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是的，二氧化硅可以溅射。这是通过一种称为反应溅射的工艺来实现的，在这种工艺中，硅（Si）被用作目标材料，同时存在非惰性气体，特别是氧气（O2）。溅射出的硅原子与溅射室内的氧气相互作用，形成二氧化硅（SiO2）薄膜。

反应溅射的解释：

反应溅射是一种用于薄膜沉积的技术，即在溅射环境中引入氧气等反应性气体。在形成二氧化硅的情况下，将硅靶放入溅射室，并引入氧气。硅被溅射后，喷出的原子与氧气发生反应，形成二氧化硅。这一过程对于获得所需的化学成分和薄膜特性至关重要。定制折射率：

参考文献还提到了共溅射，即在溅射室中使用多个靶材。例如，在富氧环境中对硅靶和钛靶进行共溅射，就有可能产生具有定制折射率的薄膜。可以改变施加在每个靶上的功率，以调整沉积薄膜的成分，从而控制介于二氧化硅（1.5）和二氧化钛（2.4）典型值之间的折射率。

溅射的优点：

与其他沉积方法相比，溅射法更受青睐，因为它能生成与基底有良好附着力的薄膜，并能处理熔点较高的材料。该工艺可自上而下进行，而蒸发沉积法则无法做到这一点。此外，溅射系统还可配备各种选项，如原位清洁或基片预热，从而提高沉积薄膜的质量和功能。

硅溅射靶材的制造：