在 MOCVD（金属有机化学气相沉积）中，前驱体是金属有机化合物，其中包含一个与一个或多个有机配位体结合的金属中心。
这些前驱体对各种材料的沉积至关重要，包括化合物半导体、高质量电介质薄膜和 CMOS 设备中的金属薄膜。
3 个要点说明
1.前驱体的组成
金属中心
前驱体中的金属中心是分解或反应后形成所需材料的元素。
金属的选择取决于所沉积的特定材料。
例如，在 III-V 族半导体中，通常使用镓或铟等元素。
有机配体
这些是与金属中心结合的基团。
它们通常是易于气化和热分解的有机分子。
有机配体在运输过程中保持稳定，但在沉积条件下很容易分解，释放出金属中心以形成薄膜，并留下易挥发的副产品，这些副产品很容易从反应室中清除。
2.MOCVD 的功能
材料沉积
金属有机前驱体被引入反应室，在反应室中发生热分解或被等离子体或光等其他方式激活。
金属中心与其他前驱体分子或基底发生反应，形成所需的材料。
有机配体分解后会释放出挥发性副产品，这些副产品会从系统中清除，从而实现薄膜的可控生长。
控制和精度
MOCVD 可以精确控制沉积薄膜的成分和掺杂水平。
这种精确度对于制造复杂的电子和光电设备至关重要。
前驱体通常通过载气输送，载气可通过精确控制来调节反应室中前驱体的浓度和流速。
3.应用
MOCVD 广泛用于生产各种电子和光电设备，包括发光二极管 (LED)、激光二极管、太阳能电池和光电探测器。
它能够生长出多种不同成分的复杂层，因此特别适用于这些应用。
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