原子层沉积（ALD）是一种高度精确和可控的技术，用于在半导体工艺中沉积超薄薄膜。
这种方法涉及连续、自限制的表面反应，可实现原子级的薄膜厚度控制和出色的一致性。
ALD 尤其适用于要求高精度和高均匀性的应用，如制造先进的 CMOS 器件。
什么是用于半导体工艺的 ALD？(四大要点解析）
1.工艺机制
ALD 的工作原理是将两种或两种以上的前驱体气体依次引入反应室。
每种前驱体都会与基底或之前沉积的层发生反应，形成化学吸附单层。
这种反应具有自限性，也就是说，一旦表面完全被化学吸附物种饱和，反应就会自然停止。
每次接触前驱体后，在引入下一种前驱体之前，都要对反应室进行吹扫，以清除多余的前驱体和反应副产物。
如此循环往复，直到达到所需的薄膜厚度。
2.半导体工程中的优势
厚度控制
ALD 可以精确控制沉积薄膜的厚度，这对电子设备的微型化至关重要。
适形性
通过 ALD 沉积的薄膜具有高度保形性，这意味着它们能均匀地涂覆复杂的高纵横比结构，这对先进的半导体器件至关重要。
均匀性
ALD 可在大面积范围内提供出色的均匀性，这对集成电路的稳定性能至关重要。
3.半导体制造中的应用
ALD 广泛应用于半导体行业，特别是用于制造高性能互补金属氧化物半导体（CMOS）晶体管。
它还用于制造其他元件，如磁记录头、MOSFET 栅极堆栈、DRAM 电容器和非易失性铁电存储器。
ALD 具有改变表面特性的能力，因此也可用于生物医学设备。
4.挑战
尽管 ALD 具有诸多优势，但它涉及复杂的化学反应过程，需要高纯度基底和昂贵的设备。
与其他沉积技术相比，该过程也相对较慢，而且去除多余的前体也增加了涂层制备过程的复杂性。
总之，ALD 是半导体工艺中的一项关键技术，因为它能沉积超薄、保形薄膜，并能精确控制厚度，因此对先进电子设备的开发至关重要。
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