与传统材料相比，SiC 技术具有多项显著优势。
您需要了解的碳化硅技术的 7 大优势
1.更高的击穿电压
SiC 和 GaN 材料的临界击穿电压比硅高得多。
这使得漂移层更薄，掺杂浓度更高。
因此，在给定的芯片面积和额定电压下，导通电阻更低。
这就减少了功率损耗，从而提高了效率。
2.优异的耐化学性和耐腐蚀性
碳化硅具有优异的耐化学和耐腐蚀性能。
它具有很强的耐腐蚀性，因此适合在化学和等离子环境中使用。
这一特性可延长制造设备的使用寿命、减少停机时间并消除污染。
3.惊人的热性能
碳化硅具有惊人的热性能，包括高热导率和低热膨胀系数。
它能在 1400°C 的高温下保持较高的机械强度。
此外，SiC 还具有出色的抗热震性。
这些特性使 SiC 成为需要高温操作和抗热循环应用的理想材料。
4.降低拥有成本
使用碳化硅技术可以降低拥有成本。
它的高效率和降低功率损耗可节省能源。此外，SiC 优异的耐久性和抗腐蚀性也降低了维护和更换成本。5.不产生微粒
