管式炉
立式实验室石英管炉管式炉
货号 : KT-VTF
价格根据 规格和定制情况变动
- 最高温度
- 1800℃
- 炉管直径
- 50 / 60 / 80 / 100 mm
- 加热区长度
- 300 / 450 / 600 / 800 mm
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Introduction
立式管式炉是用于在受控气氛条件下对材料进行高温处理的实验室设备。它们由一个垂直放置的石英管组成，该石英管封装在加热室内部，从而可以精确控制温度并均匀分布热量。这些炉子通常用于各种应用，包括热处理、淬火、退火、晶体生长和化学气相沉积（CVD）涂层。凭借可编程温度控制器、真空密封能力以及用于样品操作的专用附件等先进功能，立式管式炉在材料加工方面提供了多功能性和准确性。它们能够创建受控气氛并达到高温，这使它们成为研发、材料科学和工业应用中的重要工具。
Applications
立式管式炉是多功能加热设备，在各种行业和实验室环境中都有广泛的应用。它们对于需要精确温度控制以及在真空或受控气体气氛下运行能力的过程特别有用。
- 气体淬火测试：立式管式炉通常用于气体淬火测试，其中样品从高温快速冷却到冰水或油等淬火介质中。这使得研究人员能够研究材料相变以及快速冷却对材料性能的影响。
- 热处理：立式管式炉用于各种热处理工艺，包括退火、回火和应力消除。这些工艺可以改善材料的机械性能，例如其强度、硬度和延展性。
- 化学气相沉积（CVD）：立式管式炉用于 CVD 工艺，其中通过气相中的化学反应在基板上沉积薄膜。该技术通常用于半导体行业以制造电子设备。
- 晶体生长：立式管式炉用于晶体生长，其中晶体从熔融或气相中生长出来。该技术用于生产高质量的晶体，用于光学、电子和其他应用。
- 材料测试：立式管式炉用于材料测试，例如导热系数测量、熔点测定和相变。这些测试提供了有关材料性能的有价值信息。
- 其他应用：立式管式炉也用于各种其他应用，包括：
- 烧结
- 钎焊
- 煅烧
- 陶瓷
- 玻璃加工
- 实验室研究
- 粉末处理
Detail&Parts
2. 电子数显面板：精确控温，预设多段热处理工艺。
3. 氧化铝多晶纤维炉膛：耐高温，长期使用不变形，不开裂。
Principle
立式管式炉基于辐射传热原理运行。加热元件通常由二硅化钼（MoSi2）或碳化硅（SiC）制成，位于垂直管周围，发出红外辐射，被内部的样品吸收。这种辐射均匀地加热样品，提供精确高效的温度控制。炉子的设计允许快速的加热和冷却速率，使其适用于各种应用，包括材料合成、热处理和温度测量。
Advantages
- 立式或倾斜式炉膛：这允许进行各种实验，包括流化床加热、晶体提拉生长、淬火等。
- 多种机械功能：这些功能包括样品悬挂、提拉、旋转和释放，为实验设置提供了多功能性。
- 宽工作温度范围：最高温度可达 1800℃，可满足各种应用需求。
- 专用设备定制：根据特定的实验要求调整炉子。
- 双层炉壳设计：内外壳之间的强制气流可将炉子表面温度保持在较低水平，以确保安全。
- PID 可编程温度控制：出色的控制精度和稳定的加热性能，提供远程和集中控制选项。
- VTF Pro 触摸屏控制器：用户友好的程序设置、数据分析和配方管理。
- 安全功能：过流保护、超温报警和热电偶检测，以增强安全性。
- 断电重启功能：断电后可恢复加热程序，确保实验连续性。
Safety Advantage
- Kindle Tech 管式炉具有过流保护和超温报警功能，一旦检测到过流，炉子将自动关闭电源。
- 炉子内置热电偶检测功能，一旦检测到热电偶断裂或故障，炉子将停止加热并发出警报。
