MPCVD
915MHz MPCVD 金刚石机
货号 : MP-CVD-101
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介绍
MPCVD 是微波等离子体化学气相沉积的缩写。它是一种化学气相沉积工艺，利用连续微波源产生并维持由反应化学品和必要催化剂组成的高活性等离子体。该工艺用于在基底表面沉积金刚石薄膜。
MPCVD 系统由进行沉积过程的真空室、微波发生器和气体输送系统组成。微波发生器通常是磁控管或速调管，可产生 2.45 GHz 范围内的微波，通过石英窗口耦合到真空室。气体输送系统配有质量流量控制器 (MFC)，用于控制进入真空室的气体流量。
应用
MPCVD 是微波等离子体化学气相沉积的简称。它是一种在实验室中使用含碳气体和微波等离子体生长高质量金刚石薄膜的方法。它利用连续微波源产生并维持由反应化学品和必要催化剂组成的高活性等离子体。它通常用于 ANFF 网络中沉积金刚石层。引入甲烷和氢气作为气体前驱体，在金刚石种子基底上生长出新的金刚石。此外，MPCVD 中使用的 KINTEK 设备可在生长过程中将掺杂剂引入碳结构中。这些掺杂剂包括硼（可产生超导金刚石）和氮空位（可产生有趣的光致发光特性，可用于量子信息系统）。
细节与部件
技术规格
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微波系统（根据可选电源而定） |
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真空系统和反应腔 |
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样品支架系统 |
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气体系统 |
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系统冷却 |
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温度测量方法 |
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SL901A 设备关键部件列表
| 序列号 | 模块名称 | 备注 |
|---|---|---|
| 1 | 微波电源 | 国产标准磁控管：英杰电气 / 区别电源 国产固态源：进口磁控管：MKS/ Pastoral (+100, 000) |
| 2 | 波导、三针、模式转换器、上谐振器 | 自制 |
| 3 | 真空反应室（上腔体、下腔体、连接器） | 自制 |
| 4 | 红外测温仪、光位移元件、支架 | 红外测温仪、光位移元件、Fuji Gold Siemens + Schneider 支架 |
| 5 | 水冷却工作台运动部件（气缸、工件等） | |
| 6 | 陶瓷薄膜真空计、皮拉尼真空计 | Inficon |
| 7 | 真空阀组件（超高真空闸阀、精密气动阀*2、电磁真空充气差动阀） | 富士金 + 中科 + 希迈特 |
| 8 | 真空泵和连接管件、三通、KF25 波纹管*2、适配器 | 泵：Flyover 16L |
| 9 | 金属微波密封环*2；金属真空密封环*1；石英板 | 石英：上海飞利华半导体级高纯石英 |
| 10 | 循环水部件（接头、分流块、流量检测器） | 日本 SMC/CKD |
| 11 | 气动部件（CKD 过滤器、airtac 多路电磁阀、管件和适配器） | |
| 12 | 燃气接头、EP 燃气管、VCR 接头、0.0023μm*1 过滤器、10μm*2 过滤器 | 富士金属 |
| 13 | 机器外壳、不锈钢工作台、万向轮、脚垫、支架紧固螺钉等 | 定制加工 |
| 14 | 气体流量计*6 （包括一个压力控制器） | 标准七星，可选 Fuji Gold ( +34,000 ) / Alicat (42,000) |
| 15 | 气板加工（五通气体、过滤器*5、气动阀*5、手动阀*6、管道焊接） | 富士金牌 |
| 16 | PLC 自动控制 | 西门子 + 施耐德 |
| 17 | 钼台 | |
优点
- 它可以平滑、连续地调节微波功率，稳定地控制反应温度，从而避免了其他方法（如 DC-PJ CVD 法）可能出现的问题，如电弧导致的种子与基底脱落和火焰熄灭。
- 通过调整反应室的结构，控制微波功率和压力，形成大面积稳定的放电等离子体，MPCVD 方法可以生产出高质量、大尺寸的单晶金刚石。与其他 CVD 方法相比，这使其成为工业应用中最有前途的金刚石合成方法。
- 它允许使用多种气体来满足不同的工业需求，并避免了热丝对金刚石的污染。与使用 HPHT 方法生产的金刚石相比，MPCVD 方法生产的金刚石纯度更高，而且生产过程能耗更低。
- MPCVD 方法有利于生产较大的钻石。
FAQ
什么是 CVD 炉？
