碳化硅（SiC）并不是一种良好的电绝缘体；事实上，某些形式的碳化硅，尤其是通过化学气相沉积（CVD）技术生产的碳化硅，具有较低的电阻，使其成为合理的导电体。这种特性在 "低电阻率 CVD 碳化硅 "中尤为明显，其体积电阻率小于 0.1 欧姆-厘米。
碳化硅导电性说明：
碳化硅的导电性受其生产方法和特定加工条件的影响。特别是 CVD 碳化硅，其电阻非常低，约为 1 欧姆-厘米，因此被归类为导体而非绝缘体。这种低电阻是由于高纯度和精确控制的沉积工艺，使得材料中阻碍电子流动的缺陷和杂质更少。受益于 SiC 导电性的应用：
CVD 碳化硅的导电特性为半导体行业开辟了多种应用领域。碳化硅可用于对导电性要求极高的元件，如感应器、加工室、配气板和静电夹头。此外，由于其导电性能，可使用电火花加工（EDM）方法制造精密零件，尤其适用于制造高宽比的小孔。
与一般碳化硅特性对比：
虽然 CVD 碳化硅具有导电性能，但需要注意的是，并非所有形式的碳化硅都具有导电性能。普通碳化硅，尤其是烧结或反应结合型碳化硅，可能具有绝缘性能，具体取决于其纯度和微观结构。碳化硅在高温空气中形成的氧化硅保护层也会增强其绝缘性能。
