直流溅射过程包括几个关键步骤，首先是在工艺室内形成真空，然后引入气体并施加直流电压，使气体电离并将目标材料中的原子溅射到基片上。这种技术因其可扩展性、能源效率和易于控制的特点，被广泛应用于各行各业的薄膜沉积。
创造真空：
直流溅射的第一步是在工艺腔内形成真空。这一步不仅对清洁度至关重要，而且对过程控制也至关重要。在低压环境中，平均自由路径（粒子与另一粒子碰撞前的平均移动距离）会显著增加。这使得溅射原子能够从靶到基底，而不会与其他原子发生明显的相互作用，从而实现更均匀、更平滑的沉积。直流溅射简介：
直流（DC）溅射是物理气相沉积（PVD）的一种，目标材料受到电离气体分子（通常是氩气）的轰击。这种轰击会导致原子喷射或 "溅射 "到等离子体中。这些气化的原子随后在基底上凝结成薄膜。直流溅射特别适用于导电材料上的金属沉积和涂层。它因操作简单、成本效益高和易于控制而受到青睐。
工艺详情：
建立真空后，将气体（通常是氩气）引入腔室。施加 2-5 千伏的直流电压，使氩原子电离形成等离子体。带正电荷的氩离子被加速冲向带负电荷的靶件（阴极），在那里发生碰撞并将原子从靶件表面击落。然后，这些溅射原子穿过腔室，沉积到基底（阳极）上，形成薄膜。这种工艺仅限于导电材料，因为电子流向阳极是发生沉积的必要条件。可扩展性和能效：
直流溅射具有很强的可扩展性，可在大面积范围内沉积薄膜，是大批量工业生产的理想选择。此外，它的能效相对较高，可在低压环境中运行，与其他沉积方法相比功耗较低，从而降低了成本和对环境的影响。
局限性：
