直流溅射的工艺流程是怎样的？薄膜沉积的分步指南

直流溅射的核心是一种物理气相沉积（PVD）方法，它利用高能离子将原子从源材料（称为靶材）中撞击出来。这些被撞击出来的原子随后穿过真空并沉积到衬底上，形成一层极其薄且均匀的薄膜。整个过程由高压直流（DC）电场驱动。

直流溅射最好理解为一场微观的、高能的台球游戏。惰性气体用于产生离子“主球”，这些离子被电场加速撞击靶材，将靶材的原子撞击出来，然后这些原子会覆盖附近的衬底。

溅射系统的结构

要理解这个过程，首先必须了解系统的关键组件，所有这些组件都容纳在真空腔体内。

该过程在高真空中进行，以防止溅射原子与空气分子碰撞，并消除最终薄膜的污染。清洁的环境对于薄膜的纯度和附着力至关重要。

这是您希望沉积成薄膜的源材料，例如钛或铝。在直流系统中，靶材连接到电源的负极端，使其成为阴极。

这是您打算涂覆的物体，可以是硅晶圆、玻璃片或医疗植入物。它被放置在面向靶材的位置，以截获溅射材料的流动。它通常处于或接近腔壁（阳极）的电位。

惰性气体，最常见的是氩气（Ar），以低压引入真空腔体。这种气体不构成最终薄膜的一部分；其目的是被电离并用作轰击介质。

高压直流电源在靶材（阴极）和腔壁（阳极）之间产生强大的电场。这个电场是驱动整个过程的引擎。

沉积过程遵循由基本物理学驱动的精确事件序列。

首先，腔体被抽至高真空，以去除环境气体，如氧气和水蒸气。然后，引入少量精确控制的氩气。

在靶材和阳极之间施加高直流电压。这个强大的电场加速腔体中存在的杂散自由电子。这些高速电子与中性氩原子碰撞，撞掉一个电子，从而产生带正电的氩离子（Ar+）和另一个自由电子。这种碰撞级联迅速产生一个自持的、发光的离子和电子云，称为等离子体。

新形成的带正电的氩离子（Ar+）现在被电场强烈加速，直接冲向带负电的靶材。它们以显著的动能撞击靶材表面。

氩离子的撞击是一个纯粹的动量传递事件。离子的能量传递给靶材表面的原子，如果能量足以克服材料的结合能，一个或多个靶材原子就会被物理地撞击出来或“溅射”出来。

这些被溅射出来的中性靶材原子在真空中沿直线运动，直到它们撞击到表面。当它们落在衬底上时，它们会凝结，与表面结合，并逐渐原子一层一层地堆积起来，形成致密均匀的薄膜。

虽然功能强大，但直流溅射并非万能解决方案。了解其局限性是有效使用它的关键。

直流溅射最显著的局限性在于它仅适用于导电靶材，如金属。因为靶材是阴极，它必须能够耗散轰击离子传递的正电荷。

如果您尝试使用非导电（绝缘或介电）靶材，如陶瓷，来自氩离子的正电荷会迅速在其表面积累。这种积累，被称为“靶材中毒”，最终会中和负偏压，排斥入射离子，并使溅射过程停止。

虽然高度可控，但直流溅射的沉积速率可能低于其他方法，如热蒸发。持续的离子轰击还会将大量能量传递给靶材和衬底，这可能需要对敏感材料进行主动冷却。

选择正确的沉积方法完全取决于您的材料和所需的结果。

如果您的主要目标是沉积金属或其他导电材料：直流溅射是行业标准、经济高效且高度可控的选择，用于制造高质量薄膜。
如果您的主要目标是薄膜质量、密度和附着力：溅射原子的高动能通常比热蒸发产生更致密、附着力更好的薄膜。
如果您的主要目标是沉积绝缘材料（陶瓷、氧化物）：您必须使用替代方法，如射频（RF）溅射，它使用交流电场来避免直流溅射绝缘体时出现的电荷积累问题。

通过将溅射理解为受控的物理动量传递过程，您可以有效地设计表面并创建具有精确定制特性的材料。