CVD 或化学气相沉积是一种用于在基底上沉积薄膜的方法，方法是将基底暴露于挥发性前驱体中，这些前驱体在与基底接触时会发生反应或分解。这种工艺在包括电子和光电在内的各行各业中都至关重要，因为它能够生产出具有可控特性的高质量、高性能涂层。
CVD 工艺概述：
CVD 包括使用气态化学前驱体进行化学反应，通常由热量或等离子体驱动，在基底上形成致密的薄膜。这种方法用途广泛，可沉积厚度均匀、孔隙率可控的薄膜，甚至可在复杂或轮廓表面沉积。
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详细说明：
- CVD 的机理：前驱体暴露：
- 基底接触一种或多种挥发性前驱体。这些前驱体通常是气体或蒸汽，含有所需薄膜所需的元素。化学反应：
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到达基底后，这些前驱体发生反应或分解，将所需材料沉积到基底表面。反应可通过热、光或等离子体来启动和维持，具体取决于所使用的特定 CVD 技术。
- CVD 工艺类型：热 CVD：
- 这涉及使用热量来引发和维持化学反应。它适用于需要高温才能发生反应的材料。等离子体增强型 CVD（PECVD）：
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这种方法使用等离子体激活化学前驱体，与热化学气相沉积法相比，可在较低温度下沉积薄膜。PECVD 尤其适用于在窄槽中沉积薄膜，从而提高了其在半导体制造中的适用性。
- CVD 的应用：电子：
- CVD 用于沉积晶体管结构中的绝缘材料和构成电路的导电金属。它也是应变工程中不可或缺的一部分，应力薄膜可用于提高晶体管的性能。薄膜涂层：
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CVD 能够生产保护半导体免受水和灰尘等环境因素影响的涂层。它还支持各种材料的生长，包括金属、碳基材料（如石墨烯）以及氧化物和氮化物等各种化合物。
- CVD 的优势：多功能性：
- CVD 可以沉积各种具有特定性质的材料，因此适用于各种应用。均匀性和可控性：
- 该工艺可沉积厚度均匀、孔隙率可控的薄膜，即使在复杂的表面上也是如此。可扩展性和成本效益：
CVD 是一种可扩展的方法，为合成薄膜和二维材料提供了一种可控且具有成本效益的方法。结论
