从本质上讲，溅射技术是一种物理气相沉积（PVD）方法，能够沉积极其广泛的材料。这包括几乎任何固体元素，从金、铜等纯金属到复杂的合金，以及氧化物和氮化物等先进陶瓷化合物，都可以沉积到基底上。
溅射并非由有限的材料集合定义，而是由其物理过程定义：轰击源“靶材”以喷射原子。这种基本机制使其成为可用于表面涂层的功能最广泛、可控性最高的薄膜沉积技术之一。
溅射工作原理：入门
溅射是一种基于真空的工艺，可对薄膜沉积进行原子级控制。其多功能性背后的机制很简单。
基本机制
在真空室中，将基底（待涂覆的部件）放置在由所需涂层材料制成的“靶材”对面。高能离子（通常来自惰性气体，如氩气）被加速并与靶材碰撞。
这些碰撞的能量足以将原子从靶材中物理击出。这些被喷射出的原子随后穿过真空并凝结在基底上，形成一层薄而均匀的薄膜。
溅射沉积材料的范围
溅射的真正强大之处在于其能够处理的材料种类繁多。通过修改工艺，我们可以高精度地沉积导体、绝缘体和复杂的化合物。
纯金属和导电合金
这是溅射最常见的应用。由于该过程纯粹是物理的，因此它几乎可以用于沉积任何金属或导电合金。
常见示例包括：
- 贵金属：金 (Au)、银 (Ag)、铂 (Pt)
- 工业金属：铜 (Cu)、铝 (Al)、钛 (Ti)、钢
- 合金：通过使用由预成型合金制成的靶材，所得薄膜将具有高度相似的化学成分。
绝缘和介电材料
沉积电绝缘材料需要一种特殊的变体，称为 RF（射频）溅射。标准直流电源会导致绝缘靶材上积聚正电荷，从而停止该过程。
射频溅射以高频交变电场，中和这种电荷积聚，从而允许沉积陶瓷和介电材料，如二氧化硅 (SiO₂)、氧化铝 (Al₂O₃) 和五氧化二钽 (Ta₂O₅)。
通过反应溅射形成化合物薄膜
反应溅射是一种形成化合物的精巧方法，这些化合物可能难以作为稳定的靶材生产。它不是使用化合物靶材，而是在反应气体气氛中使用纯金属靶材。
例如，通过在含有氮气的环境中溅射钛 (Ti) 靶材，溅射出的钛原子与氮气反应，在基底上形成氮化钛 (TiN) 薄膜。同样的原理也适用于通过引入氧气来制备氧化物。
了解权衡和注意事项
尽管溅射功能极其广泛，但它是一个精密过程，必须管理各种因素才能达到预期效果。
沉积速率和效率
不同的材料具有不同的“溅射产额”，这意味着它们在相同条件下以不同的速率喷射原子。这会影响达到所需薄膜厚度所需的时间和功率。
靶材和几何形状
源材料，即靶材，有不同的形式。平面靶材是用于大型系统的平板，而旋转靶材是圆柱形的，用于在其他系统设计中实现高均匀性和材料利用率。
基底兼容性
溅射的主要优点之一是其相对于其他一些沉积方法而言温度较低。这使其与各种基底兼容，包括玻璃、金属、硅晶圆，甚至热敏塑料或纺织品。
为您的目标做出正确选择
最佳的溅射方法完全取决于您需要沉积的材料。
- 如果您的主要重点是沉积纯金属或导电合金：标准直流磁控溅射是最直接、最有效的方法。
- 如果您的主要重点是创建氮化物或氧化物等化合物薄膜：使用纯金属靶材和反应气体的反应溅射是行业标准方法。
- 如果您的主要重点是沉积二氧化硅等绝缘陶瓷：射频溅射对于克服非导电靶材上的电荷积聚至关重要。
最终，溅射工艺提供了一种高度可控的途径，可以将几乎无限的材料库沉积到表面上。
总结表：
| 材料类别 | 示例 | 关键溅射方法 |
|---|---|---|
| 纯金属和合金 | 金 (Au)、铜 (Cu)、铝 (Al) | 直流磁控溅射 |
| 绝缘陶瓷 | 二氧化硅 (SiO₂)、氧化铝 (Al₂O₃) | 射频溅射 |
| 化合物薄膜 | 氮化钛 (TiN)、五氧化二钽 (Ta₂O₅) | 反应溅射 |
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