直流（DC）溅射是一种用于沉积薄膜的基本物理气相沉积（PVD）技术。在此过程中，在基底（阳极）和目标材料（阴极）之间施加恒定的直流电压。其主要机制是用电离气体（通常是氩离子）轰击目标材料，从而导致原子从目标材料中喷射出来。这些射出的原子随后穿过真空室，沉积到基底上，形成薄膜。
详细说明：
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电压应用和电离：
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在直流溅射中，通常在真空室中的靶材和基底之间施加 2-5 千伏的直流电压。真空室最初抽真空至 3-9 mTorr 的压力。然后引入氩气，在外加电压的影响下，氩原子电离形成等离子体。该等离子体由带正电荷的氩离子组成。轰击和溅射：
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带正电荷的氩离子在电场的作用下加速冲向带负电荷的目标（阴极）。在撞击时，这些离子通过一个称为溅射的过程将原子从靶材料中分离出来。这包括向目标原子传递足够的能量，以克服它们的结合力，使它们从表面喷射出来。
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在基底上沉积：
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喷射出的靶原子在腔体内向不同方向运动，最终沉积到基底（阳极）上，形成薄膜。这一沉积过程对于金属涂层、半导体制造和装饰性表面处理等应用至关重要。优点和局限性：
直流溅射因其简单和低成本而特别适用于沉积导电材料。它易于控制，功耗相对较低。但是，它对沉积非导电或介电材料无效，因为这些材料无法传导维持溅射过程所需的电子流。此外，如果氩离子密度不足，沉积率也会很低。
应用：
