真空热压炉
真空热压炉
货号 : KT-VHP
价格根据 规格和定制情况变动
- 工作温度
- 1500℃ / 2200℃
- 工作压力
- 10-400T
- 压力距离
- 100-200 毫米
- 真空压力
- 6x10-3Pa
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简介
真空热压炉是在真空或大气条件下对材料进行加热和加压的成套设备。根据材料和加热温度的不同，加热元件可采用石墨加热器、钼加热器、感应加热等；加压方式可采用单向或双向液压加压。
在高温高压和真空或大气环境下，原料固体颗粒相互粘结，晶粒长大，空隙（气孔）和晶界逐渐减少；通过材料的转移，其总体积缩小，密度增大，成为具有特定显微结构的致密多晶烧结体，从而使材料得以压制成型。
在高温、高压、真空或大气条件下，成品材料的密度、硬度及其他机械、电子和热性能都能得到显著改善。
应用
真空管式热压炉是一种用途广泛、功能强大的工具，适用于各行各业的高温工艺。该炉可在真空或受控气氛下运行，特别适合需要精确温度控制和洁净环境的应用。主要应用领域包括
- 晶体生长：是合成和生长各类晶体的理想选择，这在电子和半导体行业至关重要。
- 热处理：用于金属和合金的热处理，以提高其机械性能，如硬度、延展性和强度。
- 薄膜沉积：在电子设备、太阳能电池和光学涂层的制造过程中，薄膜沉积必不可少。
- 材料科学研究：广泛应用于陶瓷、复合材料和高级合金等新材料的实验室研究。
- 冶金学：有助于金属的提纯和合金化，以及耐火材料的生产。
- 电子制造：对退火、烧结和电子元件生产等工艺至关重要。
- 化学工业：用于高温化学反应和在可控气氛下合成化学品。
- 玻璃制造业：用于生产特种玻璃和通过热处理改变玻璃特性。
- 特种材料生产：用于制造具有独特性能的材料，如用于航空航天和国防的材料。
- 学术和研究机构：大学实验室和研究中心用于先进材料研发的主要设备。
细节与部件
- 双壳体结构，带水冷夹套，内壳由不锈钢制成，经过精细抛光。外壳为经过防锈处理的优质碳钢或经过喷砂处理的不锈钢。
- 加热元件采用石墨或钼丝。加热分为单相加热和三相加热。加热元件的合理设计有助于提高炉腔内温度的均匀性。
- 炉子可通过电气控制系统轻松操作。温度和压力由 PLC 模拟控制器控制，或通过温度和压力可编程控制器自动完成烧结过程。控制系统具有断水、过温和过流等报警和保护功能。
原理
真空管式热压炉的工作原理是在真空或大气环境下对材料进行加热和加压。它利用石墨或钼加热器等加热元件，可进行单向或双向加压。这一过程可粘合原材料颗粒、减少空隙并提高密度，从而形成紧凑的烧结体。该炉专为各行各业设计，可确保精确的热处理和材料烧结。
优势
真空管式热压炉具有众多优点，是各种热处理工艺和应用的上佳选择。以下是一些主要优点：
- 热处理工艺的多样性：该炉支持多种热处理工艺，适用于各种材料和行业。这种多功能性确保它能满足材料加工的各种需求。
- 通过高压气体淬火实现高速循环：窑炉的设计有利于高速循环，这对高效生产至关重要。高压气淬功能增强了冷却过程，从而加快了循环时间，提高了生产率。
- 能源和资源效率：该炉能耗和工艺气体消耗低，既环保又经济。这种效率不仅能降低运营成本，还能最大限度地减少对环境的影响。
- 环保低排放：窑炉的设计确保了工艺气体的低排放，使其成为希望最大限度减少对环境影响的行业的环保选择。
- 简单的模块化设计：窑炉设计简单，易于安装和维护。模块化设计意味着它可以根据具体任务和工厂条件进行安装和调整，从而确保最佳性能。
- 质量保证和可重复的工艺结果：窑炉的设计保证了质量和工艺结果的可重复性，这对于精度和一致性要求极高的行业来说至关重要。
- 预测性维护：预测性维护等先进功能有助于在潜在问题升级之前将其识别出来，确保将停机时间降至最短，并延长设备的使用寿命。
结构介绍
该电炉有石墨加热和电阻丝加热两种方式，适用于金属粉末、无机非金属材料等在真空和 hh 温度下的热压烧结；当然，也可在保护气氛下进行热压烧结。通过这种方式，可以完成材料的致密化，防止变形，并抑制纳米粉体的粒度。
| 规格 |
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|---|---|
| 炉壳 |
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| 炉侧 |
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| 加热元件 |
|
| 保温层 |
|
| 真空系统 |
|
| 电控系统主电路 |
|
功能特点
- 双层 SUS304 不锈钢真空室结构，夹套冷水循环冷却方式保持炉面温度
- 双立柱支撑结构，稳定的液压系统，压力可手动控制或自动控制，压力调节和保持精确
- 先进的保温材料，导热系数低，保温效果好，可有效隔绝热量，降低能耗
- 温度范围广。可选择多种加热元件，如石墨、钼、钨、感应加热等。在合适的保护气氛下，温度可达 2800 ℃，可适应不同材料的热压烧结；
- 多样化的真空系统配置，可根据工艺选择不同的真空度；
- 设有充放气系统，可在真空环境、惰性气氛或还原气氛下进行热压烧结；
- 人性化配置，可实现手动操作和智能操作；
- 一炉多用，可作为简易真空或气氛烧结炉使用；
