CVD 沉积是指化学气相沉积过程，这是一种用于生产高质量固体材料的真空沉积方法。可使用 CVD 沉积的材料包括
1.硅：包括二氧化硅、碳化硅、氮化硅和氧氮化硅。这些材料广泛应用于半导体行业的各种应用中。
2.碳：CVD 可以沉积不同形式的碳，如碳纤维、纳米纤维、纳米管、金刚石和石墨烯。碳材料在电子、复合材料和储能领域有着广泛的应用。
3.碳氟化合物：它们是含有碳原子和氟原子的化合物。它们通常用作绝缘材料或具有低摩擦特性。
4.细丝：CVD 可以沉积各种类型的细丝，即柔性细线或纤维。这些细丝可由金属或聚合物等不同材料制成。
5.钨：这是一种通常使用 CVD 沉积的金属。钨薄膜具有高熔点，可用于需要耐高温的应用领域。
6.氮化钛：这是一种钛和氮的化合物。由于其硬度高、耐磨损，通常用作涂层材料。
7.高κ电介质：电介质是一种能储存和释放电能的绝缘材料。高κ介质具有较高的介电常数，可实现电子设备的微型化。
总之，CVD 沉积可用于沉积各种材料，包括硅、碳、碳氟化合物、灯丝、钨、氮化钛和高κ介电材料。这些材料可应用于电子、半导体和材料科学等多个行业。
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