在铜基底上生长的 CVD 石墨烯的电阻，特别是其片层电阻，通常约为 350 Ω/平方厘米，透明度为 90%。与未掺杂石墨烯相比，这一数值代表着透明度/片层电阻比的显著提高。未掺杂石墨烯的片层电阻约为 6 kΩ，透明度为 98%。
详细说明：
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CVD 石墨烯的薄层电阻:据报道，在铜基底上通过化学气相沉积 (CVD) 技术生产的石墨烯的薄层电阻为 350 Ω/sq。该测量是在石墨烯保持高透明度（具体为 90%）的条件下进行的。对于透明导电薄膜等应用来说，薄层电阻是一个关键参数，在这些应用中，导电性和透明度之间的平衡至关重要。
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与未掺杂石墨烯的比较:未掺杂石墨烯是一原子厚的二维结晶异构体，其薄层电阻约为 6 kΩ，透明度为 98%。与铜上的 CVD 石墨烯相比，其电阻更高，这表明 CVD 工艺可以增强石墨烯的导电性，而不会明显影响其透明度。
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层厚的影响:石墨烯的薄层电阻会随着层数的增加而减小。假设各层的行为是独立的，那么薄层电阻应保持不变，并与多层薄膜的薄层电阻相关。这表明可以通过优化 CVD 工艺来控制石墨烯的层数，从而调整薄层电阻以满足特定的应用要求。
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应用和未来展望:CVD 石墨烯可用于传感器、触摸屏和加热元件等多种应用。开发出更好的处理方法并降低 CVD 石墨烯的生产成本，有望进一步扩大其应用范围。CVD 能够生产出具有较大表面积和良好电学特性的石墨烯，因此是一种极具吸引力的工业应用方法。
总之，CVD 石墨烯的电阻，尤其是其片状电阻，明显低于未掺杂石墨烯，使其成为一种很有前途的透明导电应用材料。通过控制层数来定制片层电阻的能力以及 CVD 技术的不断改进是推动 CVD 石墨烯在各种技术应用中得到采用的关键因素。
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