MPCVD
用于微波等离子体化学气相沉积和实验室金刚石生长的圆柱形谐振腔MPCVD设备系统反应器
货号 : KTWB315
价格根据 规格和定制情况变动
- 微波功率
- 微波频率 2450±15MHZ
- 输出功率
- 1～10 KW 连续可调
- 微波泄漏
- ≤2MW/cm2
- 输出波导接口
- WR340, 430 with FD-340, 430 standard flange
- 样品架
- 样品台直径≥72mm，有效使用面积≥66 mm
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MPCVD代表微波等离子体化学气相沉积。它是一种利用含碳气体和微波等离子体在实验室中生长高质量金刚石薄膜的方法。
MPCVD系统
MPCVD（微波等离子体化学气相沉积）系统是将薄膜沉积到基板表面的工艺过程。该系统包括一个进行沉积过程的真空室、一个微波发生器和一个气体输送系统。微波发生器用于在真空室内部产生等离子体，用于分解气体并在基板上沉积。
微波发生器通常是磁控管或速调管，其产生频率为2.45 GHz的微波。微波通过石英窗口耦合到真空室。
气体输送系统由质量流量控制器（MFC）组成，用于控制气体流入真空室的流量。MFC的单位是标准立方厘米每分钟（sccm）。
基板温度由等离子体的位置控制，并通过热电偶测量。等离子体用于加热基板，并通过热电偶监测温度，以确保基板在沉积过程中处于所需的温度。
应用
MPCVD是生产低成本、高质量大尺寸金刚石的有前途的技术。
金刚石的独特性能，包括其硬度、刚度、高导热性、低热膨胀性、耐辐射性和化学惰性，使其成为一种有价值的材料。
尽管具有巨大潜力，但天然和合成高压高温金刚石的高成本、尺寸限制和杂质控制困难限制了其应用。
MPCVD是生长金刚石宝石和薄膜的主要设备。
金刚石薄膜生长可以是单晶或多晶，广泛应用于半导体行业的大尺寸金刚石衬底以及金刚石切割或钻孔工具行业。
与用于实验室生长金刚石的HPHT方法相比，微波CVD方法在以更低的成本实现大尺寸金刚石生长方面具有优势，是半导体金刚石、光学金刚石生长以及大型珠宝金刚石市场需求的理想解决方案。
MPCVD的优势
MPCVD是一种金刚石合成方法，与其他方法（如HFCVD和DC-PJ CVD）相比具有多项优势。它避免了高温丝的金刚石污染，并允许使用多种气体以满足不同的工业需求。与DC-PJ CVD相比，它能够平滑连续地调节微波功率并稳定控制反应温度，从而避免了由于电弧和火焰熄灭导致晶种从基板上脱落。MPCVD方法具有大面积稳定放电等离子体，被认为是工业应用中最有前途的金刚石合成方法。
通过MPCVD生产的金刚石比使用HPHT方法生产的金刚石纯度更高，并且生产过程消耗的能量更少。此外，MPCVD方法有利于生产更大尺寸的金刚石。
我们的MPCVD系统的优势
我们多年来深耕行业，因此拥有庞大的客户群，他们信任并使用我们的设备。我们的MPCVD设备已稳定运行超过40,000小时，表现出卓越的稳定性、可靠性、可重复性和成本效益。我们MPCVD系统的更多优势包括：
- 3英寸基板生长区域，最大批量负载可达45颗金刚石
- 1-10千瓦可调输出微波功率，降低电力消耗
- 经验丰富的研发团队，提供前沿的金刚石生长配方支持
- 为零金刚石生长经验的团队提供独家技术支持计划
通过利用我们积累的先进技术，我们对MPCVD系统进行了多轮升级和改进，显著提高了效率并降低了设备成本。因此，我们的MPCVD设备在技术进步方面处于领先地位，并以具有竞争力的价格提供。欢迎咨询。
工作流程
MPCVD设备在特定压力下引入反应气体（如CH4、H2、Ar、O2、N2等），同时控制每个气体路径的流量和腔体压力。在稳定气流后，6KW固态微波发生器产生微波，然后通过波导引入腔体。
反应气体在微波场下转化为等离子体状态，形成一个悬浮在金刚石基板上方的等离子体球。等离子体的高温将基板加热到特定温度。腔体内产生的多余热量由水冷单元散发。
为了确保MPCVD单晶金刚石生长过程的最佳生长条件，我们调整功率、气体源成分和腔体压力等因素。此外，由于等离子体球不接触腔体壁，金刚石生长过程不受杂质污染，从而提高了金刚石的质量。
细节与部件
微波系统
反应室
气体流量系统
真空和传感器系统
技术规格
| 微波系统 |
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| 反应室 |
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| 样品台 |
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| 气体流量系统 |
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| 冷却系统 |
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| 温度传感器 |
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| 控制系统 |
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| 可选功能 |
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警告
操作员安全是最重要的问题！ 请小心操作设备。 使用易燃易爆或有毒气体是非常危险的，操作人员在启动设备之前必须采取所有必要的预防措施。 反应器或室内正压工作是危险的，操作人员必须严格遵守安全规程。 使用空气反应材料时，尤其是在真空下，也必须格外小心。 泄漏会将空气吸入设备并导致发生剧烈反应。
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