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石墨烯的最佳来源主要包括甲烷气体和铜箔，其中甲烷是生产石墨烯最常用的碳源，而铜箔则是通过化学气相沉积（CVD）进行大规模生产的首选基底。
甲烷气体作为碳源：
甲烷（CH4）是石墨烯生产中最广泛使用的碳源。它之所以受到青睐，是因为其可用性和为石墨烯层的形成提供碳的效率。在 CVD 过程中，甲烷在高温下分解，释放出的碳原子沉积到基底上，形成石墨烯。甲烷的作用至关重要，因为它为石墨烯的生长提供了必要的碳。不过，这一过程也需要氢气，因为氢气有助于去除无定形碳，提高石墨烯的质量。甲烷和氢气之间的平衡至关重要；比例不当会因氢原子的过度腐蚀而导致石墨烯质量下降。CVD 工艺中的铜箔：
铜箔是通过 CVD 大规模生产石墨烯的首选基底。这种方法由 Li 等人于 2009 年首创，包括在铜箔上分解甲烷以生产大面积均匀的石墨烯薄膜。使用铜箔的优势在于其价格低廉、易于制造，并能生长出缺陷最小的高质量石墨烯。铜箔上的 CVD 工艺具有可扩展性，已被用于工业用途，能够生产几乎无限长度的石墨烯薄膜，这对于满足各种应用中日益增长的需求至关重要。
其他考虑因素：
主要用于电力电子领域的一种技术。它是利用电子束技术，通过材料沉积将碳源材料制成的石墨薄膜。
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