薄膜制造方法有哪些？Pvd 与 Cvd 技术指南

从核心来看，薄膜制造主要通过两大类技术实现：物理气相沉积 (PVD) 和化学气相沉积 (CVD)。在 PVD 中，固态或液态源材料通过加热或离子轰击物理转化为蒸汽，然后凝结在基底上形成薄膜。相比之下，CVD 使用前驱体气体，这些气体在基底表面发生化学反应，逐分子地构建薄膜。

选择制造方法并非要找到“最佳”技术，而是要理解其根本的权衡。物理方法就像用原子进行喷漆，而化学方法则像用气体云中的原子级乐高积木进行搭建。每种方法都适用于不同的材料、所需的性能和应用。

基础：所有薄膜如何生长

在比较具体方法之前，了解每种技术都必须处理的薄膜生长的三个普遍步骤至关重要。最终薄膜的质量完全取决于在原子层面控制这些现象。

吸附是第一步，即气相中的原子或分子附着在基底表面。为了使薄膜生长，沉积速率（由方法控制）必须大于原子可能弹开的速率。

一旦原子落在表面，它们不会立即固定。它们拥有热能，使其能够在表面移动，这一过程称为表面扩散。这种移动对于在薄膜的晶体结构中找到并稳定在一个低能量位置至关重要，从而形成更高质量、更有序的薄膜。

解吸是吸附原子从表面脱离并返回气相的过程。虽然这看起来适得其反，但一定程度的解吸实际上可以提高薄膜质量，因为它允许弱键合或位置不当的原子离开，从而促进更均匀的结构。

PVD 技术将块状源材料（“靶材”）的原子物理性地喷射出来，这些原子随后通过低压环境并沉积到基底上。这是一个视线过程，很像喷漆。

这是最简单的 PVD 方法之一。在高真空下，源材料被加热直至蒸发（或升华）。这些汽化原子沿直线传播，直到撞击到较冷的基底，在那里凝结形成薄膜。它相对简单，但对薄膜结构的控制不如其他方法。

溅射是工业上的主力军。在这种方法中，源材料的靶材受到高能离子（通常是氩气等惰性气体）的轰击。这种轰击就像原子级的喷砂机，物理性地将原子从靶材上撞击下来。这些“溅射”出的原子随后沉积到基底上，形成致密且附着力强的薄膜。

CVD 利用化学反应从头开始构建薄膜。将一种或多种挥发性前驱体气体引入反应室。当这些气体与加热的基底接触时，它们会发生反应或分解，留下所需材料的固体薄膜。

MBE 是一种高度复杂、超高真空技术，可对薄膜生长提供极致的控制。它涉及将原子或分子束导向加热的晶体基底。沉积速度非常慢且精确——通常每秒不到一个原子层——这使得能够生长完美的单晶薄膜（外延）。虽然有时因其物理传输而被归类为 PVD 方法，但其分子源和高纯度生长的使用与化学原理相符。

虽然大多数 PVD 和 CVD 方法在真空或气相中进行，但薄膜也可以从液体溶液中生长。

PVD 和 CVD 之间的选择取决于最终薄膜的要求以及成本和基底材料等实际限制。

CVD 通常对薄膜的纯度和晶体结构提供卓越的控制。由于它是一个化学过程，杂质更容易去除，并且像 MBE 这样的技术可以实现完美的原子分层。PVD 薄膜有时会掺入腔室中的气体原子，并且容易在复杂形状的部件上产生“阴影”效应。

CVD 通常需要较高的基底温度来驱动表面必要的化学反应。PVD 通常可以在低得多的温度下进行，使其成为涂覆塑料或预制电子元件等热敏材料的理想选择。

PVD 具有极强的多功能性，可用于沉积几乎任何材料，包括难以通过化学方法汽化的元素、合金和化合物。CVD 仅限于那些可以合成合适、稳定且通常昂贵的前驱体气体的材料。

CVD 擅长创建共形涂层——即使在高度复杂、非平坦的表面上也能均匀覆盖的薄膜。由于前驱体气体可以流入并反应到微小特征内部，因此覆盖率极佳。视线 PVD 在这方面表现不佳，通常会使沟槽和悬垂物涂层不良。

选择制造方法需要在所需的薄膜性能与材料和应用的实际情况之间取得平衡。

通过理解物理传输与化学反应的基本原理，您可以自信地选择最符合您的技术和经济目标的制造方法。

方法	关键原理	最适合
PVD（物理气相沉积）	物理汽化固体靶材；视线沉积。	耐磨涂层、热敏基底、材料多功能性。
CVD（化学气相沉积）	前驱体气体在基底表面发生化学反应。	原子级精度、高纯度薄膜、复杂 3D 形状上的均匀涂层。