原子层沉积（ALD）是一种高度精确和可控的技术，用于在半导体工艺中沉积超薄薄膜。这种方法涉及连续、自限制的表面反应，可实现原子级的薄膜厚度控制和出色的一致性。ALD 尤其适用于要求高精度和高均匀性的应用，如制造先进的 CMOS 器件。
详细说明：
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工艺机制：
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ALD 的工作原理是将两种或两种以上的前驱体气体依次引入反应室。每种前驱体都会与基底或之前沉积的层发生反应，形成化学吸附单层。这种反应具有自限性，也就是说，一旦表面完全被化学吸附物种饱和，反应就会自然停止。每次接触前驱体后，在引入下一种前驱体之前，都要对反应室进行吹扫，以清除多余的前驱体和反应副产物。如此循环往复，直至达到所需的薄膜厚度。
- 半导体工程中的优势：厚度控制：
- ALD 可以精确控制沉积薄膜的厚度，这对电子设备的微型化至关重要。适形性：
- 通过 ALD 沉积的薄膜具有高度保形性，这意味着它们能均匀地涂覆复杂的高纵横比结构，这对先进的半导体器件至关重要。均匀性：
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ALD 可在大面积范围内提供出色的均匀性，这对集成电路的稳定性能至关重要。半导体制造中的应用：
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ALD 广泛应用于半导体行业，尤其是高性能互补金属氧化物半导体 (CMOS) 晶体管的制造。它还用于制造其他元件，如磁记录头、MOSFET 栅极堆栈、DRAM 电容器和非易失性铁电存储器。ALD 能够改变表面特性，因此还可用于生物医学设备。
挑战：
