知识 烧结陶瓷的孔隙率是多少?
作者头像

技术团队 · Kintek Solution

更新于 1周前

烧结陶瓷的孔隙率是多少?

烧结陶瓷的孔隙率受多种因素影响,包括生坯的初始孔隙率、烧结温度、持续时间和施加的压力。一般来说,烧结的目的是减少孔隙率,从而提高材料的强度、透光性、导热性和导电性。不过,在特定应用中,可以保留孔隙率以实现某些机械性能。

初始孔隙率和烧结条件:

生坯的初始孔隙率对烧结陶瓷的最终孔隙率有很大影响。如果生坯的初始孔隙率较高,通常需要更长的时间和更高的温度才能使最终产品达到较低的孔隙率。对于纯氧化物陶瓷来说尤其如此,因为颗粒在固态下会发生扩散,因此需要更长的烧结时间和更高的温度。温度和时间的影响:

在烧结过程中,热量会使陶瓷颗粒粘结在一起,从而降低整体孔隙率。氧化锆在 1,100°C 至 1,200°C 左右的温度下从单斜晶体转变为多四方晶体,就是烧结如何显著增加颗粒密度和减少孔隙率的一个明显例子。这一过程还能显著提高强度和半透明度。

压力的作用:

在烧结过程中施加压力可大大缩短烧结时间和最终孔隙率。压力有助于陶瓷颗粒的固结,促进更快速有效的致密化过程。这种方法尤其适用于在较短时间内达到极低的孔隙率水平。保持孔隙率:

在某些情况下,烧结陶瓷的孔隙率会被有意保留,以达到特定的机械或功能特性。这就需要仔细控制烧结过程,以平衡烧结的致密化效果和保持一定孔隙率水平的需要。技术和设备:

相关产品

9MPa 空气压力烧结炉

9MPa 空气压力烧结炉

气压烧结炉是一种常用于先进陶瓷材料烧结的高科技设备。它结合了真空烧结和压力烧结技术,可实现高密度和高强度陶瓷。

真空牙科烤瓷烧结炉

真空牙科烤瓷烧结炉

使用 KinTek 真空陶瓷炉可获得精确可靠的结果。它适用于所有瓷粉,具有双曲陶瓷炉功能、语音提示和自动温度校准功能。

氮化硼(BN)坩埚 - 烧结磷粉

氮化硼(BN)坩埚 - 烧结磷粉

磷粉烧结氮化硼(BN)坩埚表面光滑、致密、无污染、使用寿命长。

真空压力烧结炉

真空压力烧结炉

真空压力烧结炉专为金属和陶瓷烧结中的高温热压应用而设计。其先进的功能可确保精确的温度控制、可靠的压力维持以及无缝操作的坚固设计。

真空管热压炉

真空管热压炉

利用真空管式热压炉降低成型压力并缩短烧结时间,适用于高密度、细粒度材料。是难熔金属的理想选择。

氧化铝氧化锆异型件加工定制陶瓷板

氧化铝氧化锆异型件加工定制陶瓷板

氧化铝陶瓷具有良好的导电性、机械强度和耐高温性,而氧化锆陶瓷则以高强度和高韧性著称,应用广泛。

碳化硅(SIC)陶瓷板

碳化硅(SIC)陶瓷板

氮化硅陶瓷是一种在烧结过程中不会收缩的无机材料陶瓷。它是一种高强度、低密度、耐高温的共价键化合物。

带陶瓷纤维内衬的真空炉

带陶瓷纤维内衬的真空炉

真空炉采用多晶陶瓷纤维隔热内衬,具有出色的隔热性能和均匀的温度场。有 1200℃ 或 1700℃ 两种最高工作温度可供选择,具有高真空性能和精确的温度控制。

真空热压炉

真空热压炉

了解真空热压炉的优势!在高温高压下生产致密难熔金属和化合物、陶瓷以及复合材料。

氧化锆陶瓷板 - 钇稳定精密机械加工

氧化锆陶瓷板 - 钇稳定精密机械加工

钇稳定氧化锆具有高硬度和耐高温的特点,已成为耐火材料和特种陶瓷领域的重要材料。

碳化硅 (SiC) 溅射靶材/粉末/线材/块材/颗粒

碳化硅 (SiC) 溅射靶材/粉末/线材/块材/颗粒

正在为您的实验室寻找高质量的碳化硅 (SiC) 材料?别再犹豫了!我们的专家团队以合理的价格根据您的确切需求生产和定制碳化硅材料。立即浏览我们的溅射靶材、涂层、粉末等产品系列。

氮化硅(SiC)陶瓷薄板精密加工陶瓷

氮化硅(SiC)陶瓷薄板精密加工陶瓷

氮化硅板在高温下性能均匀,是冶金工业中常用的陶瓷材料。

氮化硅 (Si3N4) 溅射靶材/粉末/金属丝/块/颗粒

氮化硅 (Si3N4) 溅射靶材/粉末/金属丝/块/颗粒

为您的实验室需求提供经济实惠的氮化硅 (Si3N4) 材料。我们生产和定制各种形状、尺寸和纯度的产品,以满足您的要求。浏览我们的溅射靶材、粉末等产品系列。

碳化硅(SIC)耐磨陶瓷片

碳化硅(SIC)耐磨陶瓷片

碳化硅(原文如此)陶瓷片由高纯度碳化硅和超细粉组成,经振动成型和高温烧结而成。


留下您的留言