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化学气相沉积（CVD）是一种在真空环境中使用气态或气态前驱体在基底上沉积高质量薄膜和涂层的工艺。该工艺包括三个主要阶段：反应气体扩散到基底表面、反应气体吸附到基底表面、基底表面发生化学反应形成固体沉积物。生成的气相副产品随后从基底表面释放出来。
沉积材料因项目而异，与前驱物质（通常是卤化物或氢化物）混合后，前驱物质将沉积材料制备并输送到基底或预定表面。这种组合进入真空室，沉积材料在基底上形成一层均匀的沉积层，前驱体分解后通过扩散排出。
CVD 的优势在于能够沉积多种材料，包括金属膜、非金属膜、多组分合金膜以及陶瓷或化合物层。该工艺可在大气压或低真空条件下进行，因此具有良好的包覆性能，可在形状复杂的表面或工件上的深孔或细孔中形成均匀的涂层。此外，CVD 生产的涂层纯度高、致密性好、残余应力低、结晶性好。
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