分析设备配件与耗材
高纯熔融石英舟，适用于高温管式炉与半导体加工
货号 : KT-SYP
价格根据 规格和定制情况变动
- 材料纯度
- ≥ 99.99% 熔融石英 (SiO2)
- 最高工作温度
- 1200°C 连续 / 1300°C 峰值
- 热膨胀系数
- 5.5 × 10⁻⁷ /°C (20°C 至 1000°C)
运输:
联系我们 获取运输详情 享受 准时发货保证.
为什么选择我们
简易的订购流程、优质的产品和专业的支持，助力您的业务成功。
产品概述
这款高纯熔融石英舟旨在为高温实验室管式炉、半导体加工设备和化学气相沉积反应器提供超洁净、热稳定的样品容器。该容器采用优质半导体级熔融二氧化硅制造，在快速加热和冷却循环过程中具有出色的光学透明度、结构完整性和抗热应力能力。
该承载器主要用于半导体制造、光伏生产、先进冶金、电池材料煅烧和合成化学研究，在严苛的炉内气氛中表现优异。无孔玻璃质结构可防止工艺气体吸收并确保惰性样品隔离，这使得该容器成为热氧化、晶体生长、粉末烧结和催化蒸汽反应的理想选择。
该燃烧舟采用严格的尺寸公差制造，并具有原始的火焰抛光边缘，确保在常规热测试和连续工业生产中均有可靠的性能。其超低微量元素特性消除了交叉污染的风险，确保研究实验室和工业洁净室在极端热梯度下实现可重复、可靠的实验结果。
主要特点
- 超高化学纯度：由 99.99% 的半导体级熔融二氧化硅制成，该容器可防止在敏感的煅烧、热还原和半导体掺杂过程中的元素浸出和交叉污染。
- 卓越的抗热震性：凭借 5.5 × 10⁻⁷ /°C 的极低热膨胀系数，该产品可承受极端热梯度以及快速的炉内进出循环，而不会发生断裂、微裂纹或翘曲。
- 出色的连续工作范围：专为高达 1200°C 的持续运行和高达 1300°C 的短期热冲击而设计，该设备在密集热负荷下保持结构刚性和机械稳定性。
- 广泛的化学和酸惰性：非反应性玻璃质表面对常见的腐蚀性酸、有机溶剂和中性卤素表现出完全的抵抗力，确保在没有化学降解的情况下实现一致的基底盛放。
- 精密火焰抛光边缘：平滑修整的边缘和无缝过渡区可最大限度地减少机械应力集中，增强人工或机械手操作过程中的结构弹性，并防止洁净室设施中的颗粒脱落。
- 低气体吸附与玻璃质密度：完全致密的无孔石英基质可防止大气气体吸收或水分保留，从而在低压管式炉和密封反应器中保障真空完整性。
- 优化的热传导均匀性：底部和侧壁的均匀壁厚确保了对所含粉末、前驱体和晶圆的快速、均匀热传导，从而减轻了热加工过程中的局部热点。
- 可定制的结构配置：提供平底、圆底、带手柄和多槽几何形状，以完美适应不同的坩埚钳、推杆、基底几何形状和自动加载机构。
应用领域
| 应用 | 描述 | 核心优势 |
|---|---|---|
| 半导体晶圆扩散与掺杂 | 在高温掺杂推进和氧化程序期间，将硅和化合物半导体基底保持在水平石英工艺管内。 | 超低的碱金属和过渡金属浓度消除了晶圆污染并保留了少数载流子寿命。 |
| 化学气相沉积（CVD 与 PECVD） | 充当石墨烯、碳纳米管合成、二维过渡金属硫属化物生长和薄膜涂层的稳定基底和前驱体容器。 | 承受反应性前驱体气体和升高的热条件，不会释气或催化不良的副反应。 |
| 锂离子电池材料煅烧 | 在高温大气或真空热烘烤期间盛放活性正极粉末、固态电解质和负极前驱体。 | 防止铁、钠和重金属交叉污染，确保纯净的电化学容量和循环稳定性。 |
| 高温粉末冶金与烧结 | 在受控的氢气、氩气或真空气氛下，用还原炉运送金属、陶瓷和复合粉末压块。 | 在热负荷下保持平面度，不会粘附或与金属熔体和烧结陶瓷发生化学结合。 |
| 荧光粉与光学晶体合成 | 用作经历长时间热浸泡的稀土掺杂发光荧光粉、激光晶体和闪烁材料的反应室。 | 高光学透射率和惰性反应边界可防止变色并保持最佳的发光量子效率。 |