化学气相沉积（CVD）是一种利用加热、等离子体激发或光辐射等各种能源，使气态或气态化学物质在气相或气固界面上发生化学反应，从而在反应器中形成固态沉积物的技术。简单地说，就是将两种或两种以上的气态原料引入反应室，然后相互反应形成新的材料，并沉积在基片表面。
CVD炉是由高温管式炉单元、气体控制单元和真空单元组成的组合炉系统，广泛应用于复合材料制备、微电子工艺、半导体光电、太阳能利用、光纤通信、超导技术、防护涂层等领域的实验和生产。
CVD 炉是如何工作的？
CVD炉系统由高温管式炉单元、反应气源精确控制单元、真空泵站和相应的组装部件组成。
真空泵用于排除反应管内的空气，确保反应管内没有多余的气体，然后管式炉将反应管加热到目标温度，反应气源精确控制单元可将不同的气体以设定的比例引入炉管内进行化学反应，在CVD炉内形成化学气相沉积。
什么是 Mpcvd？
什么是 CVD 金刚石设备？
有哪些类型的金刚石生长机？
CVD 的基本原理是什么？
用于沉积薄膜的方法有哪些？
在 CVD 过程中使用哪种气体？
CVD过程中可以使用的气源非常多，常见的CVD化学反应包括热解、光解、还原、氧化、氧化还原，因此这些化学反应中涉及的气体都可以用于CVD过程。
我们以CVD石墨烯生长为例，CVD过程中使用的气体有CH4、H2、O2和N2。
什么是 MPCVD 设备？
CVD 金刚石设备如何工作？
实验室培育钻石有哪些优势？
有哪些不同类型的 CVD 方法？
什么是薄膜沉积设备？
CVD 系统的优势是什么？
- 可根据需要制备金属膜、非金属膜和多组分合金膜等多种薄膜。同时，它还能制备出其他方法难以获得的高质量晶体，如 GaN、BP 等。可同时沉积大量成分均匀的涂层，这是液相外延（LPE）和分子束外延（MBE）等其他制膜方法所无法比拟的。
- 工作条件在常压或低真空条件下进行，因此涂层衍射效果好，形状复杂的工件也能得到均匀的涂层，这一点比 PVD 优越得多。
- 由于反应气体、反应产物和基材之间的相互扩散，可获得附着力良好的涂层，这对于制备耐磨膜和防腐蚀膜等表面强化膜至关重要。
- 有些薄膜的生长温度远低于薄膜材料的熔点。
- 有些薄膜的生长温度远低于薄膜材料的熔点，在低温生长条件下，反应气体和反应器壁及其所含杂质几乎不发生反应，因此可以获得纯度高、结晶度好的薄膜。
- 化学气相沉积可以获得光滑的沉积表面。这是因为与 LPE 相比，化学气相沉积（CVD）是在高饱和度下进行的，成核率高，成核密度大，且在整个平面上分布均匀，因此能获得宏观光滑的表面。
- 低辐射损伤，这是制造金属氧化物半导体（MOS）和其他器件的必要条件
Mpcvd 有哪些优势？
使用 CVD 金刚石设备有哪些优势？
CVD 生长机的价格是多少？
使用化学气相沉积设备有哪些优势？
什么是薄膜沉积技术？
PECVD 代表什么？
等离子体化学气相沉积（PECVD）是利用等离子体激活反应气体，促进基片表面或近表面空间发生化学反应，生成固体薄膜的技术。等离子体化学气相沉积技术的基本原理是，在射频或直流电场的作用下，源气体电离形成等离子体，以低温等离子体为能源，引入适量的反应气体，利用等离子体放电激活反应气体，实现化学气相沉积。
根据等离子体的产生方式，可分为射频等离子体、直流等离子体和微波等离子体 CVD 等......
PECVD 是什么意思？
CVD 钻石是真的还是假的？
选择 CVD 金刚石设备时应考虑哪些因素？
化学气相沉积设备有哪些应用？
使用薄膜沉积设备有哪些优势？
CVD 和 PECVD 的区别是什么？
PECVD与传统CVD技术的区别在于等离子体中含有大量高能电子，可以提供化学气相沉积过程中所需的活化能，从而改变了反应体系的供能方式。由于等离子体中的电子温度高达 10000K，电子与气体分子之间的碰撞可促进反应气体分子的化学键断裂和重组，从而生成更多的活性化学基团，而整个反应体系则保持较低的温度。
因此，与 CVD 工艺相比，PECVD 可以在较低的温度下进行相同的化学气相沉积过程。
CVD 金刚石设备生产的金刚石有哪些常见应用？
选择化学气相沉积设备时应考虑哪些因素？
选择薄膜沉积设备时应考虑哪些因素？
化学气相沉积机能否用于多层薄膜沉积？
操作薄膜沉积设备有哪些安全注意事项？
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I'm marvelled by the MPCVD machine's ability to produce high-purity diamonds with minimal energy consumption.
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The MPCVD machine's ability to adjust microwave power and control reaction temperature precisely is remarkable. It ensures consistent and high-quality diamond synthesis.
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