MPCVD
用于实验室和金刚石生长的钟罩式谐振器 MPCVD 金刚石设备
货号 : KTMP315
价格根据 规格和定制情况变动
- 微波功率
- 微波频率 2450±15MHZ
- 输出功率
- 1～10 KW 连续可调
- 微波泄漏
- ≤2MW/cm2
- 输出波导接口
- WR340, 430 配有 FD-340, 430 标准法兰
- 样品支架
- 样品台直径≥70 毫米，有效使用面积≥64 毫米
运输:
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MPCVD 即微波等离子体化学气相沉积。它利用碳气和微波等离子体在实验室中生长出高质量的金刚石薄膜。
MPCVD 系统
MPCVD 是一种利用真空室、微波发生器和气体输送系统在基底上沉积薄膜的系统。真空室内的等离子体由产生 2.45 千兆赫微波的磁控管或速调管产生。气体输送系统采用以 sccm 为单位校准的 MFC 来控制气体流量。基底温度由等离子体控制，并由热电偶测量。等离子体对基底进行加热，并在沉积过程中对温度进行监控。
应用
MPCVD 技术有望以较低的成本生产出大体积、高质量的金刚石。
金刚石具有硬度、刚度、高导热性、低热膨胀性、耐辐射性和化学惰性等独特性能，是一种宝贵的材料。然而，天然和合成的高压高温金刚石成本高、尺寸有限、杂质难以控制，限制了它们的应用。
MPCVD 是生长金刚石宝石和金刚石薄膜的主要设备，金刚石宝石和金刚石薄膜可以是单晶体，也可以是多晶体。半导体行业以及金刚石切割或钻孔工具行业广泛使用金刚石薄膜生长技术来制造大尺寸金刚石基片。
与实验室生长金刚石的 HPHT 方法相比，微波 CVD 方法在大尺寸金刚石生长方面具有成本低的优势，是半导体金刚石、光学金刚石生长和大型珠宝金刚石市场的理想解决方案。
MPCVD 的优势
与 HFCVD 和 DC-PJ CVD 相比，MPCVD 是一种具有优势的金刚石合成方法。它可以避免污染，并允许使用多种气体。它能提供平稳的微波功率调节和稳定的温度控制，避免籽晶损失。由于等离子体面积大且稳定，MPCVD 在工业应用中大有可为。
与 HPHT 相比，MPCVD 用更少的能量生产出更纯净的金刚石。它还能生产更大的金刚石。
我们的 MPCVD 系统的优势
我们已在该行业深耕多年，因此，我们拥有众多信任和使用我们设备的客户群。我们的 MPCVD 设备已稳定运行超过 40,000 小时，显示出卓越的稳定性、可靠性、可重复性和成本效益。我们的 MPCVD 系统的更多优势包括
- 3 英寸基片生长区，最大批量负载可达 45 颗钻石
- 1-10Kw 可调输出微波功率，耗电量更低
- 经验丰富的研究团队，提供前沿的金刚石生长配方支持
- 零钻石生长经验团队专属技术支持计划
凭借积累的先进技术，我们对 MPCVD 系统进行了多轮升级和改进，显著提高了效率，降低了设备成本。因此，我们的 MPCVD 设备处于技术进步的最前沿，并且价格极具竞争力。欢迎咨询。
工作过程
MPCVD 设备在特定压力下将反应气体（如 CH4、H2、Ar、O2、N2 等）引入腔体，同时控制各气路流量和腔体压力。稳定气流后，6 千瓦固态微波发生器产生微波，然后通过波导引入空腔。
反应气体在微波场下转变为等离子体状态，形成一个等离子体球，悬浮在金刚石基底上方。等离子体的高温将基底加热到特定温度。空腔中产生的多余热量由水冷装置散去。
在 MPCVD 单晶金刚石生长过程中，为了确保最佳的生长条件，我们会调整功率、气源成分和腔体压力等因素。此外，由于等离子球不接触腔壁，因此金刚石生长过程中没有杂质，从而提高了金刚石的质量。
细节与部件
微波系统
反应腔
气流系统
真空和传感器系统
技术规格
| 微波系统 |
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| 反应腔 |
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| 样品支架 |
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| 气流系统 |
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| 冷却系统 |
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| 温度传感器 |
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| 控制系统 |
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| 可选功能 |
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警告
操作员安全是最重要的问题！ 请小心操作设备。 使用易燃易爆或有毒气体是非常危险的，操作人员在启动设备之前必须采取所有必要的预防措施。 反应器或室内正压工作是危险的，操作人员必须严格遵守安全规程。 使用空气反应材料时，尤其是在真空下，也必须格外小心。 泄漏会将空气吸入设备并导致发生剧烈反应。
为您而设计
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FAQ