- VTF Pro 支持断电重启功能，来电后炉子将恢复加热程序。
Technical specifications
| 炉型 | KT-VTF | KT-VTF PRO |
|---|---|---|
| 温度控制器 | 数字PID控制器 | 触摸屏PID控制器 |
| 多程序预设 | 否 | 是 |
| 断电重启 | 否 | 是 |
| 最高温度 | 1800℃ | |
| 炉管材质 | 高等级石英/氧化铝 | |
| 炉管直径 | 50 / 60 / 80 / 100 毫米 | |
| 加热区长度 | 300 / 450 / 600 / 800 毫米 | |
| 真空密封解决方案 | SS 304 法兰带实心铜密封圈 | |
| 额定真空压力 | 0.001Pa/10E5 torr | |
| 炉膛材质 | 日本氧化铝纤维 | |
| 加热元件 | Cr2Al2Mo2 线圈/SiC/MoSi2 | |
| 热电偶 | K /S/B 型 | |
| 温度控制精度 | ±1℃ | |
| 电源 | AC110-220V, 50/60HZ | |
| 其他炉管尺寸和加热区长度可定制 | ||
Standard Package
| 编号 | 描述 | 数量 |
|---|---|---|
| 1 | 炉子 | 1 |
| 2 | 氧化铝管 | 1 |
| 3 | 真空法兰 | 2 |
| 4 | 管式热块 | 2 |
| 5 | 管式热块挂钩 | 1 |
| 6 | 耐热手套 | 1 |
| 7 | 操作手册 | 1 |
Optional Setup
- 管内气体检测和监测，如 H2、O2 等
- 独立的炉温监测和记录
- 用于 PC 远程控制和数据导出的 RS 485 通信端口
- 插入式气体进给流速控制，如质量流量计和浮子流量计
- 具有多功能操作友好功能的触摸屏温控器
- 高真空泵站设置，如旋片真空泵、分子泵、扩散泵
警告
操作员安全是最重要的问题！ 请小心操作设备。 使用易燃易爆或有毒气体是非常危险的，操作人员在启动设备之前必须采取所有必要的预防措施。 反应器或室内正压工作是危险的，操作人员必须严格遵守安全规程。 使用空气反应材料时，尤其是在真空下，也必须格外小心。 泄漏会将空气吸入设备并导致发生剧烈反应。
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FAQ
什么是管式炉？
实验管式炉是一种经典的外加热高温管式炉，又名热壁加热炉。
根据工作温度的不同，炉管材料通常可采用透明石英管、高纯氧化铝陶瓷管和高强度金属合金管。
为满足不同的热研究目的，管式炉可设计成多加热区，以便灵活控制管工作室内的温度梯度；炉管可在可控气氛工作环境或高真空工作环境中工作。
什么是 CVD 炉？
化学气相沉积（CVD）是一种利用加热、等离子体激发或光辐射等各种能源，使气态或气态化学物质在气相或气固界面上发生化学反应，从而在反应器中形成固态沉积物的技术。简单地说，就是将两种或两种以上的气态原料引入反应室，然后相互反应形成新的材料，并沉积在基片表面。
CVD炉是由高温管式炉单元、气体控制单元和真空单元组成的组合炉系统，广泛应用于复合材料制备、微电子工艺、半导体光电、太阳能利用、光纤通信、超导技术、防护涂层等领域的实验和生产。
管式炉如何工作？
管式炉的加热元件放置在圆柱形腔体周围，炉子只能通过间接热辐射加热圆柱形腔体中的样品，由于炉管可以防止样品材料与炉子加热元件和绝缘材料接触，因此管式炉创造了一个清洁的隔离热室，降低了样品材料被炉子污染的风险。
CVD 炉是如何工作的？
CVD炉系统由高温管式炉单元、反应气源精确控制单元、真空泵站和相应的组装部件组成。
