技术团队 · Kintek Solution

在实验室制备碳化硅 (SiC) 可采用多种方法，包括高温化学气相沉积 (HTCVD)、烧结和反应键合。每种方法都有其特定的条件和要求，详情如下。

高温化学气相沉积 (HTCVD)：

1. 这种方法是在一个封闭的反应器中生长 SiC 晶体，外部加热使反应室的温度保持在 2000°C 至 2300°C 之间。该过程是一种涉及热力学、气体输送和薄膜生长的表面反应。步骤包括
2. 混合反应气体到达基底材料表面。
3. 反应气体在高温下分解，导致基底表面发生化学反应，形成固体晶体薄膜。

固态产物从基底表面脱离，同时不断引入反应气体，使晶体膜继续生长。烧结：

2. 烧结是生产碳化硅陶瓷的常用方法。它是在加热和加压的情况下将碳化硅粉末固结在一起，而不会熔化整个陶瓷体。可通过添加烧结助剂或使用特定气氛来强化这一过程。关键步骤如下
3. 制备高纯度碳化硅粉末。

将粉末压制成所需形状。在受控气氛中将压制好的粉末加热到低于其熔点的温度，通常约为 2000°C 至 2300°C，以通过原子扩散实现致密化。

1. 反应结合：
3. 这种方法是将硅熔体与碳反应形成碳化硅。该过程包括

将碳源与碳化硅粉末混合形成绿色体。

在高温（1500°C 以上）下将熔融硅渗入绿色体中。