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尽管碳化硅（SiC）具有高热导率、低热膨胀性和超强硬度等优势特性，但它也面临着一些挑战。主要挑战包括制造困难、对热冲击敏感以及需要专门的加工技术。
制造困难：
碳化硅的硬度极高，因此要将其加工成精密零件非常困难。由于材料的硬度，传统的加工方法无法奏效。如前所述，用 CVD 碳化硅制造精密零件必须采用金刚石磨削技术。由于金刚石工具的高成本和研磨所需的能量，这一过程不仅耗时，而且成本高昂。此外，由于碳化硅的电气特性，特别是其低电阻，因此必须使用放电加工 (EDM) 等专门技术来制造精细特征。这增加了制造碳化硅元件的复杂性和成本。热冲击敏感性：
虽然 SiC 具有高热导率（120-270 W/mK）和低热膨胀率（4.0x10-6/°C），这通常有助于提高其抗热震性，但快速的温度变化仍会引起热应力，导致微裂纹。在涉及快速加热或冷却的应用中，需要仔细考虑这种对热冲击的敏感性。在高温下形成的保护性氧化硅涂层可以帮助缓解这一问题，但并不能完全解决问题。工程师在设计元件时必须考虑温度的渐变以防止损坏，这可能会限制碳化硅元件的操作灵活性。
专业加工技术：
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碳化硅（原文如此）陶瓷片由高纯度碳化硅和超细粉组成，经振动成型和高温烧结而成。
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