| 分析灰化与燃烧分析 | 在高温燃烧和重量法残渣测定期间容纳有机、环境和地质样品。 | 热循环下的总体尺寸稳定性和质量恒定性保证了精确的分析测量准确度。 |
| 贵金属精炼与火法冶金 | 在热纯化、卤化和助熔剂辅助熔炼反应期间容纳金、铂族金属和高纯度催化剂。 | 抵抗酸性冷凝物和侵蚀性冶金熔剂，确保在没有容器降解的情况下实现最高贵金属回收率。 |
| 催化气固多相反应 | 在暴露于高温下连续流动反应气体的管式反应器中容纳填充催化剂颗粒和多孔反应物床。 | 无孔玻璃质壁引导气流而无旁路泄漏或催化表面失活。 |
技术规格
尺寸配置
KT-SYP 系列提供标准化选择的燃烧舟和承载舟，旨在匹配常见的工艺管直径和加热区轮廓。可根据要求提供定制尺寸、专用隔板和开槽晶圆舟。
| 型号标识 | 外长 (mm) | 外宽 (mm) | 外高 (mm) | 壁厚 (mm) | 可用体积 (mL) | 手柄配置 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| KT-SYP-50 | 50 ± 1.0 | 20 ± 0.5 | 15 ± 0.5 | 2.0 ± 0.2 | 10 | 平边 / 无边 |
| KT-SYP-80 | 80 ± 1.0 | 25 ± 0.5 | 18 ± 0.5 | 2.0 ± 0.2 | 25 | 集成石英钩 |
| KT-SYP-100 | 100 ± 1.5 | 30 ± 0.8 | 20 ± 0.8 | 2.5 ± 0.3 | 45 | 集成石英钩 |
| KT-SYP-120 | 120 ± 1.5 | 35 ± 0.8 | 22 ± 0.8 | 2.5 ± 0.3 | 70 | 集成石英钩 |
| KT-SYP-150 | 150 ± 2.0 | 40 ± 1.0 | 25 ± 1.0 | 2.5 ± 0.3 | 115 | 集成端环 |
| KT-SYP-200 | 200 ± 2.0 | 50 ± 1.0 | 30 ± 1.0 | 3.0 ± 0.3 | 220 | 双端手柄 |
| KT-SYP-SLOT | 120 ± 1.5 | 40 ± 1.0 | 30 ± 1.0 | 2.5 ± 0.3 | 定制 | 多槽晶圆载体 (10–25 片基底) |
物理与热学材料特性
所有 KT-SYP 石英容器均采用合成和高纯天然石英砂生产，在重复的热循环过程中表现出一致的物理指标。
| 性能指标 | 名义公制值 | 测试标准 / 运行条件 |
|---|---|---|
| 二氧化硅 (SiO2) 纯度 | ≥ 99.99% | 化学分析与发射光谱法 |
| 连续工作温度 | 1150°C 至 1200°C | 氧化、惰性或真空炉环境 |
| 最高短期运行极限 | 1300°C | 间歇性热峰值 (持续时间 ≤ 30 分钟) |
| 软化点 | ~1680°C | ASTM C338 标准测试方法 |
| 退火点 | ~1210°C | ASTM C336 标准测试方法 |
| 应变点 | ~1120°C | ASTM C336 标准测试方法 |
| 热膨胀系数 (CTE) | 5.5 × 10⁻⁷ /°C | 膨胀法测量 (20°C 至 1000°C) |
| 体积密度 | 2.20 g/cm³ | 20°C 标准比重瓶法 |
| 莫氏硬度 | 6.5 – 7.0 | 划痕硬度标度 |
| 抗压强度 | 1100 MPa | 环境温度压缩破坏测试 |
| 抗折拉伸强度 | 48 MPa | 三点弯曲验证 |
| 介电常数 | 3.75 | 1 MHz、20°C 下的电容法 |
| 光学透射带宽 | 190 nm 至 2500 nm | 可见光谱中 > 90% 透射率 |
| 羟基 (OH⁻) 浓度 | < 15 ppm | 提供低羟基合成级选项 (< 5 ppm) |
