合成碳纳米管 (CNT) 的主要方法包括激光烧蚀、电弧放电和化学气相沉积 (CVD)，其中 CVD 在商业应用中最为普遍。在化学气相沉积技术中，等离子体增强化学气相沉积（PECVD）因能在较低温度下合成高质量的 CNT 而备受瞩目，这有利于与各种基底和电子设备集成。此外，人们对使用绿色或废弃原料（如在熔盐中电解捕获的二氧化碳和甲烷热解）生产 CNT 的兴趣日益浓厚，但对所生产材料质量的担忧依然存在。
化学气相沉积（CVD）：
化学气相沉积技术因其可扩展性和控制纳米管特性的能力而被广泛用于合成 CNT。在此过程中，在基底上涂覆催化剂，然后将含碳气体引入反应室。气体在催化剂表面分解，碳原子形成纳米管。生长条件（如温度、压力和气体流速）可通过调节来影响 CNT 的质量和特性。等离子体增强化学气相沉积（PECVD）：
等离子体增强化学气相沉积（PECVD）是化学气相沉积的一种变体，它利用等离子体在较低温度下增强化学反应。这种技术特别适用于在玻璃等对温度敏感的基底上沉积 CNT，否则这些基底在传统 CVD 所需的高温下会受到损坏。使用等离子体可以在低于 400°C 的温度下沉积高质量的 CNT，因此适合纳米电子学中需要低温加工的应用。
绿色和废弃原料：
