CVD 和 PECVD 炉
带真空站 CVD 机的分室 CVD 管式炉
货号 : KT-CTF12
价格根据 规格和定制情况变动
- 最高温度
- 1200 ℃
- 恒定工作温度
- 1100 ℃
- 炉管直径
- 60 毫米
- 加热区长度
- 1x450 毫米
- 加热速率
- 0-20 ℃/min
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简介
带真空站的分体式 CVD 管式炉是一款多功能、高性能的实验室设备，专为化学气相沉积 (CVD) 应用而设计。它采用分体式炉腔，便于接触反应样品和快速冷却。炉管由高温石英制成，直径为 60 毫米。该系统包括一个 4 通道 MFC 质量流量计，配有 CH4、H2、O2 和 N2 源气体，可对气体流速进行精确控制。真空站采用 4L/S 旋片真空泵，最大真空压力为 10 Pa。带真空站的分室 CVD 管式炉具有先进的功能和性能，是材料科学、半导体加工和其他领域各种研发应用的理想选择。
细节与部件
应用
带真空泵站的分室式 CVD 管式炉 CVD 设备是一种多功能的先进设备，可用于材料科学、半导体制造和研发领域的各种应用。该设备特别适用于需要精确控制温度、气流和真空度的工艺，是进行高质量材料合成和加工的重要工具。
- 纳米材料合成：该炉非常适合纳米线、纳米薄膜和其他纳米结构材料的生长，这些材料对先进电子和光电设备的开发至关重要。
- 真空镀膜：它广泛用于在各种基底上沉积薄膜，包括金属膜、陶瓷膜和复合膜，这些薄膜对于增强材料在光学和电子学等应用中的性能至关重要。
- 电池材料加工：该炉适用于电池材料的干燥和烧结，这是生产高性能电池的关键步骤。
- 材料干燥和烧结：用于陶瓷、耐火材料和特种材料的高温烧结，确保这些材料的固结和致密化。
- 气氛和真空热处理：立式管式炉的结构允许对小型钢件进行淬火、退火和回火处理，以及立式 CVD 涂层，使其成为冶金工艺中的宝贵资产。
- 研发：它广泛应用于大学、研究所和工矿企业，用于进行高温实验、气氛烧结、还原气氛和 CVD/CVI 实验，为材料科学和技术的进步做出贡献。
特点
带真空站 CVD 设备的分室 CVD 管式炉是专为先进的化学气相沉积（CVD）工艺而设计的精密设备。该炉集成了尖端技术，可提高薄膜沉积的效率和质量，是研究和工业应用的理想之选。以下是其主要特点和优势：
- 高薄膜沉积率：利用射频辉光技术，该炉可显著提高薄膜沉积速率，最高可达 10Å/S。这种快速沉积对于高通量生产和研究至关重要，可节省时间并提高生产率。
- 大面积均匀性：该炉采用先进的多点射频进料技术和专门的气路分布，可确保高达 8% 的薄膜均匀性。这种均匀性对于在大面积基底上形成一致的高质量涂层至关重要，从而提高了所生产材料的可靠性。
- 稳定的沉积：该设计采用了先进的半导体工业理念，使基底之间的偏差小于 2%。这种高水平的一致性对于需要精确和可重复结果的应用（如电子元件生产）至关重要。
- 稳定的过程控制：设备的高稳定性确保了 CVD 工艺的连续性和一致性。这种可靠性对于保持工艺完整性和降低运行过程中出现缺陷或故障的风险至关重要。
- 智能控制系统：集成控制系统由 Bonage 获得专利，包括采用闭环负反馈机制的高性能温度控制系统。该系统与高质量的进口电气元件相结合，提高了设备的整体性能和可靠性，使其几乎无需维护。
- 应用广泛：该炉适用于沉积各种类型的薄膜，包括金属、陶瓷和复合薄膜，支持连续生长工艺，并可轻松扩展等离子清洗和蚀刻等附加功能。这种多功能性使其成为满足各种研究和生产需求的宝贵资产。
原理
带真空站 CVD 设备的分室 CVD 管式炉是用于化学气相沉积（CVD）过程的高温真空炉。CVD 是一种通过气体或蒸汽的化学反应在基底上沉积薄膜材料的过程。带真空站的分体式 CVD 管式炉 CVD 设备采用分体式炉膛，便于在 CVD 过程中接触基底。真空站用于在炉腔内形成真空，这有助于去除杂质并提高沉积薄膜的质量。
优势
- 直观的样品观察和快速冷却：分体式炉腔可直接观察反应样品并快速冷却。
- 高温能力：最高工作温度可达 1200℃，应用广泛。
- 精确的气体控制：带有 CH4、H2、O2 和 N2 源的 4 通道 MFC 质量流量计可确保精确稳定的气体供应。
