石墨烯的剥离有多种方法，每种方法都有其独特的特性和应用。这些方法包括液相剥离、SiC 受控升华、化学气相沉积（CVD）和机械剥离。
液相剥离法 涉及使用具有适当表面张力的溶剂来稳定从块状石墨生产的石墨烯薄片。这种工艺通常使用非水性溶剂，如 n-甲基-2-吡咯烷酮（NMP）或添加了表面活性剂的水溶液。剥离的能量最初由超声波角超声提供，但高剪切力的使用越来越多。产量通常较低，因此需要使用离心分离法来分离单层和少层石墨烯薄片。
受控升华碳化硅 是一种主要用于电子工业生产外延石墨烯的方法。该工艺包括在超高真空中使用电子束或电阻加热对碳化硅基片进行热分解。硅解吸后，表面多余的碳重新排列，形成六方晶格。然而，这种方法成本高昂，而且大规模生产需要大量的硅。
化学气相沉积（CVD） 是一种使用生长基底和碳氢化合物气源的多功能方法。在镍等碳溶解度高的金属中，可通过碳扩散和分离实现，在铜等碳溶解度低的金属中，则可通过表面吸附实现。CVD 特别适合生产大面积、高质量的单层石墨烯，而且成本相对较低。
机械剥离机械剥离法由 Geim 和 Novoselov 进行了著名的演示，包括使用胶带从石墨上剥离石墨烯层。由于这种方法的可扩展性有限，而且无法控制剥离层的数量，因此主要用于基础研究。
这些方法各有利弊，选择哪种方法取决于应用的具体要求，例如需要大面积、高质量且缺陷最小的石墨烯。
通过 KINTEK SOLUTION 探索石墨烯研究和生产的终极剥离解决方案。我们的尖端方法包括液相剥离、SiC 受控升华、CVD 和机械剥离，可满足您对高质量、大面积石墨烯的特定需求。请相信先进材料加工领域的专家，现在就提升您的研究水平--立即探索 KINTEK SOLUTION 的全面剥离技术。
