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与传统材料相比，SiC 技术具有多项显著优势。
SiC 和 GaN 材料的临界击穿电压比硅高得多。
因此，在给定的芯片面积和额定电压下，导通电阻更低。
2.优异的耐化学性和耐腐蚀性
它具有很强的耐腐蚀性，因此适合在化学和等离子环境中使用。
3.惊人的热性能
它能在 1400°C 的高温下保持较高的机械强度。
这些特性使 SiC 成为需要高温操作和抗热循环应用的理想材料。
4.降低拥有成本
它的高效率和降低功率损耗可节省能源。此外，SiC 优异的耐久性和抗腐蚀性也降低了维护和更换成本。5.不产生微粒
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