- 真空兼容性：真空站配备 4L/S 旋片真空泵，最大真空压力可达 10Pa，可进行各种真空处理。
- 高速加热和冷却：炉腔滑动系统有助于快速加热和冷却，从而实现高效的样品处理。
- 先进的温度控制：PID 可编程温度控制，精度极高，具有远程控制和集中控制功能。
- 用户友好界面：CTF Pro 控制器配备 7 英寸 TFT 触摸屏，提供直观的程序设置和数据分析。
- 多功能真空设置：不锈钢真空法兰带有可调整的端口，可容纳不同的真空泵站，以适应定制的真空环境。
- 高效节能：水冷系统和气体后流设计将能耗降至最低。
- 适用性广：适用于真空和大气保护下的 CVD、扩散和其他热处理。
安全优势
- Kindle Tech 管式炉具有过流保护和过温报警功能，炉子会自动关闭电源
- 炉子内置热耦合检测功能，一旦检测到破损或故障，炉子将停止加热并报警
- KT-CTF12 Pro 支持断电重启功能，故障后接通电源时，炉子将恢复加热程序
技术规格
| 炉型 | KT-CTF12-60 |
|---|---|
| 最高温度 | 1200℃ |
| 恒定工作温度 | 1100℃ |
| 炉管材料 | 高纯度石英 |
| 炉管直径 | 60 毫米 |
| 加热区长度 | 1x450 毫米 |
| 炉腔材料 | 日本氧化铝纤维 |
| 加热元件 | Cr2Al2Mo2 金属丝线圈 |
| 加热速率 | 0-20℃/min |
| 热电偶 | 内置 K 型 |
| 温度控制器 | 数字 PID 控制器/触摸屏 PID 控制器 |
| 温度控制精确度 | ±1℃ |
| 滑动距离 | 600 毫米 |
| 气体精确控制装置 | |
| 流量计 | MFC 质量流量计 |
| 气体通道 | 4 个通道 |
| 流量 | MFC1: 0-5SCCM O2 mfc2: 0-20scmch4 mfc3: 0- 100sccm h2 mfc4: 0-500 sccm n2 |
| 线性度 | ±0.5% F.S. |
| 重复性 | ±0.2% F.S. |
| 管路和阀门 | 不锈钢 |
| 最大工作压力 | 0.45 兆帕 |
| 流量计控制器 | 数字旋钮控制器/触摸屏控制器 |
| 标准真空装置（可选） | |
| 真空泵 | 旋片式真空泵 |
| 泵流量 | 4 升/秒 |
| 真空吸入口 | KF25 |
| 真空规 | 皮拉尼/电阻硅真空计 |
| 额定真空压力 | 10Pa |
| 高真空单元（可选） | |
| 真空泵 | 旋片泵+分子泵 |
| 泵流量 | 4L/S+110L/S |
| 真空吸入口 | KF25 |
| 真空规 | 复合真空计 |
| 额定真空压力 | 6x10-5Pa |
| 以上规格和设置可定制 | |
标准包装
| 编号 | 说明 | 数量 |
|---|---|---|
| 1 | 熔炉 | 1 |
| 2 | 石英管 | 1 |
| 3 | 真空法兰 | 2 |
| 4 | 导管隔热块 | 2 |
| 5 | 导管隔热块挂钩 | 1 |
| 6 | 耐热手套 | 1 |
| 7 | 精确气体控制 | 1 |
| 8 | 真空装置 | 1 |
| 9 | 操作手册 | 1 |
可选设置
- 管内气体检测和监控，如 H2、O2 等
- 独立炉温监控和记录
- RS 485 通信端口，用于 PC 远程控制和数据输出
- 插入式气体进料流量控制，如质量流量计和浮子流量计
- 触摸屏温度控制器，具有方便操作的多种功能
- 高真空泵站设置，如叶片真空泵、分子泵、扩散泵
警告
操作员安全是最重要的问题！ 请小心操作设备。 使用易燃易爆或有毒气体是非常危险的，操作人员在启动设备之前必须采取所有必要的预防措施。 反应器或室内正压工作是危险的，操作人员必须严格遵守安全规程。 使用空气反应材料时，尤其是在真空下，也必须格外小心。 泄漏会将空气吸入设备并导致发生剧烈反应。
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FAQ
什么是 CVD 炉？
化学气相沉积（CVD）是一种利用加热、等离子体激发或光辐射等各种能源，使气态或气态化学物质在气相或气固界面上发生化学反应，从而在反应器中形成固态沉积物的技术。简单地说，就是将两种或两种以上的气态原料引入反应室，然后相互反应形成新的材料，并沉积在基片表面。
