等离子体活化化学气相沉积（PACVD）是一种通过等离子体引发的化学反应在基底上沉积薄膜的技术。
这种方法涉及使用气态前驱体材料，这些材料在等离子体的影响下发生反应，从而在工件表面形成薄膜。
这些化学反应所需的能量由等离子体中产生的高能电子提供，从而导致工件温度适度升高。
什么是等离子体活化化学气相沉积法？(四个要点说明）
1.PACVD 的机理
在 PACVD 过程中，首先将气态前驱体引入真空室。
真空室内有两个平面电极，其中一个与射频（RF）电源耦合。
射频电源在电极之间产生等离子体，使气体分子通电并引发化学反应。
这些反应导致薄膜沉积在腔室内的基底上。
与传统的化学气相沉积（CVD）相比，使用等离子体可使沉积过程在较低的温度下进行，因此适用于对温度敏感的基底。
2.PACVD 的类型
PACVD 可根据所用等离子体的频率进一步分类。
射频增强等离子体化学气相沉积（RF-PECVD）： 这种方法使用射频等离子体，通过电容耦合（CCP）或电感耦合（ICP）产生。
CCP 通常会导致较低的电离率和较低的前驱体解离效率，而 ICP 可产生较高的等离子体密度，从而提高沉积效率。
甚高频等离子体化学气相沉积（VHF-PECVD）： 该变体使用极高频等离子体，可进一步提高沉积过程的效率。
3.应用和优势
PACVD 广泛应用于半导体制造和其他行业，用于沉积耐磨损、耐腐蚀和摩擦系数低的薄膜。
在低温条件下沉积薄膜的能力尤其有利于无法承受高温的脆弱基底。
此外，PACVD 还可与物理气相沉积 (PVD) 技术相结合，形成复杂的层结构，并促进层的掺杂，如类金刚石碳 (DLC)，它以其优异的机械性能而著称。
4.工艺概述
PACVD 工艺包括通过等离子激发和电离激活化学反应。
利用脉冲光或高频放电，这种活化可在低至约 200 °C 的温度下沉积材料。
这种低温能力对 DLC 等材料的沉积至关重要，因为这些材料需要精确的温度控制才能保持所需的特性。
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