氧化镓溅射靶材是由陶瓷化合物氧化镓制成的固体板。磁控溅射工艺中使用这种靶材在半导体晶片或光学元件等基底上沉积氧化镓薄膜。
详细说明:
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溅射靶材的成分:
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氧化镓溅射靶材由化合物氧化镓(Ga₂O₃)组成。选择这种材料是因为它具有有利于各种应用的特殊性能,如电气和光学性能。靶材通常是高密度、高纯度的固体板,可确保沉积薄膜的质量和均匀性。溅射工艺:
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在磁控溅射工艺中,氧化镓靶被置于真空室中,并受到高能粒子(通常是电离气体)的轰击。这种轰击会使氧化镓原子从靶材中喷射出来,并穿过真空,以薄膜的形式沉积在基底上。该过程受到控制,以达到所需的薄膜厚度和特性。
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溅射氧化镓的优点:
与其他沉积方法相比,溅射氧化镓具有多项优势。生成的薄膜致密,与基底有良好的附着力,并能保持目标材料的化学成分。这种方法对于熔点高、难以蒸发的材料尤其有效。在溅射过程中使用氧气等活性气体也能提高沉积薄膜的性能。
应用: