不同类型的溅射包括直流二极管溅射、射频二极管溅射、磁控二极管溅射和离子束溅射。
1.直流二极管溅射：在直流二极管溅射中，使用 500-1000 V 的直流电压在靶材和基材之间点燃低压氩气等离子体。正氩离子将原子从靶材中析出，然后迁移到基片上并在那里凝结。不过，这种工艺只能溅射导电体，而且溅射率较低。
2.射频二极管溅射：射频二极管溅射涉及使用射频（RF）功率在目标和基底之间产生等离子体。射频功率用于电离氩气，并将离子加速射向靶材，从而引起溅射。与直流二极管溅射相比，这种方法的溅射率更高，可用于导电和绝缘材料。
3.磁控二极管溅射：磁控二极管溅射是射频二极管溅射的一种变体，在靶表面附近施加磁场。磁场会捕获目标附近的电子，从而提高等离子体密度并增加溅射率。这种方法通常用于沉积具有高附着力和高密度的金属膜。
4.离子束溅射：离子束溅射是利用高能离子束从目标材料中溅射出原子。离子束是通过电离氩气等气体并加速离子射向靶材而产生的。这种方法可以精确控制溅射过程，通常用于沉积污染程度低的高质量薄膜。
每种溅射方法都有自己的优势和局限性，选择哪种方法取决于涂层应用的具体要求。
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