化学气相沉积（CVD）是一种用于在基底上沉积高质量薄膜和涂层的工艺。
该工艺在真空环境中使用气态或气态前驱体进行。
CVD 工艺包括三个主要阶段。
首先，反应气体扩散到基底表面。
第二，反应气体被吸附到基底表面。
第三，在基底表面发生化学反应，形成固体沉积物。
然后，产生的气相副产品从基底表面释放出来。
沉积材料（可根据项目的不同而变化）与前驱物质混合。
这种前驱物质通常是卤化物或氢化物。
沉积材料和前驱体的组合进入真空室。
在真空室中，沉积材料在基底上形成一层均匀的沉积层。
前驱体分解后通过扩散排出。
CVD 的优势在于它可以沉积多种材料。
这些材料包括金属膜、非金属膜、多组分合金膜以及陶瓷或化合物层。
该工艺可在常压或低真空条件下进行。
这样就能在形状复杂的表面或工件上的深孔或细孔上形成良好的包覆性能和均匀的涂层。
此外，CVD 生产的涂层纯度高、致密性好、残余应力低、结晶性好。
需要了解的 5 个要点
1.CVD 的三个主要阶段
CVD 过程包括三个主要阶段：扩散、吸附和化学反应。
2.前驱物质的作用
沉积材料与前驱物质（通常是卤化物或氢化物）混合，制备材料并将其输送到基底。
3.真空室工艺
沉积材料和前驱体的组合进入真空室，在基底上形成均匀的材料层。
4.CVD 的多功能性
CVD 可沉积多种材料，包括金属膜、非金属膜、多组分合金膜以及陶瓷或化合物层。
5.CVD 的优势
CVD 生成的涂层纯度高、致密性好、残余应力低、结晶性好，可在常压或低真空条件下进行。
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