石墨烯转移技术包括将石墨烯从其生长基底转移到目标基底以用于各种应用的方法。最常见、最有效的方法是使用聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）等支撑聚合物，在不损坏石墨烯的情况下促进转移。这一过程首先在石墨烯上涂上 PMMA，然后蚀刻掉原来的基底，再将涂有 PMMA 的石墨烯转移到新的基底上。其他支撑聚合物（如热释放带和 PDMS）也经过了测试，但 PMMA 因其能够最大限度地减少转移过程中的损坏而被证明是最有效的。
另一种方法是在非金属基底上直接生长石墨烯，这是避免转移过程的首选。这种方法需要高温、金属辅助催化或等离子体增强 CVD 来弥补非金属表面较弱的催化活性。虽然这种方法生产的石墨烯质量不高，而且非金属表面上活性基团的作用机理也不完全清楚，但直接生长仍是一个理想的目标，因为它有可能消除转移的需要。
与其他二维材料（如 h-BN 薄膜或 WS2-石墨烯异质结构）杂化也是增强石墨烯特性和应用的一种方法。这些混合材料可以通过逐层转移或直接生长的方式产生，后者的可扩展性更高，而且不易受到污染。
在工业环境中，合成大面积均匀石墨烯薄膜最成功的方法是在铜箔上进行甲烷化学气相沉积（CVD）。这种方法可进行大规模生产，并可利用批次到批次 (B2B) 或卷到卷 (R2R) 工艺等技术进行优化，以提高产量。
对于需要在非金属基底上使用石墨烯的应用，转移过程通常包括用 PMMA 涂覆石墨烯、蚀刻金属基底、用去离子水清洗石墨烯/PMMA 薄膜，然后将其转移到目标基底上。然后用丙酮去除 PMMA，在所需基底上留下干净的石墨烯薄膜。
总之，转移技术的选择取决于应用的具体要求，同时还要考虑最大限度地减少损坏、保持洁净度以及确保成本效益和可扩展性。
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