半导体中的 CVD 是化学气相沉积的缩写，是一种用于生产高质量、高性能固体材料的方法，通常在真空条件下进行。这一工艺在半导体工业中至关重要，可用于生产薄膜和微细加工所需的各种材料。
半导体中的 CVD 摘要：
CVD 是将基底暴露在挥发性前驱体中，这些前驱体在基底表面发生反应或分解，形成薄膜沉积。这种技术广泛应用于半导体制造领域，用于沉积各种形式的材料、提高晶体管性能以及在电子电路中形成绝缘层和导电层。
-
详细说明：工艺概述：
-
在 CVD 过程中，基底（通常是晶片）被置于真空条件下的反应室中。气态前驱体被引入反应室，与基底接触后发生反应或分解。这些反应的结果是在基底上沉积出所需材料的薄膜。
-
沉积材料的类型：
- CVD 用途广泛，可沉积各种形式的材料，如单晶、多晶、非晶和外延材料。常见的沉积材料包括硅（二氧化物、碳化物、氮化物、氧氮化物）、碳（纤维、纳米纤维、纳米管、金刚石和石墨烯）、碳氟化合物、长丝、钨、氮化钛和高κ介质。半导体制造中的应用：
- CVD 在半导体制造的多个方面发挥着关键作用：
- 图案化薄膜： 用于在晶片表面形成特定的材料图案。
- 绝缘材料： 用于在晶体管结构中制造绝缘层，如 STI（浅沟槽隔离）、PMD（金属前绝缘层）和 IMD（金属间绝缘层）。
-
导电层： 沉积形成电路的材料，确保有效的电气传导。
-
应变工程： 利用压缩或拉伸应力薄膜，通过提高导电性来改善晶体管性能。
技术进步：
