产品 热能设备 CVD 和 PECVD 炉 客户定制的多功能 CVD 管式炉 CVD 机器
客户定制的多功能 CVD 管式炉 CVD 机器

CVD 和 PECVD 炉

客户定制的多功能 CVD 管式炉 CVD 机器

货号 : KT-CTF16

价格根据 规格和定制情况变动


最高温度
1600 ℃
恒定工作温度
1550 ℃
炉管直径
60 毫米
加热区
3x300 毫米
加热速率
0-10 ℃/min
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简介

CVD 管式炉是用于化学气相沉积 (CVD) 过程的高温炉。它具有多个加热区,可实现精确的温度控制;一个高真空泵,可为 CVD 过程创造真空环境;以及一个质量流量气体控制站,可将气体混合并输入炉管。该炉的温度最高可达 1200°C,极限真空率为 10^-7 托。它通常用于半导体行业沉积各种材料的薄膜,包括绝缘材料、金属材料和金属合金材料。

应用

多区 CVD 管式炉广泛用于各种研究和工业应用,包括

  • 化学气相沉积 (CVD)
  • 扩散
  • 热处理
  • 半导体制造
  • 材料合成
  • 薄膜沉积
  • 纳米技术
  • 光电子学
  • 航空航天
  • 能源存储
  • 生物医学工程

特点

CVD 管式炉是一款多功能、高性能的炉子,是科研和工业领域各种应用的理想之选。该炉具有先进的功能和性能,可帮助您在工作中取得最佳效果。

  • 多区温度控制:该炉具有多区温度控制功能,可以精确控制炉内不同区域的温度。这对于需要创建特定温度曲线或温度梯度的应用非常重要。
  • 高温能力:该炉的最高温度可达 1200°C,因此非常适合各种应用。这种高温能力使其能够执行 CVD、扩散和其他热处理等要求苛刻的工艺。
  • 真空或大气保护:该炉可在真空或气氛保护下使用,因此适用于多种应用。这种多功能性使其可以执行需要特定气氛或真空环境的工艺。
  • 易于使用:该炉易于使用,具有友好的用户界面和直观的控制。因此,即使经验有限的用户也能轻松设置和操作该炉。
  • 设计紧凑:这种炉子结构紧凑、重量轻,便于在各种空间安装和使用。这种紧凑型设计使其非常适合在实验室和其他空间有限的环境中使用。

原理

化学气相沉积(CVD)是一种薄膜沉积技术,通过气相将固体材料沉积到基底上。将基底加热到高温,然后将含有所需材料的气体引入腔室。气体与基底发生反应,所需材料沉积到基底表面。

CVD 管式炉用于 CVD 工艺。该炉由一个加热管组成,加热管通常由石英或氧化铝制成。基底置于管内,气体被引入管内。气体流经管子并与基底发生反应,将所需材料沉积到基底表面。

CVD 管式炉可用于沉积各种材料,包括金属、氧化物、氮化物和碳化物。该工艺用于制造半导体、太阳能电池和其他电子设备。

可提供不同温度和设置的 CVD 系统

 带气化器和正压传感器的分体式 CVD 炉
1.压力传感器;2.压力传感器;3.硅烷;4.乙炔;5.氮气;6.液态蒸汽;7.备用气体;8.压力表;
用于流化床的立式 CVD 炉
流化床用立式 CVD 炉
带样品架滑轨的 1600C CVD 炉
带样品架滑轨的 1600℃ CVD 炉
带滑动反应管的快速热处理 RTP CVD 炉
带滑动反应管的快速热处理 RTP CVD 炉
带排放监控器和点火系统的小型 CVD 炉
带排放监控器和点火系统的小型 CVD 炉

优点

  • 温度均匀性高:多区设计可确保整个炉内温度均匀分布,这对 CVD 过程至关重要。
  • 精确的温度控制:数字温度控制器可精确控制炉温,这对于获得可重复的可靠结果至关重要。
  • 高真空能力:10^-7 torr 的极限真空率可清除反应室中的杂质,这对于获得高质量的 CVD 薄膜至关重要。
  • 易于使用:用户友好界面使该炉易于操作,即使是没有经验的用户也能轻松上手。
  • 用途广泛:该炉可用于多种 CVD 工艺,包括金属沉积、半导体加工和碳纳米管合成。
  • 设计紧凑:该炉设计紧凑,非常适合在空间有限的实验室中使用。
  • 价格合理:该炉的价格极具竞争力,性价比极高。

技术规格

炉型 KT-CTF16-60
最高温度 1600℃
恒定工作温度 1550℃
炉管材料 高纯度 Al2O3 管
炉管直径 60 毫米
加热区 3x300mm
炉膛材料 氧化铝多晶纤维
加热元件 碳化硅
加热速率 0-10℃/min
热耦合 S 型
温度控制器 数字 PID 控制器/触摸屏 PID 控制器
温度控制精确度 ±1℃
气体精确控制装置
流量计 MFC 质量流量计
气体通道 3 个通道
流量 MFC1: 0-5SCCM O2
mfc2: 0-20scmch4
mfc3: 0- 100sccm h2
mfc4: 0-500 sccm n2
线性度 ±0.5% F.S.
重复性 ±0.2% F.S.
管线和阀门 不锈钢
最大工作压力 0.45 兆帕
流量计控制器 数字旋钮控制器/触摸屏控制器
标准真空装置(可选)
真空泵 旋片式真空泵
泵流量 4 升/秒
真空吸入口 KF25
真空规 皮拉尼/电阻硅真空计
额定真空压力 10Pa
高真空单元(可选)
真空泵 旋片泵+分子泵
泵流量 4L/S+110L/S
真空吸入口 KF25
真空规 复合真空计
额定真空压力 6x10-5Pa
以上规格和设置可定制

标准包装

编号 说明 数量
1 熔炉 1
2 石英管 1
3 真空法兰 2
4 导管隔热块 2
5 导管隔热块挂钩 1
6 耐热手套 1
7 精确气体控制 1
8 真空装置 1
9 操作手册 1

可选设置

  • 管内气体检测和监控,如 H2、O2 等
  • 独立炉温监控和记录
  • RS 485 通信端口,用于 PC 远程控制和数据输出
  • 插入式气体进料流量控制,如质量流量计和浮子流量计
  • 触摸屏温度控制器,具有方便操作的多种功能
  • 高真空泵站设置,如叶片真空泵、分子泵和扩散泵

警告

操作员安全是最重要的问题! 请小心操作设备。 使用易燃易爆或有毒气体是非常危险的,操作人员在启动设备之前必须采取所有必要的预防措施。 反应器或室内正压工作是危险的,操作人员必须严格遵守安全规程。 使用空气反应材料时,尤其是在真空下,也必须格外小心。 泄漏会将空气吸入设备并导致发生剧烈反应。

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Cvd 和 Pecvd 炉

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