CVD 和 PECVD 炉
客户定制多功能CVD管式炉化学气相沉积腔体系统设备
货号 : KT-CTF16
价格根据 规格和定制情况变动
- 最高温度
- 1600 ℃
- 恒定工作温度
- 1550 ℃
- 炉管直径
- 60 mm
- 加热区
- 3x300 mm
- 升温速率
- 0-10 ℃/min
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引言
CVD管式炉是一种用于化学气相沉积（CVD）过程的高温炉。它具有多个加热区，可实现精确的温度控制，一个高真空泵，用于为CVD过程创建真空环境，以及一个质量流量气体控制站，用于混合气体并将其输入炉管。该炉能够达到1200°C的温度，并具有10^-7 torr的极限真空度。它常用于半导体行业，用于沉积各种材料的薄膜，包括绝缘材料、金属材料和金属合金材料。
应用
多区CVD管式炉广泛应用于各种研究和工业应用中，包括：
- 纳米材料合成：CVD管式炉是生长纳米线和制备纳米薄膜的理想选择，这对于开发具有独特性能的先进材料至关重要。
- 涂层技术：它广泛用于金属薄膜、陶瓷薄膜和复合薄膜的沉积，这对于增强各种材料的表面性能至关重要。
- 电池材料加工：该炉适用于电池材料的干燥和烧结，这是生产高性能储能器件的关键步骤。
- 高温烧结：它用于高温气氛烧结和气氛还原过程，这是材料致密化所必需的。
- 真空镀膜：该炉的高真空能力使其非常适合真空镀膜应用，在这些应用中，涂层的纯度和质量至关重要。
- 研发：大学和科研机构利用这些设备进行材料科学领域的广泛实验，包括CVD/CVI（化学气相渗透）研究。
- 工业应用：在工业环境中，CVD管式炉用于需要精确温度控制和气体管理的工艺，例如在半导体行业。
- 等离子清洗和蚀刻：该设备的通用性允许扩展功能以包括等离子清洗和蚀刻，这对于在沉积前准备基板至关重要。
特点
CVD管式炉是一种多功能、高性能的炉子，非常适合各种研究和工业应用。凭借其先进的功能和能力，该炉可以帮助您在工作中取得最佳结果。
- 多区温控：该炉具有多区温控功能，可精确控制炉内不同区域的温度。这对于需要创建特定温度曲线或梯度的应用至关重要。
- 高温能力：该炉可达1200°C的高温，非常适合各种应用。这种高温能力使得进行CVD、扩散和其他热处理等要求苛刻的工艺成为可能。
- 真空或气氛保护：该炉可在真空或气氛保护下使用，适用于各种应用。这种通用性使得进行需要特定气氛或真空环境的工艺成为可能。
- 易于使用：该炉易于使用，具有用户友好的界面和直观的控件。即使是经验有限的用户也能轻松设置和操作该炉。
- 紧凑设计：该炉体积小巧轻便，易于在各种空间安装和使用。这种紧凑的设计使其成为实验室和其他空间受限环境的理想选择。
原理
化学气相沉积（CVD）是一种薄膜沉积技术，其中固体材料从气相沉积到基板上。基板被加热到高温，然后将含有所需材料的气体引入腔室。气体与基板发生反应，并将所需的材料沉积在表面上。
CVD管式炉用于CVD工艺。炉子由一个加热管组成，通常由石英或氧化铝制成。基板放置在管内，气体被引入管内。气体流过管子并与基板反应，将所需的材料沉积在表面上。
CVD管式炉可用于沉积各种材料，包括金属、氧化物、氮化物和碳化物。该工艺用于制造半导体、太阳能电池和其他电子设备。
提供不同温度和设置的CVD系统
原理
CVD管式炉基于化学气相沉积原理运行，利用高真空系统和精确的质量流量控制器，在受控条件下促进各种薄膜的沉积。它采用射频辉光技术实现高沉积速率，并采用先进的加热技术实现均匀的薄膜分布。
优点
- 高温均匀性：多区设计确保炉内温度分布均匀，这对于CVD工艺至关重要。
- 精确的温度控制：数字温度控制器可精确控制炉温，这对于可重复和可靠的结果至关重要。
- 高真空能力：10^-7 torr的极限真空度可去除反应腔内的污染物，这对于高质量的CVD薄膜是必需的。
- 易于使用：用户友好的界面使炉子易于操作，即使对于没有经验的用户也是如此。
- 多功能：该炉可用于各种CVD工艺，包括金属沉积、半导体加工和碳纳米管合成。
- 紧凑设计：该炉的紧凑设计使其成为空间受限实验室的理想选择。
- 价格实惠：该炉价格具有竞争力，物超所值。
技术规格
| 炉型 | KT-CTF16-60 |
|---|---|
| 最高温度 | 1600℃ |
| 恒定工作温度 | 1550℃ |
| 炉管材质 | 高纯氧化铝管 |
| 炉管直径 | 60mm |
| 加热区 | 3x300mm |
| 腔体材质 | 氧化铝多晶纤维 |
| 加热元件 | 碳化硅 |
| 升温速率 | 0-10℃/min |
| 热电偶 | S型 |
| 温控器 | 数字PID控制器/触摸屏PID控制器 |
| 温度控制精度 | ±1℃ |
| 气体精确控制单元 | |
| 流量计 | MFC质量流量计 |
| 气体通道 | 3通道 |
| 流量 | MFC1: 0-5SCCM O2 MFC2: 0-20SCMCH4 MFC3: 0- 100SCCM H2 MFC4: 0-500 SCCM N2 |
| 线性度 | ±0.5% F.S. |
| 重复性 | ±0.2% F.S. |
| 管道和阀门 | 不锈钢 |
| 最大工作压力 | 0.45MPa |
| 流量计控制器 | 数字旋钮控制器/触摸屏控制器 |
| 标准真空单元（可选） | |
| 真空泵 | 旋片真空泵 |
| 泵流量 | 4L/S |
| 真空吸入口 | KF25 |
| 真空计 | 皮拉尼/电阻硅真空计 |
| 额定真空压力 | 10Pa |
| 高真空单元（可选） | |
| 真空泵 | 旋片泵+分子泵 |
| 泵流量 | 4L/S+110L/S |
| 真空吸入口 | KF25 |
| 真空计 | 复合真空计 |
| 额定真空压力 | 6x10-5Pa |
| 以上规格和设置均可定制 | |
标准包装
| 序号 | 描述 | 数量 |
|---|---|---|
| 1 | 炉子 | 1 |
| 2 | 石英管 | 1 |
| 3 | 真空法兰 | 2 |
| 4 | 管式热块 | 2 |
| 5 | 管式热块挂钩 | 1 |
| 6 | 耐热手套 | 1 |
| 7 | 精密气体控制 | 1 |
| 8 | 真空单元 | 1 |
| 9 | 操作手册 | 1 |
可选配置
- 管内气体检测和监测，如H2、O2等
- 独立的炉温监测和记录
- RS 485通信端口，用于PC远程控制和数据导出
- 插入式气体进料流量控制，如质量流量计和浮子流量计
- 带各种用户友好功能的触摸屏温控器
- 高真空泵站配置，如旋片真空泵、分子泵、扩散泵
警告
操作员安全是最重要的问题！ 请小心操作设备。 使用易燃易爆或有毒气体是非常危险的，操作人员在启动设备之前必须采取所有必要的预防措施。 反应器或室内正压工作是危险的，操作人员必须严格遵守安全规程。 使用空气反应材料时，尤其是在真空下，也必须格外小心。 泄漏会将空气吸入设备并导致发生剧烈反应。
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