CVD炉是由高温管式炉单元、气体控制单元和真空单元组成的组合炉系统，广泛应用于复合材料制备、微电子工艺、半导体光电、太阳能利用、光纤通信、超导技术、防护涂层等领域的实验和生产。
什么是实验室压力机？
CVD 炉是如何工作的？
CVD炉系统由高温管式炉单元、反应气源精确控制单元、真空泵站和相应的组装部件组成。
真空泵用于排除反应管内的空气，确保反应管内没有多余的气体，然后管式炉将反应管加热到目标温度，反应气源精确控制单元可将不同的气体以设定的比例引入炉管内进行化学反应，在CVD炉内形成化学气相沉积。
什么是 PECVD 方法？
CVD 的基本原理是什么？
什么是 Mpcvd？
PACVD 如何工作？
什么是射频 PECVD？
用于沉积薄膜的方法有哪些？
实验室使用液压机的目的是什么？
在 CVD 过程中使用哪种气体？
CVD过程中可以使用的气源非常多，常见的CVD化学反应包括热解、光解、还原、氧化、氧化还原，因此这些化学反应中涉及的气体都可以用于CVD过程。
我们以CVD石墨烯生长为例，CVD过程中使用的气体有CH4、H2、O2和N2。
PECVD 有哪些用途？
有哪些不同类型的 CVD 方法？
什么是 MPCVD 设备？
PACVD 是 PECVD 吗？
射频 PECVD 如何工作？
什么是薄膜沉积设备？
有哪些不同类型的实验室压力机？
CVD 系统的优势是什么？
- 可根据需要制备金属膜、非金属膜和多组分合金膜等多种薄膜。同时，它还能制备出其他方法难以获得的高质量晶体，如 GaN、BP 等。可同时沉积大量成分均匀的涂层，这是液相外延（LPE）和分子束外延（MBE）等其他制膜方法所无法比拟的。
- 工作条件在常压或低真空条件下进行，因此涂层衍射效果好，形状复杂的工件也能得到均匀的涂层，这一点比 PVD 优越得多。
- 由于反应气体、反应产物和基材之间的相互扩散，可获得附着力良好的涂层，这对于制备耐磨膜和防腐蚀膜等表面强化膜至关重要。
- 有些薄膜的生长温度远低于薄膜材料的熔点。
- 有些薄膜的生长温度远低于薄膜材料的熔点，在低温生长条件下，反应气体和反应器壁及其所含杂质几乎不发生反应，因此可以获得纯度高、结晶度好的薄膜。
- 化学气相沉积可以获得光滑的沉积表面。这是因为与 LPE 相比，化学气相沉积（CVD）是在高饱和度下进行的，成核率高，成核密度大，且在整个平面上分布均匀，因此能获得宏观光滑的表面。
- 低辐射损伤，这是制造金属氧化物半导体（MOS）和其他器件的必要条件
PECVD 有哪些优势？
使用化学气相沉积设备有哪些优势？
Mpcvd 有哪些优势？
使用 PACVD 有哪些优势？
射频 PECVD 有哪些优势？
什么是薄膜沉积技术？
PECVD 代表什么？
等离子体化学气相沉积（PECVD）是利用等离子体激活反应气体，促进基片表面或近表面空间发生化学反应，生成固体薄膜的技术。等离子体化学气相沉积技术的基本原理是，在射频或直流电场的作用下，源气体电离形成等离子体，以低温等离子体为能源，引入适量的反应气体，利用等离子体放电激活反应气体，实现化学气相沉积。
根据等离子体的产生方式，可分为射频等离子体、直流等离子体和微波等离子体 CVD 等......
PECVD 是什么意思？
ALD 和 PECVD 的区别是什么？
化学气相沉积设备有哪些应用？
CVD 钻石是真的还是假的？
PACVD 的常见应用有哪些？
使用薄膜沉积设备有哪些优势？
CVD 和 PECVD 的区别是什么？
PECVD与传统CVD技术的区别在于等离子体中含有大量高能电子，可以提供化学气相沉积过程中所需的活化能，从而改变了反应体系的供能方式。由于等离子体中的电子温度高达 10000K，电子与气体分子之间的碰撞可促进反应气体分子的化学键断裂和重组，从而生成更多的活性化学基团，而整个反应体系则保持较低的温度。
因此，与 CVD 工艺相比，PECVD 可以在较低的温度下进行相同的化学气相沉积过程。
PECVD 和溅射有什么区别？
选择化学气相沉积设备时应考虑哪些因素？
选择 PACVD 系统时应考虑哪些因素？
选择薄膜沉积设备时应考虑哪些因素？
化学气相沉积机能否用于多层薄膜沉积？
操作薄膜沉积设备有哪些安全注意事项？
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