真空泵用于排除反应管内的空气，确保反应管内没有多余的气体，然后管式炉将反应管加热到目标温度，反应气源精确控制单元可将不同的气体以设定的比例引入炉管内进行化学反应，在CVD炉内形成化学气相沉积。
什么是转管炉？
管式炉有哪些用途？
管式炉主要应用于冶金、玻璃、热处理、锂电正负极材料、新能源、磨料磨具等行业，是在一定温度条件下测量材料的专业设备。
管式炉具有结构简单、操作方便、易于控制、可连续生产等特点。
管式炉还广泛应用于 CVD（化学气相沉积）和等离子体增强 CVD 系统。
在 CVD 过程中使用哪种气体？
CVD过程中可以使用的气源非常多，常见的CVD化学反应包括热解、光解、还原、氧化、氧化还原，因此这些化学反应中涉及的气体都可以用于CVD过程。
我们以CVD石墨烯生长为例，CVD过程中使用的气体有CH4、H2、O2和N2。
转管炉如何工作？
有多少种不同类型的管式炉？
管式炉可以在不同的机械功能下顺利工作，因此有许多不同类型的管式炉变化用于不同的实验目的，典型的管式炉如下：
- 卧式管式炉
- 立式管式炉
- 分体式管式炉
- 旋转式管式炉
- 倾斜式管式炉
- 滑动式管式炉
- 快速加热和冷却管式炉
- 连续进料和出料管式炉
CVD 系统的优势是什么？
- 可根据需要制备金属膜、非金属膜和多组分合金膜等多种薄膜。同时，它还能制备出其他方法难以获得的高质量晶体，如 GaN、BP 等。可同时沉积大量成分均匀的涂层，这是液相外延（LPE）和分子束外延（MBE）等其他制膜方法所无法比拟的。
- 工作条件在常压或低真空条件下进行，因此涂层衍射效果好，形状复杂的工件也能得到均匀的涂层，这一点比 PVD 优越得多。
- 由于反应气体、反应产物和基材之间的相互扩散，可获得附着力良好的涂层，这对于制备耐磨膜和防腐蚀膜等表面强化膜至关重要。
- 有些薄膜的生长温度远低于薄膜材料的熔点。
- 有些薄膜的生长温度远低于薄膜材料的熔点，在低温生长条件下，反应气体和反应器壁及其所含杂质几乎不发生反应，因此可以获得纯度高、结晶度好的薄膜。
- 化学气相沉积可以获得光滑的沉积表面。这是因为与 LPE 相比，化学气相沉积（CVD）是在高饱和度下进行的，成核率高，成核密度大，且在整个平面上分布均匀，因此能获得宏观光滑的表面。
- 低辐射损伤，这是制造金属氧化物半导体（MOS）和其他器件的必要条件
转管炉有哪些优点？
转管炉的功能是什么？
使用管式炉有哪些优势？
PECVD 代表什么？
等离子体化学气相沉积（PECVD）是利用等离子体激活反应气体，促进基片表面或近表面空间发生化学反应，生成固体薄膜的技术。等离子体化学气相沉积技术的基本原理是，在射频或直流电场的作用下，源气体电离形成等离子体，以低温等离子体为能源，引入适量的反应气体，利用等离子体放电激活反应气体，实现化学气相沉积。
根据等离子体的产生方式，可分为射频等离子体、直流等离子体和微波等离子体 CVD 等......
PECVD 是什么意思？
使用管式炉时应采取哪些安全预防措施？
CVD 和 PECVD 的区别是什么？
PECVD与传统CVD技术的区别在于等离子体中含有大量高能电子，可以提供化学气相沉积过程中所需的活化能，从而改变了反应体系的供能方式。由于等离子体中的电子温度高达 10000K，电子与气体分子之间的碰撞可促进反应气体分子的化学键断裂和重组，从而生成更多的活性化学基团，而整个反应体系则保持较低的温度。
因此，与 CVD 工艺相比，PECVD 可以在较低的温度下进行相同的化学气相沉积过程。
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