金刚石切割机可以切割哪些材料？
什么是 CVD 炉？
化学气相沉积（CVD）是一种利用加热、等离子体激发或光辐射等各种能源，使气态或气态化学物质在气相或气固界面上发生化学反应，从而在反应器中形成固态沉积物的技术。简单地说，就是将两种或两种以上的气态原料引入反应室，然后相互反应形成新的材料，并沉积在基片表面。
CVD炉是由高温管式炉单元、气体控制单元和真空单元组成的组合炉系统，广泛应用于复合材料制备、微电子工艺、半导体光电、太阳能利用、光纤通信、超导技术、防护涂层等领域的实验和生产。
什么是 CVD（化学气相沉积），它有哪些主要优势？
什么是 PECVD 方法？
什么是 CVD 金刚石设备？
有哪些类型的金刚石生长机？
什么是 Mpcvd？
CVD 的基本原理是什么？
什么是射频 PECVD？
PACVD 如何工作？
金刚石切割机的原理是什么？
用于沉积薄膜的方法有哪些？
CVD 炉是如何工作的？
CVD炉系统由高温管式炉单元、反应气源精确控制单元、真空泵站和相应的组装部件组成。
真空泵用于排除反应管内的空气，确保反应管内没有多余的气体，然后管式炉将反应管加热到目标温度，反应气源精确控制单元可将不同的气体以设定的比例引入炉管内进行化学反应，在CVD炉内形成化学气相沉积。
CVD 材料有哪些常见应用？
PECVD 有哪些用途？
CVD 金刚石设备如何工作？
实验室培育钻石有哪些优势？
什么是 MPCVD 设备？
有哪些不同类型的 CVD 方法？
射频 PECVD 如何工作？
PACVD 是 PECVD 吗？
使用金刚石切割机有哪些优势？
什么是薄膜沉积设备？
在 CVD 过程中使用哪种气体？
CVD过程中可以使用的气源非常多，常见的CVD化学反应包括热解、光解、还原、氧化、氧化还原，因此这些化学反应中涉及的气体都可以用于CVD过程。
我们以CVD石墨烯生长为例，CVD过程中使用的气体有CH4、H2、O2和N2。
有哪些类型的 CVD 材料？
PECVD 有哪些优势？
使用 CVD 金刚石设备有哪些优势？
CVD 生长机的价格是多少？
Mpcvd 有哪些优势？
使用化学气相沉积设备有哪些优势？
射频 PECVD 有哪些优势？
使用 PACVD 有哪些优势？
金刚石切割机有哪些类型？
什么是薄膜沉积技术？
CVD 系统的优势是什么？
- 可根据需要制备金属膜、非金属膜和多组分合金膜等多种薄膜。同时，它还能制备出其他方法难以获得的高质量晶体，如 GaN、BP 等。可同时沉积大量成分均匀的涂层，这是液相外延（LPE）和分子束外延（MBE）等其他制膜方法所无法比拟的。
- 工作条件在常压或低真空条件下进行，因此涂层衍射效果好，形状复杂的工件也能得到均匀的涂层，这一点比 PVD 优越得多。
- 由于反应气体、反应产物和基材之间的相互扩散，可获得附着力良好的涂层，这对于制备耐磨膜和防腐蚀膜等表面强化膜至关重要。
- 有些薄膜的生长温度远低于薄膜材料的熔点。
- 有些薄膜的生长温度远低于薄膜材料的熔点，在低温生长条件下，反应气体和反应器壁及其所含杂质几乎不发生反应，因此可以获得纯度高、结晶度好的薄膜。
- 化学气相沉积可以获得光滑的沉积表面。这是因为与 LPE 相比，化学气相沉积（CVD）是在高饱和度下进行的，成核率高，成核密度大，且在整个平面上分布均匀，因此能获得宏观光滑的表面。
- 低辐射损伤，这是制造金属氧化物半导体（MOS）和其他器件的必要条件
CVD 金刚石如何提高切削工具的性能？
ALD 和 PECVD 的区别是什么？
选择 CVD 金刚石设备时应考虑哪些因素？
CVD 钻石是真的还是假的？
化学气相沉积设备有哪些应用？
PACVD 的常见应用有哪些？
金刚石切割机如何确保高精度切割？
使用薄膜沉积设备有哪些优势？
PECVD 代表什么？
等离子体化学气相沉积（PECVD）是利用等离子体激活反应气体，促进基片表面或近表面空间发生化学反应，生成固体薄膜的技术。等离子体化学气相沉积技术的基本原理是，在射频或直流电场的作用下，源气体电离形成等离子体，以低温等离子体为能源，引入适量的反应气体，利用等离子体放电激活反应气体，实现化学气相沉积。
根据等离子体的产生方式，可分为射频等离子体、直流等离子体和微波等离子体 CVD 等......
PECVD 是什么意思？
是什么使 CVD 钻石球顶适用于高性能扬声器？
PECVD 和溅射有什么区别？
CVD 金刚石设备生产的金刚石有哪些常见应用？
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金刚石切割机的应用范围是什么？
选择薄膜沉积设备时应考虑哪些因素？
CVD 和 PECVD 的区别是什么？
PECVD与传统CVD技术的区别在于等离子体中含有大量高能电子，可以提供化学气相沉积过程中所需的活化能，从而改变了反应体系的供能方式。由于等离子体中的电子温度高达 10000K，电子与气体分子之间的碰撞可促进反应气体分子的化学键断裂和重组，从而生成更多的活性化学基团，而整个反应体系则保持较低的温度。
因此，与 CVD 工艺相比，PECVD 可以在较低的温度下进行相同的化学气相沉积过程。
CVD 金刚石如何改善电子设备的热管理？
化学气相沉积机能否用于多层薄膜沉积？
操作薄膜沉积设备有哪些安全注意事项？
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