。分子束外延可以生产光电薄膜设备（半导体），外延薄膜是一个原子一个原子地沉积到基底上的。
聚合物薄膜
聚合物薄膜可用于存储芯片、太阳能电池和电子设备。化学沉积技术（CVD）可精确控制聚合物薄膜涂层，包括一致性和涂层厚度。
薄膜电池
薄膜电池为植入式医疗设备等电子设备提供动力，由于薄膜的使用，锂离子电池的发展突飞猛进。
薄膜涂层
薄膜涂层可增强各行业和技术领域目标材料的化学和机械特性。
薄膜太阳能电池
薄膜太阳能电池对于太阳能产业至关重要，它可以生产相对廉价的清洁电力。光伏系统和热能是两种主要的适用技术。
PACVD 的常见应用有哪些？
CVD 钻石是真的还是假的？
PECVD 代表什么？
等离子体化学气相沉积（PECVD）是利用等离子体激活反应气体，促进基片表面或近表面空间发生化学反应，生成固体薄膜的技术。等离子体化学气相沉积技术的基本原理是，在射频或直流电场的作用下，源气体电离形成等离子体，以低温等离子体为能源，引入适量的反应气体，利用等离子体放电激活反应气体，实现化学气相沉积。
根据等离子体的产生方式，可分为射频等离子体、直流等离子体和微波等离子体 CVD 等......
PECVD 是什么意思？
化学气相沉积设备有哪些应用？
什么是电子溅射靶材？
PECVD 和溅射有什么区别？
选择薄膜沉积设备时应考虑哪些因素？
影响薄膜沉积的因素和参数
沉积速率：
薄膜的生成速率（通常以厚度除以时间来衡量）对于选择适合应用的技术至关重要。对于薄膜而言，适度的沉积速率就足够了，而对于厚膜而言，快速沉积速率则是必要的。在速度和精确薄膜厚度控制之间取得平衡非常重要。
均匀性：
薄膜在基底上的一致性称为均匀性，通常指薄膜厚度，但也可能与折射率等其他属性有关。
填充能力：
填充能力或台阶覆盖率是指沉积工艺对基底形貌的覆盖程度。所使用的沉积方法（如 CVD、PVD、IBD 或 ALD）对台阶覆盖率和填充有重大影响。
薄膜特性：
薄膜的特性取决于应用要求，可分为光子、光学、电子、机械或化学要求。大多数薄膜必须满足一个以上类别的要求。
制程温度：
薄膜特性受制程温度的影响很大，这可能受到应用的限制。
损坏：
每种沉积技术都有可能损坏沉积在其上的材料，而较小的特征更容易受到制程损坏。污染、紫外线辐射和离子轰击都是潜在的损坏源。了解材料和工具的局限性至关重要。
选择 PACVD 系统时应考虑哪些因素？
CVD 和 PECVD 的区别是什么？
PECVD与传统CVD技术的区别在于等离子体中含有大量高能电子，可以提供化学气相沉积过程中所需的活化能，从而改变了反应体系的供能方式。由于等离子体中的电子温度高达 10000K，电子与气体分子之间的碰撞可促进反应气体分子的化学键断裂和重组，从而生成更多的活性化学基团，而整个反应体系则保持较低的温度。
因此，与 CVD 工艺相比，PECVD 可以在较低的温度下进行相同的化学气相沉积过程。
选择化学气相沉积设备时应考虑哪些因素？
溅射靶材的使用寿命有多长？
操作薄膜沉积设备有哪些安全注意事项？
化学气相沉积机能否用于多层薄膜沉积？
4.7
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