化学纯度与微量元素杂质极限
为了确保适用于洁净室和半导体应用，微量金属杂质被严格控制在百万分之几 (ppm) 的阈值内。
| 元素符号 | 最大阈值 (ppm) | 元素影响分析 |
|---|---|---|
| 铝 (Al) | ≤ 14.0 | 网络形成组分；受限以维持高粘度 |
| 铁 (Fe) | ≤ 0.8 | 被抑制以消除热变色和失透成核 |
| 钙 (Ca) | ≤ 0.6 | 控制以防止高温下碱土金属表面结晶 |
| 镁 (Mg) | ≤ 0.3 | 保持最低以避免长期热浸泡过程中的助熔相互作用 |
| 钠 (Na) | ≤ 1.0 | 关键控制极限，以消除移动离子向硅晶圆的扩散 |
| 钾 (K) | ≤ 0.8 | 控制以防止管式炉管线中的气相碱金属迁移 |
| 钛 (Ti) | ≤ 1.1 | 受限以维持高紫外-可见光光学透过率 |
| 铜 (Cu) | ≤ 0.1 | 严格限定以保护半导体少数载流子寿命 |
| 镍 (Ni) | ≤ 0.1 | 被抑制以防止合成过程中的金属催化微夹杂物 |
大气与化学相容性概况
| 工艺气氛 / 化学药剂 | 相容性评估 | 操作指南与边界条件 |
|---|---|---|
| 惰性气体 (Ar, N2, He) | 完全相容 | 在整个工作范围内高达 1200°C 连续稳定 |
| 高真空 (< 10⁻⁵ mbar) | 完全相容 | 释气可忽略不计；保持在 1150°C 以下以避免结构变形 |
| 氧化环境 (Air, O2) | 完全相容 | 化学惰性；非常适合高达 1200°C 的灰化、氧化和煅烧 |
| 还原气氛 (H2, 形成气) | 有条件相容 | 在 1100°C 以下安全；避免在纯干燥氢气中超过 1150°C 以防止还原 |
| 浓氢氟酸 (HF) | 不相容 | 与二氧化硅易反应；避免接触任何 HF 溶液 |
| 热浓磷酸 | 不相容 | 在 150°C 以上的温度下会导致加速表面腐蚀 |
| 碱性溶液 (NaOH, KOH) | 有条件使用 | 在室温下可耐受；在 80°C 以上会发生快速化学溶解 |
为什么选择本产品
- 半导体级纯度与微量元素控制：严格采用纯度超过 99.99% 的合成和天然熔融石英制造，该容器保证了对碱 metals 和过渡元素的完全隔离，保护关键基底免受污染。
- 无妥协的热梯度与抗热震耐受性：凭借近乎零的热膨胀系数设计，该设备允许快速升温和突发炉料装卸，而不会产生微断裂或灾难性的机械故障。
- 精密尺寸均匀性与火焰抛光完整性：计算机控制的热成型和精密火焰抛光产生均匀的壁厚和增强的无应力边缘，延长了使用寿命并促进了流畅的机器人集成。
- 多功能定制与工程几何形状：无论您的工作流程需要专用的晶圆保持槽、集成拉环、导气石英挡板还是定制长度，定制配置都能以精确的公差进行快速原型制作和制造。
- 全面的质量保证与洁净室标准：每台单元都经过严格的光谱杂质验证、尺寸坐标检查和超声波洁净室包装，以确保在严苛的实验室和工业工艺中随时可投入使用。
立即联系我们的技术销售团队以获取报价、讨论定制尺寸规范，或探索您的实验室或生产线的批量采购选项。
行业领军企业信赖之选
获取报价
我们的专业团队将在一个工作日内回复您。请随时与我们联系！
相关产品
高纯度透明石英方形舟坩埚 耐高温耐腐蚀玻璃槽
这款高纯度透明石英方形舟坩埚专为高标准要求的实验室环境设计，具备优异的耐腐蚀性与热稳定性，可承受最高1200℃的高温，在全球各类先进高温管式炉应用场景中，都能确保材料加工无杂质污染，提供超稳定可靠的性能表现。
钼钨钽蒸发舟，适用于高温应用
蒸发舟源用于热蒸发系统，适用于沉积各种金属、合金和材料。蒸发舟源有不同厚度的钨、钽和钼可供选择，以确保与各种电源兼容。作为容器，它用于材料的真空蒸发。它们可用于各种材料的薄膜沉积，或设计为与电子束制造等技术兼容。
