知识 射频和直流溅射有什么区别?(5 个主要区别)
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技术团队 · Kintek Solution

更新于 2个月前

射频和直流溅射有什么区别?(5 个主要区别)

说到溅射,主要有两种类型:射频(RF)和直流(DC)。

这两种方法在几个重要方面有所不同。

射频和直流溅射的 5 个主要区别

射频和直流溅射有什么区别?(5 个主要区别)

1.电源类型

射频溅射使用交流电源。

这种电源以无线电频率交变电势。

这有助于防止目标上的电荷积聚。

直流溅射则使用直流电源。

这可能导致目标上的电荷积聚,尤其是绝缘材料。

2.电压和电源要求

直流溅射通常需要 2,000-5,000 伏特的电压。

射频溅射需要更高的电压,通常为 1,012 伏或更高。

这种差异是由气体等离子体的电离方式造成的。

在直流溅射中,电离是通过电子的直接离子轰击实现的。

在射频溅射中,利用动能将电子从气体原子中移除,这需要更大的功率。

3.腔室压力

射频溅射可在更低的腔室压力下运行,通常低于 15 mTorr。

直流溅射通常需要 100 mTorr 左右的较高压力。

射频溅射的压力较低,可减少等离子体粒子与靶材之间的碰撞。

这为溅射粒子到达基底提供了更直接的途径。

这将导致更高效、更均匀的薄膜沉积。

4.处理电荷积聚

射频溅射的一大优势是能够处理目标上的电荷积聚。

在直流溅射中,持续的电流会导致电荷积聚,尤其是在使用绝缘材料时。

射频溅射通过交变电流中和电荷积聚。

这可确保溅射过程更加稳定和高效。

5.理想的目标材料

射频溅射特别适用于绝缘材料。

在直流系统中,这些材料会积聚电荷,破坏溅射过程。

射频溅射中的交流电可以中和靶材上的电荷。

这使其成为在更多材料上沉积薄膜的理想选择。

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