碳化硅有哪些不同类型？多型体、制造和应用指南

从根本上讲，碳化硅（SiC）主要通过两种方式进行分类：通过其晶体结构（称为多型体，如4H-SiC和6H-SiC），以及通过其制造工艺，从而产生烧结、反应烧结和CVD SiC等形式。这些区别至关重要，因为它们决定了材料的最终性能，从导电性到机械强度和热稳定性。

了解碳化硅的类型并非仅仅记住名称；它是关于将特定的制造方法和晶体结构与所需的结果相匹配。用于高磨损泵部件的正确选择与用于先进半导体的选择根本不同。

根本区别：SiC多型体

碳化硅最基本的区别在于其晶体结构。虽然化学成分相同（一个硅原子，一个碳原子），但这些原子在层中的堆叠方式可能有所不同。

多型体是指Si-C双层可能存在的多种堆叠序列之一。可以将其想象成堆叠乐高积木——你可以将它们直接堆叠在一起，或者以不同的重复模式错开堆叠。

这些不同的模式导致材料具有独特的电子特性，尽管它们的机械和热特性大致相似。

虽然存在超过250种多型体，但有两种在商业应用中占主导地位，尤其是在电子领域：4H-SiC和6H-SiC。数字指的是重复堆叠序列中的层数。

它们之间的主要区别是电子迁移率。4H-SiC允许电子更自由地移动，使其成为高频、大功率电子器件的首选。

特定的多型体决定了材料的带隙和电子迁移率，这对于半导体性能至关重要。这就是为什么先进LED或功率晶体管的衬底是由特定的、精心生长的单晶多型体（如4H-SiC）制成的。

对于大多数机械、热和结构应用，制造方法是最重要的分类。此过程决定了材料的纯度、密度和最终强度。

烧结碳化硅是通过在非常高的温度（超过2,000°C）下压实细小的碳化硅粉末，直到颗粒融合在一起而生产的。

这种方法生产出极其纯净（>99%）和致密的材料，具有卓越的强度、硬度和耐腐蚀性。它常用于泵密封件、轴承和阀门部件等要求严苛的应用。

也称为硅渗透碳化硅 (SiSiC)，这种类型是通过将碳化硅粉末与碳混合，然后用熔融硅渗透而制成的。硅与碳反应形成更多的碳化硅，从而将原始颗粒结合在一起。

最终产品包含碳化硅网络和一定量的游离未反应硅（通常为8-15%）。这使得它在非常高的温度下略微不那么坚固，但允许以最小的收缩率制造复杂的形状，通常比SSiC成本更低。

此过程涉及在高温下使气体反应，以在表面沉积一层极其纯净的碳化硅。

CVD SiC理论上是致密的且异常纯净，使其非常适合火箭发动机喷嘴上的涂层或用于生产半导体工业的衬底。它通常是成本最高的制造方法。

选择正确类型的碳化硅需要了解不同制造工艺之间固有的权衡。没有一种类型适用于所有情况。

CVD和烧结碳化硅提供最高的纯度，这对于半导体应用和极端化学环境至关重要。这种纯度伴随着高昂的成本。

反应烧结碳化硅是一种更经济的选择，但其性能受游离硅的存在所限制。

RBSC中的残余硅是其主要的权衡。硅在约1,414°C熔化，将RBSC部件的最高使用温度限制在远低于纯SSiC的水平。这种游离硅也比碳化硅本身更容易受到化学侵蚀。

高密度与高机械强度和不渗透性直接相关。SSiC和CVD SiC是完全致密的材料。

其他形式，如氮化硅结合碳化硅 (NBSC)，具有刻意的孔隙率，这提高了抗热震性但降低了整体强度，使其适用于窑具和炉部件。

您的最终选择完全取决于您的主要工程目标。

通过了解这些基本区别，您可以自信地选择精确类型的碳化硅，以满足您的特定技术和经济目标。