射频（RF）溅射和直流（DC）溅射的主要区别在于所使用的电源类型、电压要求、腔室压力以及如何处理靶材上的电荷积聚。射频溅射使用交流电源，以无线电频率交变电势，有助于防止目标材料上的电荷积聚。相比之下，直流溅射使用的是直流电源，可能会导致靶材上电荷聚集，尤其是绝缘材料。
电压和功率要求：
直流溅射通常需要 2,000-5,000 伏特的电压，而射频溅射需要 1,012 伏特或更高的电压。这种差异是由于气体等离子体的电离机制不同造成的。在直流溅射中，电离是通过电子的直接离子轰击实现的，而在射频溅射中，动能被用来从气体原子的外壳中去除电子，因此需要更高的电源才能实现相同的沉积速率。腔室压力：
与直流溅射通常需要的 100 mTorr 相比，射频溅射的腔室压力要低得多，通常低于 15 mTorr。射频溅射的压力较低，减少了带电等离子体粒子与目标材料之间的碰撞次数，为溅射粒子到达基底提供了更直接的途径。这可以使薄膜沉积更高效、更均匀。
处理电荷积聚：
与直流溅射相比，射频溅射的一个显著优势是能够处理目标上的电荷积聚。在直流溅射中，单向的持续电流会导致目标上的电荷积聚，对于绝缘目标材料尤其如此。射频溅射通过交变电流有效地中和了电荷积聚，确保溅射过程更稳定、更高效。
理想的靶材：
