产品 热能设备 CVD 和 PECVD 炉 带液体气化器的滑动 PECVD 管式炉 PECVD 设备
带液体气化器的滑动 PECVD 管式炉 PECVD 设备

CVD 和 PECVD 炉

带液体气化器的滑动 PECVD 管式炉 PECVD 设备

货号 : KT-PE12

价格根据 规格和定制情况变动


最高温度
1200 ℃
恒定工作温度
1100 ℃
炉管直径
60 毫米
加热区长度
1x450 毫米
加热速率
0-20 ℃/min
滑动距离
600 毫米
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运输:

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应用

KT-PE12 带液体气化器的滑动 PECVD 系统由一个 500W 射频等离子源、一个 TF-1200 滑动炉、4 个 MFC 气体精确控制单元和一个标准真空站组成。炉腔轨道滑动系统,可实现快速加热和快速冷却,可选配辅助强制空气循环风扇,加快冷却速度;可选配滑动自动工作装置;最高工作温度可达 1200℃。工作温度最高可达 1200℃,炉管为一根直径 60 毫米的石英管;4 通道 MFC 质量流量计,气源为 CH4、H2、O2 和 N2;真空站为一台 4L/S 旋片真空泵,最大真空压力可达 10P。真空压力可达 10Pa。

优势

  • 射频等离子体自动匹配源,5-500W 宽输出功率范围,输出稳定
  • 高速加热和短时间冷却的炉腔滑动系统,可提供辅助快速冷却和自动滑动功能
  • PID 可编程温度控制,控制精度高,支持远程控制和集中控制
  • 高精度 MFC 质量流量计控制,源气预混,供气速度稳定
  • 不锈钢真空法兰,多种适配接口,满足不同真空泵站设置,密封性好,真空度高
  • CTF Pro 采用一个 7 英寸 TFT 触摸屏控制器,程序设置和历史数据分析更友好

提供不同温度和设置的 CVD 系统

带液体气化器的滑动式 PECVD 系统
带液体气化器的滑动式 PECVD 系统
带双分管炉的滑动式 PECVD 系统
带双分管炉的滑动式 PECVD 系统
带大直径管的分体式 PECVD 系统
带大直径管的分体式 PECVD 系统
带高真空站的 4 通道 MFC PECVD 系统
带高真空站的 4 通道 MFC PECVD 系统

安全优势

  • Kindle Tech 管式炉具有过流保护和过温报警功能,炉子会自动关闭电源
  • 管式炉内置热耦合检测功能,一旦检测到破损或故障,管式炉将停止加热并报警
  • PE Pro 支持断电重启功能,故障后接通电源时,窑炉将恢复窑炉加热程序

技术规格

炉子型号 KT-PE12-60
最高温度 1200℃
恒定工作温度 1100℃
炉管材料 高纯度石英
炉管直径 60 毫米
加热区长度 1x450 毫米
炉腔材料 日本氧化铝纤维
加热元件 Cr2Al2Mo2 金属丝线圈
加热速率 0-20℃/min
热电偶 内置 K 型
温度控制器 数字 PID 控制器/触摸屏 PID 控制器
温度控制精确度 ±1℃
滑动距离 600 毫米
射频等离子装置
输出功率 5 -500W 可调,稳定性为 ± 1%
射频频率 13.56 MHz ±0.005% 稳定度
反射功率 最大 350W
匹配 自动
噪音 <50 分贝
冷却 空气冷却
气体精确控制装置
流量计 MFC 质量流量计
气体通道 4 个通道
流量 MFC1: 0-5SCCM O2
mfc2: 0-20scmch4
mfc3: 0- 100sccm h2
mfc4: 0-500 sccm n2
线性度 ±0.5% F.S.
重复性 ±0.2% F.S.
管路和阀门 不锈钢
最大工作压力 0.45 兆帕
流量计控制器 数字旋钮控制器/触摸屏控制器
标准真空装置(可选)
真空泵 旋片式真空泵
泵流量 4 升/秒
真空吸入口 KF25
真空规 皮拉尼/电阻硅真空计
额定真空压力 10Pa
高真空单元(可选)
真空泵 旋片泵+分子泵
泵流量 4L/S+110L/S
真空吸入口 KF25
真空规 复合真空计
额定真空压力 6x10-5Pa
以上规格和设置可定制

标准包装

编号 说明 数量
1 熔炉 1
2 石英管 1
3 真空法兰 2
4 导管隔热块 2
5 导管隔热块挂钩 1
6 耐热手套 1
7 射频等离子源 1
8 精确气体控制 1
9 真空装置 1
10 操作手册 1

可选设置

  • 管内气体检测和监控,如 H2、O2 等
  • 独立炉温监控和记录
  • RS 485 通信端口,用于 PC 远程控制和数据输出
  • 插入式气体进料流量控制,如质量流量计和浮子流量计
  • 触摸屏温度控制器,具有方便操作的多种功能
  • 高真空泵站设置,如叶片真空泵、分子泵和扩散泵

警告

操作员安全是最重要的问题! 请小心操作设备。 使用易燃易爆或有毒气体是非常危险的,操作人员在启动设备之前必须采取所有必要的预防措施。 反应器或室内正压工作是危险的,操作人员必须严格遵守安全规程。 使用空气反应材料时,尤其是在真空下,也必须格外小心。 泄漏会将空气吸入设备并导致发生剧烈反应。

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FAQ

什么是 PECVD 方法?

