化学气相沉积（CVD）是半导体行业用于生产高质量、高性能固体材料的一种方法。
该工艺通常在真空条件下进行。
化学气相沉积对于生产薄膜和微细加工所需的各种材料至关重要。
5 个要点说明
1.工艺概述
在 CVD 过程中，基底（通常是晶片）被置于真空条件下的反应室中。
气态前驱体被引入反应室，与基底接触后发生反应或分解。
这些反应的结果是在基底上沉积出所需材料的薄膜。
2.沉积材料的类型
CVD 技术用途广泛，可沉积各种形式的材料，如单晶、多晶、非晶和外延材料。
常见的沉积材料包括硅（二氧化物、碳化物、氮化物、氧氮化物）、碳（纤维、纳米纤维、纳米管、金刚石和石墨烯）、碳氟化合物、长丝、钨、氮化钛和高κ电介质。
3.半导体制造中的应用
CVD 在半导体制造的多个方面发挥着关键作用。
图案化薄膜： 用于在晶片表面形成特定的材料图案。
绝缘材料： 用于在晶体管结构中制造绝缘层，如 STI（浅沟道隔离）、PMD（金属前绝缘）和 IMD（金属间绝缘）。
导电层： 沉积形成电路的材料，确保有效的电气传导。
应变工程： 利用压缩或拉伸应力薄膜，通过提高导电性来改善晶体管性能。
4.技术进步
CVD 技术的最新进展扩大了其在半导体行业的应用。
这包括代工厂、集成设备制造商（IDM）、存储器制造商和其他行业。
等离子体辅助 CVD 和其他变体的开发提高了沉积过程的效率和精度。
5.环境和副产品
在 CVD 过程中，经常会产生挥发性副产品。
这些副产品可通过反应室中的气流去除。
这对于保持沉积材料的纯度和质量至关重要。
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