在沉积过程中冷却磁控溅射源有几个原因。
在沉积过程中冷却磁控溅射源的 4 个主要原因
1.散热
在溅射过程中，高能离子轰击目标材料。
这会导致金属原子喷射并产生热量。
用水冷却靶材有助于散热和防止过热。
通过保持较低的温度，靶材可以继续有效地释放原子进行沉积，而不会达到熔点。
2.防止损坏
在磁控溅射中使用强力磁铁有助于将等离子体中的电子限制在靶材表面附近。
这种限制可防止电子直接撞击基底或生长中的薄膜，以免造成损坏。
冷却靶材可减少从靶材到基底的能量传递，从而进一步防止损坏。
3.保持薄膜质量
在磁控溅射中冷却靶材有助于保持沉积薄膜的质量。
通过控制温度，可以优化沉积过程，以达到所需的薄膜特性，如厚度、附着力和均匀性。
冷却还有助于最大限度地减少生长薄膜中的背景气体，从而获得更高质量的涂层。
4.与各种材料的兼容性
磁控溅射是一种多用途沉积技术，可用于各种材料，无论其熔化温度如何。
冷却靶材可以沉积熔点较高的材料，从而扩大了可能的涂层材料范围。
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