- 可选功能类型多样化，垂直上出料、垂直侧出料、单向加压、双向加压等。
技术规格
| 工作温度 | 1500℃ / 2200℃ |
|---|---|
| 加热元件 | 钼/石墨 |
| 工作压力 | 10-400T |
| 压力距离 | 100-200 毫米 |
| 真空压力 | 6x10-3Pa |
| 有效工作区直径范围 | 90-600 毫米 |
| 有效工作区域直径范围 | 120-600 毫米 |
警告
操作员安全是最重要的问题！ 请小心操作设备。 使用易燃易爆或有毒气体是非常危险的，操作人员在启动设备之前必须采取所有必要的预防措施。 反应器或室内正压工作是危险的，操作人员必须严格遵守安全规程。 使用空气反应材料时，尤其是在真空下，也必须格外小心。 泄漏会将空气吸入设备并导致发生剧烈反应。
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FAQ
真空炉有哪些用途？
什么是 CVD 炉？
化学气相沉积（CVD）是一种利用加热、等离子体激发或光辐射等各种能源，使气态或气态化学物质在气相或气固界面上发生化学反应，从而在反应器中形成固态沉积物的技术。简单地说，就是将两种或两种以上的气态原料引入反应室，然后相互反应形成新的材料，并沉积在基片表面。
CVD炉是由高温管式炉单元、气体控制单元和真空单元组成的组合炉系统，广泛应用于复合材料制备、微电子工艺、半导体光电、太阳能利用、光纤通信、超导技术、防护涂层等领域的实验和生产。
什么是牙科炉？
什么是实验室压力机？
真空热压炉的用途是什么？
真空炉的工艺流程是什么？
CVD 炉是如何工作的？
CVD炉系统由高温管式炉单元、反应气源精确控制单元、真空泵站和相应的组装部件组成。
真空泵用于排除反应管内的空气，确保反应管内没有多余的气体，然后管式炉将反应管加热到目标温度，反应气源精确控制单元可将不同的气体以设定的比例引入炉管内进行化学反应，在CVD炉内形成化学气相沉积。
什么是真空电弧熔炼工艺？
颗粒机有哪些应用？
牙科炉有哪些不同类型？
实验室使用液压机的目的是什么？
什么是 PECVD 方法？
真空热压炉有哪些优点？
真空炉中使用什么气体？
在 CVD 过程中使用哪种气体？
CVD过程中可以使用的气源非常多，常见的CVD化学反应包括热解、光解、还原、氧化、氧化还原，因此这些化学反应中涉及的气体都可以用于CVD过程。
我们以CVD石墨烯生长为例，CVD过程中使用的气体有CH4、H2、O2和N2。
什么是真空电弧重熔 (VAR) 炉？
颗粒机如何工作？
牙科炉的温度是多少？
有哪些不同类型的实验室压力机？
PECVD 有哪些用途？
真空热压炉如何工作？
真空炉中使用的加热元件是什么？
CVD 系统的优势是什么？
- 可根据需要制备金属膜、非金属膜和多组分合金膜等多种薄膜。同时，它还能制备出其他方法难以获得的高质量晶体，如 GaN、BP 等。可同时沉积大量成分均匀的涂层，这是液相外延（LPE）和分子束外延（MBE）等其他制膜方法所无法比拟的。
- 工作条件在常压或低真空条件下进行，因此涂层衍射效果好，形状复杂的工件也能得到均匀的涂层，这一点比 PVD 优越得多。
- 由于反应气体、反应产物和基材之间的相互扩散，可获得附着力良好的涂层，这对于制备耐磨膜和防腐蚀膜等表面强化膜至关重要。
- 有些薄膜的生长温度远低于薄膜材料的熔点。
- 有些薄膜的生长温度远低于薄膜材料的熔点，在低温生长条件下，反应气体和反应器壁及其所含杂质几乎不发生反应，因此可以获得纯度高、结晶度好的薄膜。
- 化学气相沉积可以获得光滑的沉积表面。这是因为与 LPE 相比，化学气相沉积（CVD）是在高饱和度下进行的，成核率高，成核密度大，且在整个平面上分布均匀，因此能获得宏观光滑的表面。
- 低辐射损伤，这是制造金属氧化物半导体（MOS）和其他器件的必要条件
真空电弧熔炼炉如何工作？
使用颗粒机有哪些好处？
烤瓷炉有什么用途？
PECVD 有哪些优势？
真空热压炉的常见应用有哪些？
PECVD 代表什么？
等离子体化学气相沉积（PECVD）是利用等离子体激活反应气体，促进基片表面或近表面空间发生化学反应，生成固体薄膜的技术。等离子体化学气相沉积技术的基本原理是，在射频或直流电场的作用下，源气体电离形成等离子体，以低温等离子体为能源，引入适量的反应气体，利用等离子体放电激活反应气体，实现化学气相沉积。
根据等离子体的产生方式，可分为射频等离子体、直流等离子体和微波等离子体 CVD 等......
PECVD 是什么意思？
真空电弧熔炼炉有哪些应用？
选择颗粒机时应考虑哪些因素？
ALD 和 PECVD 的区别是什么？
选择真空热压炉时应考虑哪些因素？
CVD 和 PECVD 的区别是什么？
PECVD与传统CVD技术的区别在于等离子体中含有大量高能电子，可以提供化学气相沉积过程中所需的活化能，从而改变了反应体系的供能方式。由于等离子体中的电子温度高达 10000K，电子与气体分子之间的碰撞可促进反应气体分子的化学键断裂和重组，从而生成更多的活性化学基团，而整个反应体系则保持较低的温度。
因此，与 CVD 工艺相比，PECVD 可以在较低的温度下进行相同的化学气相沉积过程。
使用真空电弧熔炼炉有哪些优势？
PECVD 和溅射有什么区别？
使用真空电弧熔炼炉时应遵守哪些安全预防措施？
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