实验室管式炉是一种用于合成和提纯无机和有机化合物的电气设备。它有一个圆柱形空腔,空腔周围是隔热基质中的加热线圈。
温度通过热电偶和数字控制器进行监控和调节。某些型号有多个加热区和一个 RS-232 接口,用于对特定功能进行编程。
使用 MoSi2 等材料制成的加热元件,这些炉子的工作温度可高达 1800 °C,从而实现了先进的应用。管子材料因反应物的腐蚀性而异,包括氧化铝、Pyrex、熔融石英、钼或钨。
实验室管式炉是一种用于合成和提纯无机和有机化合物的电气设备。它有一个圆柱形空腔,空腔周围是隔热基质中的加热线圈。
温度通过热电偶和数字控制器进行监控和调节。某些型号有多个加热区和一个 RS-232 接口,用于对特定功能进行编程。
使用 MoSi2 等材料制成的加热元件,这些炉子的工作温度可高达 1800 °C,从而实现了先进的应用。管子材料因反应物的腐蚀性而异,包括氧化铝、Pyrex、熔融石英、钼或钨。
货号: KT-TF12
货号: KT-TF14
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货号: KT-MTF
货号: KT-PTF
货号: KT-RTP
货号: KT-VTF
我们拥有满足您所有实验室需求的最佳管式炉解决方案。我们广泛的产品组合提供一系列标准解决方案,以满足您的要求。无论您需要单区或多区、水平/立式、分体式和旋转式管式炉,还是连续/批量旋转式管式炉,我们都能满足您的需求。我们的定制设计服务几乎可以满足客户的任何要求。
使用管式炉而不是箱式炉具有多种优势,例如,管式炉的容积较小,加热速度较快,因此更适合处理较小的样品。密封的工作管可保护炉子结构不受污染物的影响,同时也简化了样品周围改良气氛的维护工作。
我们的管式炉以其实惠的价格和完善的定制服务成为实验室研究人员的绝佳选择。我们的产品系列可提供符合您需求的标准解决方案,而对于更为独特的应用,我们的定制设计服务可满足您的具体要求。
实验管式炉是一种经典的外加热高温管式炉,又名热壁加热炉。
根据工作温度的不同,炉管材料通常可采用透明石英管、高纯氧化铝陶瓷管和高强度金属合金管。
为满足不同的热研究目的,管式炉可设计成多加热区,以便灵活控制管工作室内的温度梯度;炉管可在可控气氛工作环境或高真空工作环境中工作。
化学气相沉积(CVD)是一种利用加热、等离子体激发或光辐射等各种能源,使气态或气态化学物质在气相或气固界面上发生化学反应,从而在反应器中形成固态沉积物的技术。简单地说,就是将两种或两种以上的气态原料引入反应室,然后相互反应形成新的材料,并沉积在基片表面。
CVD炉是由高温管式炉单元、气体控制单元和真空单元组成的组合炉系统,广泛应用于复合材料制备、微电子工艺、半导体光电、太阳能利用、光纤通信、超导技术、防护涂层等领域的实验和生产。
管式炉的加热元件放置在圆柱形腔体周围,炉子只能通过间接热辐射加热圆柱形腔体中的样品,由于炉管可以防止样品材料与炉子加热元件和绝缘材料接触,因此管式炉创造了一个清洁的隔离热室,降低了样品材料被炉子污染的风险。
CVD炉系统由高温管式炉单元、反应气源精确控制单元、真空泵站和相应的组装部件组成。
真空泵用于排除反应管内的空气,确保反应管内没有多余的气体,然后管式炉将反应管加热到目标温度,反应气源精确控制单元可将不同的气体以设定的比例引入炉管内进行化学反应,在CVD炉内形成化学气相沉积。
管式炉主要应用于冶金、玻璃、热处理、锂电正负极材料、新能源、磨料磨具等行业,是在一定温度条件下测量材料的专业设备。
管式炉具有结构简单、操作方便、易于控制、可连续生产等特点。
管式炉还广泛应用于 CVD(化学气相沉积)和等离子体增强 CVD 系统。
CVD过程中可以使用的气源非常多,常见的CVD化学反应包括热解、光解、还原、氧化、氧化还原,因此这些化学反应中涉及的气体都可以用于CVD过程。
我们以CVD石墨烯生长为例,CVD过程中使用的气体有CH4、H2、O2和N2。
管式炉可以在不同的机械功能下顺利工作,因此有许多不同类型的管式炉变化用于不同的实验目的,典型的管式炉如下:
等离子体化学气相沉积(PECVD)是利用等离子体激活反应气体,促进基片表面或近表面空间发生化学反应,生成固体薄膜的技术。等离子体化学气相沉积技术的基本原理是,在射频或直流电场的作用下,源气体电离形成等离子体,以低温等离子体为能源,引入适量的反应气体,利用等离子体放电激活反应气体,实现化学气相沉积。
根据等离子体的产生方式,可分为射频等离子体、直流等离子体和微波等离子体 CVD 等......
PECVD 是什么意思?
PECVD与传统CVD技术的区别在于等离子体中含有大量高能电子,可以提供化学气相沉积过程中所需的活化能,从而改变了反应体系的供能方式。由于等离子体中的电子温度高达 10000K,电子与气体分子之间的碰撞可促进反应气体分子的化学键断裂和重组,从而生成更多的活性化学基团,而整个反应体系则保持较低的温度。
因此,与 CVD 工艺相比,PECVD 可以在较低的温度下进行相同的化学气相沉积过程。
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