PECVD(等离子体增强化学气相沉积)是半导体制造中的一种工艺,用于在微电子设备、光伏电池和显示面板上沉积薄膜。在 PECVD 过程中,前驱体以气态进入反应室,在等离子反应介质的帮助下,前驱体在比 CVD 低得多的温度下解离。PECVD 系统具有出色的薄膜均匀性、低温处理和高产能。随着对先进电子设备需求的不断增长,PECVD 系统将在半导体行业发挥越来越重要的作用。

什么是 Mpcvd?

MPCVD 是微波等离子体化学气相沉积的缩写,是一种在表面沉积薄膜的工艺。它使用真空室、微波发生器和气体输送系统来产生由反应化学品和必要催化剂组成的等离子体。在 ANFF 网络中,MPCVD 被大量用于利用甲烷和氢气沉积金刚石层,从而在金刚石种子基底上生长出新的金刚石。它是一种生产低成本、高质量大型金刚石的有前途的技术,被广泛应用于半导体和金刚石切割行业。

PECVD 有哪些用途?

PECVD(等离子体增强化学气相沉积法)广泛应用于半导体行业的集成电路制造,以及光伏、摩擦学、光学和生物医学领域。它用于沉积微电子器件、光伏电池和显示面板的薄膜。PECVD 可生产出普通 CVD 技术无法生产的独特化合物和薄膜,以及具有高耐溶剂性和耐腐蚀性、化学稳定性和热稳定性的薄膜。它还可用于生产大表面的均质有机和无机聚合物,以及用于摩擦学应用的类金刚石碳(DLC)。

什么是 MPCVD 设备?

MPCVD(微波等离子体化学气相沉积)机是一种用于生长高质量金刚石薄膜的实验室设备。它使用含碳气体和微波等离子体在金刚石基底上方形成一个等离子球,将其加热到特定温度。等离子球不接触腔壁,使金刚石的生长过程不含杂质,提高了金刚石的质量。MPCVD 系统由一个真空室、一个微波发生器和一个控制气体流入真空室的气体输送系统组成。

PECVD 有哪些优势?

PECVD 的主要优点是能够在较低的沉积温度下运行,在不平整的表面上提供更好的一致性和阶跃覆盖率,更严格地控制薄膜工艺,以及较高的沉积速率。在传统的 CVD 温度可能会损坏涂覆设备或基底的情况下,PECVD 却能成功应用。通过在较低温度下工作,PECVD 在薄膜层之间产生的应力较小,可实现高效的电气性能和高标准的接合。

Mpcvd 有哪些优势?

与其他钻石生产方法相比,MPCVD 有几个优点,如纯度更高、能耗更低、能生产更大的钻石。

ALD 和 PECVD 的区别是什么?

ALD 是一种薄膜沉积工艺,可实现原子层厚度分辨率、高纵横比表面的出色均匀性和无针孔层。这是通过在自限制反应中连续形成原子层来实现的。另一方面,PECVD 将源材料与一种或多种挥发性前驱体混合,使用等离子体对源材料进行化学作用和分解。这种工艺使用热量和较高的压力,可产生重现性更高的薄膜,薄膜厚度可通过时间/功率来控制。这些薄膜的化学计量性更高,密度更大,能够生长出更高质量的绝缘体薄膜。

CVD 钻石是真的还是假的?

CVD 钻石是真正的钻石,不是假的。它们是在实验室中通过一种名为化学气相沉积(CVD)的工艺培育而成的。与从地表下开采的天然钻石不同,CVD 钻石是在实验室中利用先进技术制造出来的。这些钻石含有 100% 的碳,是最纯净的钻石,被称为 IIa 类钻石。它们具有与天然钻石相同的光学、热学、物理和化学特性。唯一不同的是,CVD 钻石是在实验室里制造出来的,而不是从地球上开采出来的。

PECVD 和溅射有什么区别?

PECVD 和溅射都是用于薄膜沉积的物理气相沉积技术。PECVD 是一种扩散气体驱动工艺,可生成非常高质量的薄膜,而溅射则是一种视线沉积。PECVD 能更好地覆盖凹凸不平的表面,如沟槽、墙壁和高保形度表面,并能生产出独特的化合物和薄膜。另一方面,溅射有利于沉积多种材料的精细层,是制造多层和多级涂层系统的理想选择。PECVD 主要用于半导体工业、摩擦学、光学和生物医学领域,而溅射主要用于电介质材料和摩擦学应用。
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