反应溅射的机理涉及从金属靶上溅射出的原子与从基底上的放电气体中扩散出的反应气体分子之间的化学反应。这种反应生成化合物薄膜，作为基底上的涂层材料。
在反应溅射过程中，氧气或氮气等非惰性气体与硅等元素靶材料一起被引入溅射室。当靶材中的金属分子到达基底表面时，会与反应气体分子发生反应，形成新的化合物。然后，这种化合物以薄膜的形式沉积在基底上。
工艺中使用的反应气体（如氮气或氧气）会与基片表面的金属分子发生化学反应，从而形成坚硬的涂层。反应溅射工艺结合了传统溅射和化学气相沉积（CVD）的原理。它需要使用大量的反应气体来生长薄膜，并将多余的气体抽出。与溅射速度较慢的化合物相比，金属的溅射速度更快。
在溅射室中引入活性气体，如氧气或氮气，可分别生成氧化膜或氮化膜。薄膜的成分可通过调节惰性气体和活性气体的相对压力来控制。薄膜的化学计量是优化功能特性（如氮化硅的应力和氧化硅的折射率）的重要参数。
反应溅射需要适当控制工作气体（或惰性气体）和反应气体的分压等参数，以实现理想的沉积效果。该过程表现出类似滞后的行为，因此有必要找到理想的工作点以实现高效的薄膜沉积。人们已经提出了一些模型，如 Berg 模型，用于估算反应气体对溅射过程的影响。
总之，反应溅射是等离子溅射工艺的一种变体，在这种工艺中，溅射原子和反应气体之间会发生化学反应，从而在基底上沉积出化合物薄膜。薄膜的成分可通过调整惰性气体和活性气体的相对压力来控制。
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