原子层沉积 (ALD) 是一种复杂的技术，可实现保形沉积。这意味着它可以均匀地涂覆表面，即使是复杂的几何形状和弯曲表面也不例外。
为什么 ALD 可以实现共形沉积？4 个主要原因
1.自限制反应
ALD 依靠气态反应物与固体表面之间的自限制反应。这意味着反应受到控制，每次只能沉积一层材料。反应物逐次进入反应器，与表面发生反应，直到所有反应位点都被占据。这种自限性确保了沉积过程在完全覆盖表面后停止，从而形成保形涂层。
2.精确的厚度控制
ALD 可在亚单层水平上实现精确的厚度控制。反应物交替脉冲进入腔室，而不是同时出现。这种受控脉冲可实现对沉积薄膜厚度的精确控制。通过调整循环次数，可以精确控制薄膜厚度，从而实现均匀和保形沉积。
3.出色的阶跃覆盖
ALD 具有出色的阶跃覆盖能力。阶跃覆盖是指沉积工艺在具有复杂几何形状（包括高宽比拓扑和曲面）的表面上均匀镀膜的能力。由于 ALD 能够均匀、保形地沉积薄膜，甚至在曲面基底上也能沉积薄膜，因此在此类表面镀膜方面非常有效。这使得 ALD 适用于广泛的应用领域，包括半导体工程、微机电系统、催化和纳米技术。
4.高再现性和薄膜质量
ALD 可确保较高的可重复性和薄膜质量。ALD 机制的自限制和自组装特性可实现化学计量控制和固有的薄膜质量。对沉积过程的精确控制和纯净基底的使用有助于获得理想的薄膜特性。这使得 ALD 成为生产高度均匀和保形纳米薄膜的可靠方法。
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