碳化硅（SiC）具有独特的性能，包括宽带隙、高热导率、高电子迁移率和卓越的击穿电场强度，因此被广泛应用于半导体行业的各种应用中。这些特性使碳化硅成为功率半导体器件的理想材料，解决了硅（Si）和砷化镓（GaAs）等传统材料的局限性。
半导体制造设备：
碳化硅可用于制造半导体制造设备的部件，如缓冲器、滑环、提升销、电极、聚焦环和腔室衬垫。这些部件在快速热处理 (RTP)、等离子蚀刻、化学气相沉积 (CVD)、外延、离子注入、光刻和各种清洗方法等工艺中至关重要。之所以在这些应用中使用碳化硅，是因为它具有耐高温和耐腐蚀环境的特性，而这些特性在半导体制造工艺中十分常见。功率半导体器件：
碳化硅的特性使其成为功率器件的绝佳材料，这在要求高效率和高功率密度的应用中至关重要。SiC 功率器件（如二极管和晶体管）可以在比硅器件更高的温度、频率和电压下工作。在效率和可靠性要求极高的电动汽车、可再生能源系统和工业电机驱动中，这种能力尤为重要。
导电陶瓷：
碳化硅陶瓷可制成导电陶瓷，从而提高其可加工性，并可进行放电加工。这对于制造大型或形状复杂的碳化硅陶瓷部件尤其有用。当碳化硅陶瓷的电阻率降低到 100Ω 厘米以下时，就可以对其进行精确而快速的加工，从而促进复杂部件的生产。腐蚀性环境：
SiC 具有出色的化学和物理稳定性，因此是暴露在腐蚀性环境中的部件的理想材料，例如发电厂的脱硫喷嘴和化工泵中的部件。这些应用得益于 SiC 对酸、碱和其他腐蚀性介质的耐受性，可确保长期免维护运行。
高温应用：
碳化硅广泛用于高温应用，如工业炉中的电加热元件以及陶瓷和玻璃行业中的窑具。它的高导热性和抗热震性使其适用于这些苛刻的环境。
国防和军事：
